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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第327页 > SI9122DQ-T1
Si9122
Vishay Siliconix公司
500 - kHz的半桥DC- DC转换器
集成二级同步整流驱动器
特点
D
12 V至72 V的输入电压范围
D
兼容ETSI 300 132-2
D
集成半桥主要驱动力
( 1 -A驱动能力)
D
次级同步信号采用可编程
死区时间延迟
D
电压模式控制
D
电压前馈补偿
D
高电压预调节器在启动期间运行
D
电流感应的低侧主设备
D
频率折返消除恒流尾巴
D
在启动过程中先进的最大电流控制和
负载短路
D
低输入电压检测
D
可编程软启动功能
D
过温保护
应用
D
网卡
D
电源模块
描述
Si9122是一款专用半桥IC非常适合固定
电信应用中,需要在低输出效率
电压(例如<3.3 Ⅴ) 。设计适用于固定运营
的33-72 V和电信电压范围内承受100伏,
100毫秒的瞬变,该IC能够控制和驱动
低和高侧开关的半桥器件
电路也控制对所述开关装置
桥的次级侧。由于非常低的导通电阻
辅助MOSFET的,在一个显著增加
效率可与现有相比,能够实现
肖特基二极管。次级装置的控制是借助于
脉冲变压器和一对反相器的。这样的系统
有效率大大超过90%,即使是低输出
电压。片内控制之间的死区时间延迟
初级和次级的同步信号保持效率
功率高,防止意外破坏
变压器。一个外部电阻设置开关频率
从200 kHz到600 kHz的。
Si9122有先进的电流监控电路
这使用户可以设定最大电流在初级
电路。这样的功能起到保护输出
短路,并提供恒定的电流大
在启动期间容性负载或并联时功率
耗材。电流检测是通过在感测电阻器的装置
低侧主设备。
功能框图
V
IN
D
1
BST
V
CC
CV
CC
EP
电压
信息
电压
控制
PWM
CS2
当前
控制
CS1
R
BBM
当前
SENSE
定时器
BBM
DRIVERS
SRH
半桥
同步
调节器
DRIVERS
t
D
L
(低)
R
S
脉冲
变压器
C
负载
预注册
C
BOOST
L
X
D
H
(高)
V
OUT
R
负载
+
C
VIN1
动力
变压器
To
V
CC
Si9122
SRL
OPTO
错误
AMP
1.215 V
图1 。
文档编号: 71815
S- 41944 -REV 。女, 10月18日04
www.vishay.com
1
Si9122
Vishay Siliconix公司
技术说明
Si9122是电压模式控制器,用于半桥
拓扑结构。用100 -V的耗尽型MOSFET的能力,则
Si9122能够直接从高压供电的
公交车到V
CC
通过外部PNP调整晶体管,或者可以是
通过外部稳压器通过直接供电
V
CC
引脚。与PWM控制, Si9122提供最高效率
在整个线路和负载范围内。为了简化
传统的次级同步整流, Si9122
提供了智能的栅极驱动信号来控制二次
的MOSFET。从独立的栅极驱动信号
控制器,变压器的设计不再受限制门
到MOSFET的源极评级。 Si9122提供恒定
V
GS
电压,与电源电压无关的栅极最小化
充损失以及传导损耗。一休前先
功能包括,以避免贯通电流或
变压器短路。可调歇前先时间
并入集成电路和可编程通过外部
电阻值。
Si9122被包装在
TSSOP -20和MLP65-20
包。
采用TSSOP - 20封装,标准和铅(Pb ) - 免费
可供选择。该MLP65-20包
铅(Pb ) - 免费。为了满足严格的环境
温度要求, Si9122的额定处理
工业温度范围为-40至+85 C 。当情况
出现这导致在初级快速增加(或
次级电流) ,例如在输出短路或起动用
较大的输出电容, PWM发生器的控制手
切换到电流环路。负载电流的监测是
由初级低压侧开关上的感测电阻器的装置。
详细的框图。
V
IN
V
CC
R
OSC
高边
司机
REG_COMP
预稳压器
V
REF
9.1 V
+
V
UVLO
BST
INT
D
H
L
X
8.8 V
V
FF
OSC
坡道
V
INDET
V
REF
132千瓦
60千瓦
EP
误差放大器器
+
V REF
2
+
+
V
UV
V
SD
550毫伏
+
PWM
比较
低端
司机
V
CC
D
L
保护地
司机
控制
定时
OTP
V
CC
SR
H
SYNC
驱动器高
V
CC
20
mA
SS
I
SS
8V
+
DET高峰
占空比
控制
CS2
CS1
SR
L
SYNC
驱动器低
过电流保护
GND
C
L_CONT
BBM
Si9122
图2中。
www.vishay.com
文档编号: 71815
S- 41944 -REV 。女, 10月18日04
2
Si9122
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值(参考GND = 0 V所有电压)
V
IN
(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75 V
V
IN
(100毫秒)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100 V
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14.5 V
V
BST
(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90 V
(100毫秒)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 115 V
V
LX
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75 V
V
BST
V
LX
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
V
REF
, R
OSC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
逻辑输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
模拟输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
HV预稳压器的输入电流(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125_C
功耗
a
TSSOP -20 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 850毫瓦
MLP65-20 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2500毫瓦
热阻抗(Q
JA
)
TSSOP-20
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75°C / W
MLP65-20
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38_C / W
笔记
一。设备安装在符合JEDEC 1S2P测试板..
