Si9122
Vishay Siliconix公司
护理需要采取如果有一个延迟前的外部
电路反馈至V
CC
供应量。为了防止过度
功耗的集成电路内，建议使用外部
PNP设备。销已被纳入对IC，
（ REG_COMP ）聘用时提供补偿
外部设备。在这种情况下，在V
IN
销被连接到
所述PNP器件的基极和控制电流，而
REG_COMP引脚决定的频率补偿
的电路。要了解操作请参见
图5中。
软启动电路被设计为dc-dc转换到
启动有序进行，减少对组件的应力
该IC 。这个功能是可编程的，通过选择外部
C
SS
。内部20 - mA的电流源对C充电
SS
从0 V
至8 V.最终钳位电压在UVLO的事件或
关机，V
SS
将保持低电平（ <1 V）禁用驱动程序
切换。为了防止振动，更长的软启动时间可能
需要高电容负载和高峰值输出
当前的应用程序。
参考
Si9122的参考电压被设置为3.3伏。参考
用0.1 μF的电容器电压被去耦合到外部。该
V
REF
电压为0伏在关断模式下，具有50 mA的源
能力。
电压模式PWM工作模式
在正常负载条件下，集成电路工作在电压模式
并产生一个固定频率的脉宽调制信号
给司机。占空比控制在很宽的范围内
保持在线路和负载变化的输出电压。电压
前馈还包括考虑到变化的
电源电压V
IN
.
在半桥拓扑结构，要求输出之间的隔离
和输入端，基准电压和误差放大器必须是
外部提供的，通常是在次级侧上。错误
信息是通过由此传递到功率控制器
光电耦合器。此信息被反相，因此为0V
表示最大占空比，而2 V表示
最小占空比。该错误信息经由销进入集成电路
EP ，并经由反相传递到PWM发生器
放大器。占空比和V之间的关系
EP
is
在典型的特征图所示，职务
周期与V
EP
25_C
，第19页电压前馈是通过采取实施
减毒V
IN
在V信号
INDET
和直接调制
占空比。占空比和V之间的关系
INDET
is
在典型特征图所示，
占空比与
V
INDET ，
第16页。
在启动时，即，一旦V
CC
大于V
UVLO
，切换
在软启动控制，提高了基层开始
从线性d开关导通时间
民
到D
最大
在软启动
期。启动从V
INDET
断电也开始
在软启动控制。
半桥和同步整流时序
顺序
在Si9122内生成的PWM信号来控制低
和替代周期高边桥驱动器。一个时期
文档编号： 71815
S- 41944 -REV 。女， 10月18日04
活动软启动周期开始后总会产生
直到软启动电压达到约1.2 V和
PWM控制的开关开始。第一桥驱动
开关总是低侧，D-
L
因为这允许的充电
高侧升压电容。
到主定时和协调的驱动器和
次级阶段是非常重要的，在所示的
网络连接gure 3 。
It
必须避免这种情况，其中两个辅助的
MOSFET是上时，无论是高或低侧开关
是活动的。在这种情况下，变压器将有效地被
呈现在输出短路。为了避免这种情况，一
专用休息前先电路包括这将
产生的非重叠波形初级和
第二个驱动器的信号。这是通过一个可编程的实现
定时器，延时开关在主驱动器
相对于开关关闭相关的次要的和
随后延迟的切换在次级相的
到开关关闭相关的主要的。
在T典型变化
BBM3
和T
BBM4
延迟为L
X
电压
示于图吨
BBM3
, t
BBM4
并且对R
BBM
= 33千瓦。这
是由于通过高侧中的传播延迟的减少
驱动程序路径即L
X
电压升高，并且必须
考虑设置延迟的系统级设计。
的BBM时间为R的变化
BBM
示于图吨
BBM1
to
t
BBM4
与
BBM
.
小学高侧和低侧MOSFET驱动器
被提供的驱动电压为低侧MOSFET开关
直接从V
CC
。然而，高边MOSFET需要
栅极电压可以高于V增强
IN
。实现这一点
由Bootstrap逼近V
CC
电压到第l
X
电压（在
高边MOSFET的源极） 。为了提供
自举一个外部二极管和电容都需要为
在应用原理图如图所示。该电容可充电
起来后的低侧驱动器已接通。开关门
驱动信号D
H
和D
L
示于
网络连接gure 3 。
二次MOSFET驱动器
次级侧MOSFET是从Si9122经由从动
一个中心抽头脉冲变压器和逆变器驱动程序。该
从IC SRH和SRL波形示于
网络连接gure 3 。
重要的是，SRH和SRL之间的相对电压，
即认为其在整个脉冲的主呈现
变压器。当SRL和SRH的两个电位相等
然后由反相驱动的动作既次级
MOSFET的左边上。
振荡器
振荡器被设计成在额定频率下工作
500千赫。 500 kHz的工作频率允许转换器
以最小化电感器和电容器的尺寸，提高了功率
密度转换器。振荡器，因此
开关频率是可编程通过连接一个电阻来
第r
OSC
引脚。在超载情况下，振荡器频率
减小由电流过载保护，以使一个恒定
电流必须保持为低阻抗电路。
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