PHP20N06T ; PHB20N06T
N沟道的TrenchMOS 晶体管
版本01 - 2001年2月22日
产品speci fi cation
1.描述
在一个塑料封装，使用N沟道增强型音响场效晶体管
的TrenchMOS
1
技术。
产品可用性：
PHP20N06T在SOT78 （ TO- 220AB ）
PHB20N06T在SOT404
(D
2
-PAK ） 。
2.特点
s
极低的通态电阻
s
快速切换。
3.应用
s
开关电源
s
DC到DC转换器。
c
4.管脚信息
c
表1：
针
1
2
3
mb
穿针 - SOT78 ， SOT404 ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
mb
简化的轮廓
符号
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
连接到漏极（D）
[1]
mb
d
g
s
2
MBK106
MBB076
1
3
MBK116
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
1.
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子公司的商标。
SOT404 （D
2
-Pak ）
飞利浦半导体
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N沟道的TrenchMOS 晶体管
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
j
= 25 175
o
C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
mb
= 25
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 10 A
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
64
75
150
典型值
最大
55
20.3
62
175
单位
V
A
W
°C
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
m
m
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
W
DSS
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
反向漏电流（DC）的
脉冲反向漏电流
非重复性雪崩能量
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 11 A;
V
DS
≤
55 V; V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
;
起始物为
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
R
GS
= 20 k
条件
民
55
55
最大
55
55
±20
20.3
14.3
81
62
+175
+175
20.3
81
30.3
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
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120
PDER
(%)
100
03aa16
03aa24
120
I
DER
(%)
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TMB （℃ ）
0
0
25
50
75
100
125
150
175 200
o
TMB （ C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
4.5 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
?? ！ === ？ " ！
102
导通电阻= VDS / ID
TP = 10我们
10
P
100美
δ
=
tp
T
特区
1毫秒
10毫秒
1
tp
t
T
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
单脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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7.热特性
表4：
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从结点到环境的热阻
条件
垂直静止空气中; SOT78封装
安装在印刷电路板;
最小的足迹; SOT404
包
R
日（ J- MB ）
从结点到安装热阻
BASE
图4
价值
60
50
单位
K / W
K / W
2.4
K / W
7.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
1
0.2
003aaa044
0.1
0.05
10-1
P
δ
=
tp
T
0.02
单脉冲
tp
T
t
10-2
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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产品speci fi cation
1.描述
在一个塑料封装，使用N沟道增强型音响场效晶体管
的TrenchMOS
1
技术。
产品可用性：
PHP20N06T在SOT78 （ TO- 220AB ）
PHB20N06T在SOT404
(D
2
-PAK ） 。
2.特点
s
极低的通态电阻
s
快速切换。
3.应用
s
开关电源
s
DC到DC转换器。
c
4.管脚信息
c
表1：
针
1
2
3
mb
穿针 - SOT78 ， SOT404 ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
mb
简化的轮廓
符号
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
连接到漏极（D）
[1]
mb
d
g
s
2
MBK106
MBB076
1
3
MBK116
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
1.
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子公司的商标。
SOT404 （D
2
-Pak ）
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5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
j
= 25 175
o
C
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
mb
= 25
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 10 A
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
64
75
150
典型值
最大
55
20.3
62
175
单位
V
A
W
°C
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
m
m
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
W
DSS
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
反向漏电流（DC）的
脉冲反向漏电流
非重复性雪崩能量
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 11 A;
V
DS
≤
55 V; V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
;
起始物为
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
R
GS
= 20 k
条件
民
55
55
最大
55
55
±20
20.3
14.3
81
62
+175
+175
20.3
81
30.3
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
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120
PDER
(%)
100
03aa16
03aa24
120
I
DER
(%)
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TMB （℃ ）
0
0
25
50
75
100
125
150
175 200
o
TMB （ C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
4.5 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
?? ！ === ？ " ！
102
导通电阻= VDS / ID
TP = 10我们
10
P
100美
δ
=
tp
T
特区
1毫秒
10毫秒
1
tp
t
T
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
单脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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7.热特性
表4：
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从结点到环境的热阻
条件
垂直静止空气中; SOT78封装
安装在印刷电路板;
最小的足迹; SOT404
包
R
日（ J- MB ）
从结点到安装热阻
BASE
图4
价值
60
50
单位
K / W
K / W
2.4
K / W
7.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
1
0.2
003aaa044
0.1
0.05
10-1
P
δ
=
tp
T
0.02
单脉冲
tp
T
t
10-2
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
9397 750 07894
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4 15
QQ：2881677436 复制