B 。减额
14
毫瓦/°C, 25°C以上。
。减额
26
毫瓦/°C, 25°C以上。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
建议的操作范围(参考GND = 0 V所有电压)
V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12至72 V
C
VIN1
C
VIN2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
MF / ESR
v
100毫瓦, 0.1
mF
V
CC
操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 13.2 V
CV
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.7
mF
f
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200到600千赫
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24至72千瓦
R
BBM
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22至50千瓦
C
BBMh
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >680 pF的
C
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.7 nF的
C
REF
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.1
mF
C
BOOST
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.1
mF
C
负载
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
mF
模拟输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
2 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
参考电压输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至2.5毫安
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
参考( 3.3 V )
输出电压
短路电流
负载调整率
电源抑制
V
REF
I
SREF
DVR / DLR
PSRR
V
CC
= 12 V , 25_C负载= 0毫安
V
REF
= 0 V
I
REF
= 0到
2.5
mA
@ 100Hz的
30
60
3.2
3.3
3.4
50
75
V
mA
mV
dB
范围
40
至85℃
符号
f
= 500千赫,V
IN
= 72 V
kH
V
INDET
= 7.2 V; 10 V
v
V
CC
v
13.2 V
b
典型值
c
最大
b
单位
振荡器
精度(1 %R
OSC
)
最大频率
折返
频率
d
F
最大
F
FOBK
R
OSC
= 30千瓦,女
= 500千赫
R
OSC
= 24千瓦
f
= 500千赫,V
CS2
V
CS1
u
150毫伏
20
600
100
20
%
千赫
误差放大器器
输入偏置电流
收益
带宽
电源抑制
压摆率
I
BIAS
A
V
BW
PSRR
SR
@ 100Hz的
V
EP
= 0 V
40
2.2
5
60
0.5
15
mA
V/V
兆赫
dB
V / ms的
电流检测放大器
输入电压范围CM
输入放大器增益
输入放大器带宽
文档编号: 71815
S- 41944 -REV 。女, 10月18日04
V
CM
A
VOL
BW
V
CS1
GND ,V
CS2
GND
"150
17.5
5
mV
dB
兆赫
www.vishay.com
3
Si9122
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
电流检测放大器
放大器的输入失调电压
CL_CONT电流
较低的电流限制阈值
电流上限阈值
迟滞
CL_CONT钳位电平
C
L_CONT (分钟)
V
OS
dV
CS
= 0
I
CL_CONT
V
TLCL
V
THCL
dV
CS
= 100 mV的
dV
CS
= 170毫伏
I
PD
= I
PU
I
CL_CONT
= 0
参见图6
I
PD
u
2毫安
I
PU
t
500
mA
I
PU
= 500
mA
0.6
"5
120
0
u2
100
150
50
1.5
V
mV
V
mV
mA
mA
范围
40
至85℃
符号
f
= 500千赫,V
IN
= 72 V
V
INDET
= 7.2 V; 10 V
v
V
CC
v
13.2 V
b
典型值
c
最大
b
单位
PWM工作模式
D
最大
占空比
e
y y
D
f
OSC
= 500千赫
V
EP
= 0 V
V
EP
= 1.75 V
90
92
t15
3
95
%
V
CS2
V
CS1
u
150毫伏
预稳压器
输入电压
输入漏电流
调节偏置电流
Regulator_Comp
调节比较
预稳压器驱动Capacility
V
CC
P
预稳压牛逼
L T关闭
阈值电压
欠压锁定
V
UVLO
迟滞
g
+V
IN
I
LKG
I
REG1
I
REG2
I
来源
I
SINK
I
开始
V
REG1
V
REG2
V
UVLO
V
UVLOHYS
I
IN
= 10
mA
V
IN
= 72 V, V
CC
u
V
REG
V
IN
= 72 V, V
INDET
t
V
SD
V
IN
= 72 V, V
INDET
u
V
REF
V
CC
= 12 V
V
CC
t
V
REG
V
INDET
u
V
REF
V
INDET
= 0 V
V
CC
升起
7.15
T
A
