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智能3高级启动块，字宽
E
V
PP
X
V
IL
WP ＃
X
X
V
IL
V
IH
RP ＃
V
IL
V
IH
V
IH
V
IH
写保护
提供
所有的块锁定
所有的块锁定
可锁块
锁定
所有块解锁
3.3
块锁定
智能3高级启动区块快闪记忆体
建筑特色
两
硬件上锁
参数块，使得对所述内核代码
系统可以保持安全的，而其他参数
块进行编程或擦除需要。
3.3.1
V
PP
= V
IL
有关完整
保护
12V的V
PP
模式提高编程
在较短的时间段通常表现
在制造过程中发现的;然而，它是
不打算长期使用。 12V可被应用于
到V
PP
在一个程序和擦除操作
在主块的最大的1000个循环和
2500周期的参数块。 V
PP
可能是
连接到12V ，总共最多80小时。
强调超越这些限制的设备可能会导致
永久性损坏。
表8.写保护真值表
高级启动块闪存系列
在V
PP
编程电压可以保持低
所有块的闪存完整的写保护
装置。当V
PP
低于V
PPLK
任何程序或
擦除操作会导致错误，提示
相应的状态寄存器位（ SR.3）进行设置。
3.3.2
WP ＃ = V
IL
为块锁定
可锁块被锁定时， WP ＃ = V
IL
;
任何编程或擦除操作以锁定块
会导致错误，这将反映在
状态寄存器。对于顶级配置，前两名
参数块（块＃ 37和＃ 38的
16兆位，块＃ 21和＃ 22的8 - Mb和
块＃ 13和＃ 14的4兆位）的上锁。为
底部结构，底部的两个参数
块（块＃ 0和＃1为4- / 8- / 16兆位）是
上锁。解锁块进行编程或
通常被删除（除非V
PP
低于V
PPLK
).
3.3.3
WP ＃ = V
IH
座解锁
≥
V
PPLK
≥
V
PPLK
3.5
耗电量
WP ＃ = V
IH
所有解锁上锁块。
这些模块现在可以进行编程或擦除。
请注意， RP ＃不覆盖WP ＃锁定在
以前的引导块设备。 WP＃控制所有块
锁定和V
PP
提供保护，防止
误写。表8定义的写保护
的方法。
在操作过程中，闪光装置消耗
有功功率。不过，英特尔闪存设备有
三个层次的方法来节省功耗，可以
显著降低整体系统功耗
消费。自动省电（ APS ）
功能可降低功耗，当
设备处于空闲状态。如果CE ＃被拉高，闪光
进入待机模式，其中电流
消耗更低。如果RP ＃ = V
IL
闪存
进入深度掉电模式，其中电流
在最低限度。这些功能的结合
可以最大限度地降低整体内存的功耗，
因此，整个系统的功耗。
3.5.1
有功
3.4
V
PP
编程和擦除
电压
英特尔的智能3产品在系统提供
编程和擦除，在2.7V - 3.6V V
PP
。为
客户需要快速的编程在他们的
制造环境中，智能3包括
额外的成本低，向后兼容12V
编程功能。
26
随着CE＃为逻辑低电平，并在逻辑电RP ＃
高电平时，设备处于活动模式。请参阅
因为我的DC特性表
CC
的电流值。
有功功率是最大的贡献者整体
系统的功耗。尽量减少活动
目前可能对系统产生深远的影响
功率消耗，尤其是对于电池供电的
设备。
初步
