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28F004 / 400B3 ， 28F008 / 800B3 ， 28F016 / 160B3 ， 28F320B3 ， 28F640B3
读状态寄存器，以确定该系列的过程中发生了错误。清除状态
开始另一个命令或序列之前注册。注意，再次的读阵列
必须发出命令之前，数据可以从存储器阵列读出。
3.2.4
编程模式
编程是使用双写序列执行。程序设置命令（ 40H ）是
写入到崔后跟一个第二写入指定的地址和数据被
编程。该WSM将执行的内部定时事件进行编程所需的比特序列
所寻址的位置，然后验证该位被充分地进行编程。编程
在内的地址位置的特定位存储结果被改变为“0”。如果用户
尝试编程“1”时，存储单元的内容不会改变并且不会发生错误。
状态寄存器指示编程状态：程序顺序执行时，状态位7
为“0”状态寄存器可通过切换CE＃或OE ＃进行查询。在编程中，
唯一有效的命令是读状态寄存器，程序挂起和恢复计划。
当编程完成后，程序状态位应该进行检查。如果编程
操作不成功时，状态寄存器的位SR.4被设置为指示一个程序失败。如果
SR.3被设置，那么V
PP
不是在可接受的限度，并且WSM未执行该程序
命令。如果SR.1被设置，在编程操作时试图锁定块和操作上
被中止。
状态寄存器应该尝试下一个操作之前，必须清除。崔任何指令可以
遵循程序完成后，然而，为了防止意外的状态寄存器读取，是
一定要重置崔读阵列模式。
3.2.4.1
暂停和恢复计划
本程序的挂起暂停正在进行中的程序操作，以从另一个位置读取数据
内存。一旦编程过程开始，在写程序的暂停命令到CUI
该WSM暂停程序执行的顺序（在预定点在程序的请求
算法）。该设备将继续输出状态寄存器的数据后，程序暂停命令
被写入。查询状态寄存器的位SR.7和SR.2将决定程序运行时
已经暂停（两者都将被置为“1 ”）。吨
WHRH1
/t
EHRH1
指定程序暂停的等待时间。
A读阵列命令现在可以写入到崔读取的块以外的其他数据
这是暂停。唯一的其他有效的命令，而节目暂停，正在读状态
寄存器，读标识符，并计划继续。当程序恢复命令写入
闪存的WSM将继续与该程序的过程和状态寄存器位SR.2
和SR.7将自动清零。本程序恢复命令被写入之后，该设备
读取时自动输出状态寄存器的数据（见
附录E
为
节目暂停和
恢复流程图） 。
V
PP
必须保持在相同的V
PP
级别用于程序，而在程序
挂起模式。 RP ＃还必须保持在V
IH 。
3.2.5
擦除模式
要擦除的块，写擦除设置和擦除确认命令崔，以及一个
地址识别该块被擦除。这个地址被内部锁存时，擦除
确认命令发出。块擦除的结果，在块内的所有的位被置为“1 ” ，只有
一个块可以同时被擦除。该WSM将执行一系列的内部定时事件
程序块中的所有位为“ 0”时，清除所有的比特块中的“1 ”，然后验证所有
块内的比特被充分擦除。而擦除执行时，状态位7为“0”。
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