= 25_C
8.1
T
A
= 25_C
29
50
20
7.4
8.5
9.1
9.1
9.2
8.8
8.8
0.5
9.8
9.3
10.4
9.7
V
86
8
19
82
72
10
200
14
9
110
V
mA
mA
mA
mA
软启动
软启动电流输出
软启动完成电压
I
SS
V
SS_COMP
启动条件
正常工作
12
7.35
20
8.05
28
8.85
mA
V
关闭
V
INDET
关闭FN
V
INDET
迟滞
V
SD
V
INDET
升起
V
INDET
350
550
200
720
mV
V
INDET
输入阈值电压
V
INDET
V
IN
欠压
V
INDET
迟滞
V
UV
V
INDET
升起
V
INDET
3.13
3.3
0.3
3.46
V
过温保护
活化温度
去活化温度
T
J
增加
T
J
减少
160
130
_C
转换器电源电流(V
CC
)
关闭
开关禁用
开关W / O负载
用C开关
负载
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
关机,V
INDET
= 0 V
V
INDET
t
V
REF
V
INDET
u
V
REF
, f
= 500千赫
V
CC
= 12 V ,C
DH
= C
DL
= 3 nF的
C
SRH
= C
SRL
= 0.3 nF的
50
4
5
8
10
21
350
12
14
mA
mA
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4
文档编号: 71815
S- 41944 -REV 。女, 10月18日04
Si9122
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
输出高电压
输出低电压
升压电流
L
X
当前
峰值输出源
峰值输出灌
上升时间
下降时间
范围
40
至85℃
符号
V
OH
V
OL
I
BST
I
LX
I
来源
I
SINK
t
r
t
f
f
= 500千赫,V
IN
= 72 V
V
INDET
= 7.2 V; 10 V
v
V
CC
v
13.2 V
b
V
BST
0.3
典型值
c
最大
b
单位
输出MOSFET驱动器DH (高边)
采购10毫安
下沉10毫安
V
LX
= 72 V, V
BST
= V
LX
+ V
CC
V
LX
= 72 V, V
BST
= V
LX
+ V
CC
V
CC
= 10 V
C
DH
= 3 nF的
1.3
1.1
0.75
1.9
0.7
1.0
1.0
35
35
V
LX
+ 0.3
2.7
0.4
0.75
V
mA
A
ns
输出MOSFET DLDriver (低端)
输出高电压
输出低电压
峰值输出源
峰值输出灌
上升时间
下降时间
V
OH
V
OL
I
来源
I
SINK
t
r
t
f
采购10毫安
下沉10毫安
V
CC
= 10 V
C
DL
= 3 nF的
1.0
0.75
1.0
35
35
V
CC
0.3
0.3
0.75
V
A
ns
同步整流( SRH , SRL )驱动程序
输出高电压
输出低电压
V
OH
V
OL
t
BBM1
突破前先
先断后时间
f
t
BBM2
t
BBM3
t
BBM4
峰值输出源
峰值输出灌
上升时间
下降时间
I
来源
I
SINK
t
r
t
f
采购10毫安
下沉10毫安
T
A
= 25 ° C R
BBM
= 33千瓦
见图3
25_C,
千瓦,
T
A
= 25 ° C R
BBM
= 33千瓦L
X
= 72 V
25_C,R
千瓦,
V
CC
= 10 V
C
SRH
= C
SRL
= 0 3 nF的
0.3
55
40
35
55
100
100
35
35
mA
ns
ns
V
CC
0.4
0.4
V
电压模式
误差放大器器
t
d1DH
t
d2DL
输入高侧开关关闭
投入低边开关关闭
t200
t200
ns
电流模式
电流放大器
t
d3DH
t
d4DL
输入高侧开关关闭
投入低边开关关闭
t200
t200
ns
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值( -40_到85_C ) 。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。 F
当V
CL_CONT
在钳位电平。典型的折返频率变化+ 20 % ,
30%
温度过高。
。测量SRL和SRH输出。
f.
参见图3为先开后合做时间的定义。
克。 V
UVLO
跟踪V
REG1
由一个二极管压降
小时。
BBM
可能需要降低噪声成BBM销用于非最佳布局。
文档编号: 71815
S- 41944 -REV 。女, 10月18日04
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Si9122
Vishay Siliconix公司
500 - kHz的半桥DC- DC转换器
集成二级同步整流驱动器
特点
D
12 V至72 V的输入电压范围
D
兼容ETSI 300 132-2
D
集成半桥主要驱动力
( 1 -A驱动能力)
D
次级同步信号采用可编程
死区时间延迟
D
电压模式控制
D
电压前馈补偿
D
高电压预调节器在启动期间运行
D
电流感应的低侧主设备
D
频率折返消除恒流尾巴
D
在启动过程中先进的最大电流控制和
负载短路
D
低输入电压检测
D
可编程软启动功能
D
过温保护
应用
D
网卡
D
电源模块
描述
Si9122是一款专用半桥IC非常适合固定
电信应用中,需要在低输出效率
电压(例如<3.3 Ⅴ) 。设计适用于固定运营
的33-72 V和电信电压范围内承受100伏,
100毫秒的瞬变,该IC能够控制和驱动
低和高侧开关的半桥器件
电路也控制对所述开关装置
桥的次级侧。由于非常低的导通电阻
辅助MOSFET的,在一个显著增加
效率可与现有相比,能够实现
肖特基二极管。次级装置的控制是借助于
脉冲变压器和一对反相器的。这样的系统
有效率大大超过90%,即使是低输出
电压。片内控制之间的死区时间延迟
