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28F004 / 400B3 ， 28F008 / 800B3 ， 28F016 / 160B3 ， 28F320B3 ， 28F640B3
3.5.1
有功
带CE ＃处于逻辑低电平且处于逻辑高电平反相＃ ，设备处于活动模式。参考
为我的DC特性表
CC
的电流值。有功功率是最大的贡献者
整个系统的功耗。最大限度地降低工作电流可能产生深远的影响
系统的功率消耗，尤其是对于电池供电的设备。
3.5.2
自动省电（ APS ）
自动节能在读模式提供低功耗运行。后的数据从读
存储器阵列和地址线是静止的， APS电路使器件的模式
其中，典型的电流足以媲美我
CCS
。闪光灯停留在这个静止的状态与输出有效
直到新的位置被读出。
3.5.3
待机功耗
随着CE＃为逻辑高电平（V
IH
）和设备在读取模式下，闪速存储器处于待机
模式，即禁用多器件的电路，并且基本上减少了功耗。
输出被置于高阻抗状态，独立的OE＃信号的状态。如果CE＃
在擦除或编程操作转变为逻辑高电平时，该装置将继续
执行该操作并消耗相应的有功功率，直到操作完成。
系统工程师应该分析的待机时间与活动时间的细分和量化
各自的耗电量在每个模式中为他们的特定应用程序。这将提供一个
更准确的测量的应用程序特定的功率和能量需求。
3.5.4
深度掉电模式
深度掉电模式被激活时， RP ＃ = V
IL
（ GND
±
0.2 V ） 。在读模式，
RP ＃变低取消选择的存储器，并把输出端处于高阻抗状态。恢复
从深度掉电，需要T的最短时间
PHQV
（见
交流特性，读取
操作，
第4.5节） 。
在编程或擦除模式， RP ＃低过渡将中止正在进行的操作。该
该地址的内存内容被编程或擦除被该块不再有效，
数据的完整性受到损害的中止。在深度掉电，所有内部
电路被切换到低功率节省模式（RP ＃过渡到V
IL
或关闭电源
该设备会清除状态寄存器） 。
3.6
上电/下运行
在电源转换设备进行保护，防止意外块擦除或编程。
电源排序不是必需的，因为该设备是无所谓哪个电源
V
PP
或V
CC
，权力-第一。
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