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智能3高级启动块，字宽
经过任何程序或块擦除操作
完整的（即使在V
PP
过渡下来
V
PPLK
） ，崔必须复位到读阵列模式
通过读阵列命令，如果可以访问Flash
存储器阵列是理想的。
请参阅
AP- 617的其它Flash数据保护
采用V
PP
， RP ＃和WP ＃
对于一个电路级
如何实现保护说明
计划中的第3.5节中讨论。
瞬态电流大小取决于设备
输出'容性和感性负载。两线
控制和适当的去耦电容的选择
将抑制这些瞬态电压峰值。每
闪存设备应该有一个0.1 μF的陶瓷
电容连接各V之间
CC
和GND
和V之间
PP
和GND 。这些高
频率，固有的低电感电容
应放在尽可能接近的
封装引线。
3.7.1
V
PP
微量元素对印刷电路
板
E
3.7
电源去耦
闪存存储器的电源开关特性
需要小心的设备去耦。系统
设计者应考虑三个电源电流
问题：
1.待机电流水平（我
CCS
)
2.活动目前的水平（我
CCR
)
由上升沿和生产3.瞬态峰值
的CE＃边缘。
设计用于在系统写入到闪存
需要特别考虑的V
PP
动力
电源走线的印刷电路板设计。
在V
PP
针供给的快闪存储器单元的电流
编程和擦除。 V
PP
走线宽度和
布局应该是相似的V
CC
。充足
V
PP
电源走线，和去耦电容
相邻放置的组件，将减小
尖峰和过冲。
28
初步