初级和次级的同步信号保持效率
功率高,防止意外破坏
变压器。一个外部电阻设置开关频率
从200 kHz到600 kHz的。
Si9122有先进的电流监控电路
这使用户可以设定最大电流在初级
电路。这样的功能起到保护输出
短路,并提供恒定的电流大
在启动期间容性负载或并联时功率
耗材。电流检测是通过在感测电阻器的装置
低侧主设备。
功能框图
V
IN
D
1
BST
V
CC
CV
CC
EP
电压
信息
电压
控制
PWM
CS2
当前
控制
CS1
R
BBM
当前
SENSE
定时器
BBM
DRIVERS
SRH
半桥
同步
调节器
DRIVERS
t
D
L
(低)
R
S
脉冲
变压器
C
负载
预注册
C
BOOST
L
X
D
H
(高)
V
OUT
R
负载
+
C
VIN1
动力
变压器
To
V
CC
Si9122
SRL
OPTO
错误
AMP
1.215 V
图1 。
文档编号: 71815
S- 41944 -REV 。女, 10月18日04
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1
Si9122
Vishay Siliconix公司
技术说明
Si9122是电压模式控制器,用于半桥
拓扑结构。用100 -V的耗尽型MOSFET的能力,则
Si9122能够直接从高压供电的
公交车到V
CC
通过外部PNP调整晶体管,或者可以是
通过外部稳压器通过直接供电
V
CC
引脚。与PWM控制, Si9122提供最高效率
在整个线路和负载范围内。为了简化
传统的次级同步整流, Si9122
提供了智能的栅极驱动信号来控制二次
的MOSFET。从独立的栅极驱动信号
控制器,变压器的设计不再受限制门
到MOSFET的源极评级。 Si9122提供恒定
V
GS
电压,与电源电压无关的栅极最小化
充损失以及传导损耗。一休前先
功能包括,以避免贯通电流或
变压器短路。可调歇前先时间
并入集成电路和可编程通过外部
电阻值。
Si9122被包装在
TSSOP -20和MLP65-20
包。
采用TSSOP - 20封装,标准和铅(Pb ) - 免费
可供选择。该MLP65-20包
铅(Pb ) - 免费。为了满足严格的环境
温度要求, Si9122的额定处理
工业温度范围为-40至+85 C 。当情况
出现这导致在初级快速增加(或
次级电流) ,例如在输出短路或起动用
较大的输出电容, PWM发生器的控制手
切换到电流环路。负载电流的监测是
由初级低压侧开关上的感测电阻器的装置。
详细的框图。
V
IN
V
CC
R
OSC
高边
司机
REG_COMP
预稳压器
V
REF
9.1 V
+
V
UVLO
BST
INT
D
H
L
X
8.8 V
V
FF
OSC
坡道
V
INDET
V
REF
132千瓦
60千瓦
EP
误差放大器器
+
V REF
2
+
+
V
UV
V
SD
550毫伏
+
PWM
比较
低端
司机
V
CC
D
L
保护地
司机
控制
定时
OTP
V
CC
SR
H
SYNC
驱动器高
V
CC
20
mA
SS
I
SS
8V
+
DET高峰
占空比
控制
CS2
CS1
SR
L
SYNC
驱动器低
过电流保护
GND
C
L_CONT
BBM
Si9122
图2中。
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文档编号: 71815
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2
Si9122
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绝对最大额定值(参考GND = 0 V所有电压)
V
IN
(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75 V
V
IN
(100毫秒)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100 V
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14.5 V
V
BST
(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90 V
(100毫秒)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 115 V
V
LX
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75 V
V
BST
V
LX
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
V
REF
, R
OSC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
逻辑输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
模拟输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
HV预稳压器的输入电流(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125_C
功耗
a
TSSOP -20 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 850毫瓦
MLP65-20 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2500毫瓦
热阻抗(Q
JA
)
TSSOP-20
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75°C / W
MLP65-20
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38_C / W
笔记
一。设备安装在符合JEDEC 1S2P测试板..
