Si9122
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
输出高电压
输出低电压
升压电流
L
X
当前
峰值输出源
峰值输出灌
上升时间
下降时间
范围
40
至85℃
符号
V
OH
V
OL
I
BST
I
LX
I
来源
I
SINK
t
r
t
f
f
喃
= 500千赫，V
IN
= 72 V
V
INDET
= 7.2 V; 10 V
v
V
CC
v
13.2 V
民
b
V
BST
0.3
典型值
c
最大
b
单位
输出MOSFET驱动器DH （高边）
采购10毫安
下沉10毫安
V
LX
= 72 V, V
BST
= V
LX
+ V
CC
V
LX
= 72 V, V
BST
= V
LX
+ V
CC
V
CC
= 10 V
C
DH
= 3 nF的
1.3
1.1
0.75
1.9
0.7
1.0
1.0
35
35
V
LX
+ 0.3
2.7
0.4
0.75
V
mA
A
ns
输出MOSFET DLDriver （低端）
输出高电压
输出低电压
峰值输出源
峰值输出灌
上升时间
下降时间
V
OH
V
OL
I
来源
I
SINK
t
r
t
f
采购10毫安
下沉10毫安
V
CC
= 10 V
C
DL
= 3 nF的
1.0
0.75
1.0
35
35
V
CC
0.3
0.3
0.75
V
A
ns
同步整流（ SRH ， SRL ）驱动程序
输出高电压
输出低电压
V
OH
V
OL
t
BBM1
突破前先
先断后时间
f
t
BBM2
t
BBM3
t
BBM4
峰值输出源
峰值输出灌
上升时间
下降时间
I
来源
I
SINK
t
r
t
f
采购10毫安
下沉10毫安
T
A
= 25 ° C R
BBM
= 33千瓦
见图3
25_C,
千瓦，
T
A
= 25 ° C R
BBM
= 33千瓦L
X
= 72 V
25_C,R
千瓦，
V
CC
= 10 V
C
SRH
= C
SRL
= 0 3 nF的
0.3
55
40
35
55
100
100
35
35
mA
ns
ns
V
CC
0.4
0.4
V
电压模式
误差放大器器
t
d1DH
t
d2DL
输入高侧开关关闭
投入低边开关关闭
t200
t200
ns
电流模式
电流放大器
t
d3DH
t
d4DL
输入高侧开关关闭
投入低边开关关闭
t200
t200
ns
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值（ -40_到85_C ） 。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。 F
民
当V
CL_CONT
在钳位电平。典型的折返频率变化+ 20 ％ ，
30%
温度过高。
。测量SRL和SRH输出。
f.
参见图3为先开后合做时间的定义。
克。 V
UVLO
跟踪V
REG1
由一个二极管压降
小时。
BBM
可能需要降低噪声成BBM销用于非最佳布局。
文档编号： 71815
S- 41944 -REV 。女， 10月18日04
www.vishay.com
5