B 。减额
14
毫瓦/°C, 25°C以上。
。减额
26
毫瓦/°C, 25°C以上。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
建议的操作范围(参考GND = 0 V所有电压)
V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12至72 V
C
VIN1
C
VIN2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
MF / ESR
v
100毫瓦, 0.1
mF
V
CC
操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 13.2 V
CV
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.7
mF
f
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200到600千赫
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24至72千瓦
R
BBM
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22至50千瓦
C
BBMh
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >680 pF的
C
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.7 nF的
C
REF
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.1
mF
C
BOOST
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.1
mF
C
负载
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
mF
模拟输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
2 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
参考电压输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至2.5毫安
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
参考( 3.3 V )
输出电压
短路电流
负载调整率
电源抑制
V
REF
I
SREF
DVR / DLR
PSRR
V
CC
= 12 V , 25_C负载= 0毫安
V
REF
= 0 V
I
REF
= 0到
2.5
mA
@ 100Hz的
30
60
3.2
3.3
3.4
50
75
V
mA
mV
dB
范围
40
至85℃
符号
f
= 500千赫,V
IN
= 72 V
kH
V
INDET
= 7.2 V; 10 V
v
V
CC
v
13.2 V
b
典型值
c
最大
b
单位
振荡器
精度(1 %R
OSC
)
最大频率
折返
频率
d
F
最大
F
FOBK
R
OSC
= 30千瓦,女
= 500千赫
R
OSC
= 24千瓦
f
= 500千赫,V
CS2
V
CS1
u
150毫伏
20
600
100
20
%
千赫
误差放大器器
输入偏置电流
收益
带宽
电源抑制
压摆率
I
BIAS
A
V
BW
PSRR
SR
@ 100Hz的
V
EP
= 0 V
40
2.2
5
60
0.5
15
mA
V/V
兆赫
dB
V / ms的
电流检测放大器
输入电压范围CM
输入放大器增益
输入放大器带宽
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V
CM
A
VOL
BW
V
CS1
GND ,V
CS2
GND
"150
17.5
5
mV
dB
兆赫
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3
Si9122
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
电流检测放大器
放大器的输入失调电压
CL_CONT电流
较低的电流限制阈值
电流上限阈值
迟滞
CL_CONT钳位电平
C
L_CONT (分钟)
V
OS
dV
CS
= 0
I
CL_CONT
V
TLCL
V
THCL
dV
CS
= 100 mV的
dV
CS
= 170毫伏
I
PD
= I
PU
I
CL_CONT
= 0
参见图6
I
PD
u
2毫安
I
PU
t
500
mA
I
PU
= 500
mA
0.6
"5
120
0
u2
100
150
50
1.5
V
mV
V
mV
mA
mA
范围
40
至85℃
符号
f
= 500千赫,V
IN
= 72 V
V
INDET
= 7.2 V; 10 V
v
V
CC
v
13.2 V
b
典型值
c
最大
b
单位
PWM工作模式
D
最大
占空比
e
y y
D
f
OSC
= 500千赫
V
EP
= 0 V
V
EP
= 1.75 V
90
92
t15
3
95
%
V
CS2
V
CS1
u
150毫伏
预稳压器
输入电压
输入漏电流
调节偏置电流
Regulator_Comp
调节比较
预稳压器驱动Capacility
V
CC
P
预稳压牛逼
L T关闭
阈值电压
欠压锁定
V
UVLO
迟滞
g
+V
IN
I
LKG
I
REG1
I
REG2
I
来源
I
SINK
I
开始
V
REG1
V
REG2
V
UVLO
V
UVLOHYS
I
IN
= 10
mA
V
IN
= 72 V, V
CC
u
V
REG
V
IN
= 72 V, V
INDET
t
V
SD
V
IN
= 72 V, V
INDET
u
V
REF
V
CC
= 12 V
V
CC
t
V
REG
V
INDET
u
V
REF
V
INDET
= 0 V
V
CC
升起
7.15
T
A
= 25_C
8.1
T
A
= 25_C
29
50
20
7.4
8.5
9.1
9.1
9.2
8.8
8.8
0.5
9.8
9.3
10.4
9.7
V
86
8
19
82
72
10
200
14
9
110
V
mA
mA
mA
mA
软启动
软启动电流输出
软启动完成电压
I
SS
V
SS_COMP
启动条件
正常工作
12
7.35
20
8.05
28
8.85
mA
V
关闭
V
INDET
关闭FN
V
INDET
迟滞
V
SD
V
INDET
升起
V
INDET
350
550
200
720
mV
V
INDET
输入阈值电压
V
INDET
V
IN
欠压
V
INDET
迟滞
V
UV
V
INDET
升起
V
INDET
3.13
3.3
0.3
3.46
V
过温保护
活化温度
去活化温度
T
J
增加
T
J
减少
160
130
_C
转换器电源电流(V
CC
)
关闭
开关禁用
开关W / O负载
用C开关
负载
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
关机,V
INDET
= 0 V
V
INDET
t
V
REF
V
INDET
u
V
REF
, f
= 500千赫
V
CC
= 12 V ,C
DH
= C
DL
= 3 nF的
C
SRH
= C
SRL
= 0.3 nF的
50
4
5
8
10
21
350
12
14
mA
mA
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Si9122
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特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
输出高电压
输出低电压
升压电流
L
X
当前
峰值输出源
峰值输出灌
上升时间
下降时间
范围
40
至85℃
符号
V
OH
V
OL
I
BST
I
LX
I
来源
I
SINK
t
r
t
f
f
= 500千赫,V
IN
= 72 V
V
INDET
= 7.2 V; 10 V
v
V
CC
v
13.2 V
b
V
BST
0.3
典型值
c
最大
b
单位
输出MOSFET驱动器DH (高边)
采购10毫安
下沉10毫安
V
LX
= 72 V, V
BST
= V
LX
+ V
CC
V
LX
= 72 V, V
BST
= V
LX
+ V
CC
V
CC
= 10 V
C
DH
= 3 nF的
1.3
1.1
0.75
1.9
0.7
1.0
1.0
35
35
V
LX
+ 0.3
2.7
0.4
0.75
V
mA
A
ns
输出MOSFET DLDriver (低端)
输出高电压
输出低电压
峰值输出源
峰值输出灌
上升时间
下降时间
V
OH
V
OL
I
来源
I
SINK
t
r
t
f
采购10毫安
下沉10毫安
V
CC
= 10 V
C
DL
= 3 nF的
1.0
0.75
1.0
35
35
V
CC
0.3
0.3
0.75
V
A
ns
同步整流( SRH , SRL )驱动程序
输出高电压
输出低电压
V
OH
V
OL
t
BBM1
突破前先
先断后时间
f
t
BBM2
t
BBM3
t
BBM4
峰值输出源
峰值输出灌
上升时间
下降时间
I
来源
I
SINK
t
r
t
f
采购10毫安
下沉10毫安
T
A
= 25 ° C R
BBM
= 33千瓦
见图3
25_C,
千瓦,
T
A
= 25 ° C R
BBM
= 33千瓦L
X
= 72 V
25_C,R
千瓦,
V
CC
= 10 V
C
SRH
= C
SRL
= 0 3 nF的
0.3
55
40
35
55
100
100
35
35
mA
ns
ns
V
CC
0.4
0.4
V
电压模式
误差放大器器
t
d1DH
t
d2DL
输入高侧开关关闭
投入低边开关关闭
t200
t200
ns
电流模式
电流放大器
t
d3DH
t
d4DL
输入高侧开关关闭
投入低边开关关闭
t200
t200
ns
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值( -40_到85_C ) 。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。 F
当V
CL_CONT
在钳位电平。典型的折返频率变化+ 20 % ,
30%
温度过高。
。测量SRL和SRH输出。
f.
参见图3为先开后合做时间的定义。
克。 V
UVLO
跟踪V
REG1
由一个二极管压降
小时。
BBM
可能需要降低噪声成BBM销用于非最佳布局。
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Si9122
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500 - kHz的半桥DC- DC转换器
集成二级同步整流驱动器
特点
D
12 V至72 V的输入电压范围
D
兼容ETSI 300 132-2
D
集成半桥主要驱动力
( 1 -A驱动能力)
D
次级同步信号采用可编程
死区时间延迟
D
电压模式控制
D
电压前馈补偿
D
高电压预调节器在启动期间运行
D
电流感应的低侧主设备
D
频率折返消除恒流尾巴
D
在启动过程中先进的最大电流控制和
负载短路
D
低输入电压检测
D
可编程软启动功能
D
过温保护
应用
D
网卡
D
电源模块
描述
Si9122是一款专用半桥IC非常适合固定
电信应用中,需要在低输出效率
电压(例如<3.3 Ⅴ) 。设计适用于固定运营
的33-72 V和电信电压范围内承受100伏,
100毫秒的瞬变,该IC能够控制和驱动
低和高侧开关的半桥器件
电路也控制对所述开关装置
桥的次级侧。由于非常低的导通电阻
辅助MOSFET的,在一个显著增加
效率可与现有相比,能够实现
肖特基二极管。次级装置的控制是借助于
脉冲变压器和一对反相器的。这样的系统
有效率大大超过90%,即使是低输出
电压。片内控制之间的死区时间延迟
初级和次级的同步信号保持效率
功率高,防止意外破坏
变压器。一个外部电阻设置开关频率
从200 kHz到600 kHz的。
Si9122有先进的电流监控电路
这使用户可以设定最大电流在初级
电路。这样的功能起到保护输出
短路,并提供恒定的电流大
在启动期间容性负载或并联时功率
耗材。电流检测是通过在感测电阻器的装置
低侧主设备。
功能框图
V
IN
D
1
BST
V
CC
CV
CC
EP
电压
信息
电压
控制
PWM
CS2
当前
控制
CS1
R
BBM
当前
SENSE
定时器
BBM
DRIVERS
SRH
半桥
同步
调节器
DRIVERS
t
D
L
(低)
R
S
脉冲
变压器
C
负载
预注册
C
BOOST
L
X
D
H
(高)
V
OUT
R
负载
+
C
VIN1
动力
变压器
To
V
CC
Si9122
SRL
OPTO
错误
AMP
1.215 V
图1 。
文档编号: 71815
S- 41944 -REV 。女, 10月18日04
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1
Si9122
Vishay Siliconix公司
技术说明
Si9122是电压模式控制器,用于半桥
拓扑结构。用100 -V的耗尽型MOSFET的能力,则
Si9122能够直接从高压供电的
公交车到V
CC
通过外部PNP调整晶体管,或者可以是
通过外部稳压器通过直接供电
V
CC
引脚。与PWM控制, Si9122提供最高效率
在整个线路和负载范围内。为了简化
传统的次级同步整流, Si9122
提供了智能的栅极驱动信号来控制二次
的MOSFET。从独立的栅极驱动信号
控制器,变压器的设计不再受限制门
到MOSFET的源极评级。 Si9122提供恒定
V
GS
电压,与电源电压无关的栅极最小化
充损失以及传导损耗。一休前先
功能包括,以避免贯通电流或
变压器短路。可调歇前先时间
并入集成电路和可编程通过外部
电阻值。
Si9122被包装在
TSSOP -20和MLP65-20
包。
采用TSSOP - 20封装,标准和铅(Pb ) - 免费
可供选择。该MLP65-20包
铅(Pb ) - 免费。为了满足严格的环境
温度要求, Si9122的额定处理
工业温度范围为-40至+85 C 。当情况
出现这导致在初级快速增加(或
次级电流) ,例如在输出短路或起动用
较大的输出电容, PWM发生器的控制手
切换到电流环路。负载电流的监测是
由初级低压侧开关上的感测电阻器的装置。
详细的框图。
V
IN
V
CC
R
OSC
高边
司机
REG_COMP
预稳压器
V
REF
9.1 V
+
V
UVLO
BST
INT
D
H
L
X
8.8 V
V
FF
OSC
坡道
V
INDET
V
REF
132千瓦
60千瓦
EP
误差放大器器
+
V REF
2
+
+
V
UV
V
SD
550毫伏
+
PWM
比较
低端
司机
V
CC
D
L
保护地
司机
控制
定时
OTP
V
CC
SR
H
SYNC
驱动器高
V
CC
20
mA
SS
I
SS
8V
+
DET高峰
占空比
控制
CS2
CS1
SR
L
SYNC
驱动器低
过电流保护
GND
C
L_CONT
BBM
Si9122
图2中。
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2
Si9122
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绝对最大额定值(参考GND = 0 V所有电压)
V
IN
(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75 V
V
IN
(100毫秒)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100 V
V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14.5 V
V
BST
(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 90 V
(100毫秒)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 115 V
V
LX
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75 V
V
BST
V
LX
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V
V
REF
, R
OSC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
逻辑输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
模拟输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
CC
+ 0.3 V
HV预稳压器的输入电流(连续) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
至150℃
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125_C
功耗
a
TSSOP -20 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 850毫瓦
MLP65-20 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2500毫瓦
热阻抗(Q
JA
)
TSSOP-20
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75°C / W
MLP65-20
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38_C / W
笔记
一。设备安装在符合JEDEC 1S2P测试板..
B 。减额
14
毫瓦/°C, 25°C以上。
。减额
26
毫瓦/°C, 25°C以上。
超出“绝对最大额定值”,强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数,功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
建议的操作范围(参考GND = 0 V所有电压)
V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12至72 V
C
VIN1
C
VIN2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
MF / ESR
v
100毫瓦, 0.1
mF
V
CC
操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 13.2 V
CV
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.7
mF
f
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200到600千赫
R
OSC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24至72千瓦
R
BBM
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22至50千瓦
C
BBMh
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 >680 pF的
C
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.7 nF的
C
REF
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.1
mF
C
BOOST
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.1
mF
C
负载
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
mF
模拟输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
2 V
数字输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0到V
CC
参考电压输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0至2.5毫安
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
参考( 3.3 V )
输出电压
短路电流
负载调整率
电源抑制
V
REF
I
SREF
DVR / DLR
PSRR
V
CC
= 12 V , 25_C负载= 0毫安
V
REF
= 0 V
I
REF
= 0到
2.5
mA
@ 100Hz的
30
60
3.2
3.3
3.4
50
75
V
mA
mV
dB
范围
40
至85℃
符号
f
= 500千赫,V
IN
= 72 V
kH
V
INDET
= 7.2 V; 10 V
v
V
CC
v
13.2 V
b
典型值
c
最大
b
单位
振荡器
精度(1 %R
OSC
)
最大频率
折返
频率
d
F
最大
F
FOBK
R
OSC
= 30千瓦,女
= 500千赫
R
OSC
= 24千瓦
f
= 500千赫,V
CS2
V
CS1
u
150毫伏
20
600
100
20
%
千赫
误差放大器器
输入偏置电流
收益
带宽
电源抑制
压摆率
I
BIAS
A
V
BW
PSRR
SR
@ 100Hz的
V
EP
= 0 V
40
2.2
5
60
0.5
15
mA
V/V
兆赫
dB
V / ms的
电流检测放大器
输入电压范围CM
输入放大器增益
输入放大器带宽
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V
CM
A
VOL
BW
V
CS1
GND ,V
CS2
GND
"150
17.5
5
mV
dB
兆赫
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Si9122
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
电流检测放大器
放大器的输入失调电压
CL_CONT电流
较低的电流限制阈值
电流上限阈值
迟滞
CL_CONT钳位电平
C
L_CONT (分钟)
V
OS
dV
CS
= 0
I
CL_CONT
V
TLCL
V
THCL
dV
CS
= 100 mV的
dV
CS
= 170毫伏
I
PD
= I
PU
I
CL_CONT
= 0
参见图6
I
PD
u
2毫安
I
PU
t
500
mA
I
PU
= 500
mA
0.6
"5
120
0
u2
100
150
50
1.5
V
mV
V
mV
mA
mA
范围
40
至85℃
符号
f
= 500千赫,V
IN
= 72 V
V
INDET
= 7.2 V; 10 V
v
V
CC
v
13.2 V
b
典型值
c
最大
b
单位
PWM工作模式
D
最大
占空比
e
y y
D
f
OSC
= 500千赫
V
EP
= 0 V
V
EP
= 1.75 V
90
92
t15
3
95
%
V
CS2
V
CS1
u
150毫伏
预稳压器
输入电压
输入漏电流
调节偏置电流
Regulator_Comp
调节比较
预稳压器驱动Capacility
V
CC
P
预稳压牛逼
L T关闭
阈值电压
欠压锁定
V
UVLO
迟滞
g
+V
IN
I
LKG
I
REG1
I
REG2
I
来源
I
SINK
I
开始
V
REG1
V
REG2
V
UVLO
V
UVLOHYS
I
IN
= 10
mA
V
IN
= 72 V, V
CC
u
V
REG
V
IN
= 72 V, V
INDET
t
V
SD
V
IN
= 72 V, V
INDET
u
V
REF
V
CC
= 12 V
V
CC
t
V
REG
V
INDET
u
V
REF
V
INDET
= 0 V
V
CC
升起
7.15
T
A
= 25_C
8.1
T
A
= 25_C
29
50
20
7.4
8.5
9.1
9.1
9.2
8.8
8.8
0.5
9.8
9.3
10.4
9.7
V
86
8
19
82
72
10
200
14
9
110
V
mA
mA
mA
mA
软启动
软启动电流输出
软启动完成电压
I
SS
V
SS_COMP
启动条件
正常工作
12
7.35
20
8.05
28
8.85
mA
V
关闭
V
INDET
关闭FN
V
INDET
迟滞
V
SD
V
INDET
升起
V
INDET
350
550
200
720
mV
V
INDET
输入阈值电压
V
INDET
V
IN
欠压
V
INDET
迟滞
V
UV
V
INDET
升起
V
INDET
3.13
3.3
0.3
3.46
V
过温保护
活化温度
去活化温度
T
J
增加
T
J
减少
160
130
_C
转换器电源电流(V
CC
)
关闭
开关禁用
开关W / O负载
用C开关
负载
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
关机,V
INDET
= 0 V
V
INDET
t
V
REF
V
INDET
u
V
REF
, f
= 500千赫
V
CC
= 12 V ,C
DH
= C
DL
= 3 nF的
C
SRH
= C
SRL
= 0.3 nF的
50
4
5
8
10
21
350
12
14
mA
mA
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Si9122
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特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
输出高电压
输出低电压
升压电流
L
X
当前
峰值输出源
峰值输出灌
上升时间
下降时间
范围
40
至85℃
符号
V
OH
V
OL
I
BST
I
LX
I
来源
I
SINK
t
r
t
f
f
= 500千赫,V
IN
= 72 V
V
INDET
= 7.2 V; 10 V
v
V
CC
v
13.2 V
b
V
BST
0.3
典型值
c
最大
b
单位
输出MOSFET驱动器DH (高边)
采购10毫安
下沉10毫安
V
LX
= 72 V, V
BST
= V
LX
+ V
CC
V
LX
= 72 V, V
BST
= V
LX
+ V
CC
V
CC
= 10 V
C
DH
= 3 nF的
1.3
1.1
0.75
1.9
0.7
1.0
1.0
35
35
V
LX
+ 0.3
2.7
0.4
0.75
V
mA
A
ns
输出MOSFET DLDriver (低端)
输出高电压
输出低电压
峰值输出源
峰值输出灌
上升时间
下降时间
V
OH
V
OL
I
来源
I
SINK
t
r
t
f
采购10毫安
下沉10毫安
V
CC
= 10 V
C
DL
= 3 nF的
1.0
0.75
1.0
35
35
V
CC
0.3
0.3
0.75
V
A
ns
同步整流( SRH , SRL )驱动程序
输出高电压
输出低电压
V
OH
V
OL
t
BBM1
突破前先
先断后时间
f
t
BBM2
t
BBM3
t
BBM4
峰值输出源
峰值输出灌
上升时间
下降时间
I
来源
I
SINK
t
r
t
f
采购10毫安
下沉10毫安
T
A
= 25 ° C R
BBM
= 33千瓦
见图3
25_C,
千瓦,
T
A
= 25 ° C R
BBM
= 33千瓦L
X
= 72 V
25_C,R
千瓦,
V
CC
= 10 V
C
SRH
= C
SRL
= 0 3 nF的
0.3
55
40
35
55
100
100
35
35
mA
ns
ns
V
CC
0.4
0.4
V
电压模式
误差放大器器
t
d1DH
t
d2DL
输入高侧开关关闭
投入低边开关关闭
t200
t200
ns
电流模式
电流放大器
t
d3DH
t
d4DL
输入高侧开关关闭
投入低边开关关闭
t200
t200
ns
笔记
一。请参阅过程的期权流程图更多的信息。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值( -40_到85_C ) 。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。 F
当V
CL_CONT
在钳位电平。典型的折返频率变化+ 20 % ,
30%
温度过高。
。测量SRL和SRH输出。
f.
参见图3为先开后合做时间的定义。
克。 V
UVLO
跟踪V
REG1
由一个二极管压降
小时。
BBM
可能需要降低噪声成BBM销用于非最佳布局。
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