位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第753页 > TE28F320B3BC90 > TE28F320B3BC90 PDF资料 > TE28F320B3BC90 PDF资料2第13页
28F004 / 400B3 ， 28F008 / 800B3 ， 28F016 / 160B3 ， 28F320B3 ， 28F640B3
2.2
块组织
在3伏高级启动区块是一个非对称受阻架构，使系统
在一个单一的闪存设备的集成的代码和数据。每个块可独立擦除的
的他人多达100,000次。对于每个块的地址单元，请参见在存储器映射
附录C.
2.2.1
参数块
在3伏高级启动区块快闪记忆体架构，包括参数块，以方便
存储的频繁更新的小的参数（例如，将通常被存储在数据
EEPROM）中。通过使用软件技术的EEPROM的字重写功能可以是
效仿。每个器件内置的8 - K字节/ 4 - K字8参数块（ 8192字节/ 4096
字）每个。
2.2.2
主要模块
该参数块后，将所述阵列的其余部分被分成相等大小的主要块
（ 65,536字节/ 32768字）的数据或代码存储器。 4兆位的设备包含七个主
块; 8 - Mbit的器件包含15块为主; 16兆位闪存有31块为主;
32 - Mbit的有63块为主; 64 - Mbit的有127块为主。
3.0
操作原理
快闪记忆体结合EEPROM功能与电路中的电编程和擦除
能力。在3伏高级启动区块快闪记忆体系列采用命令的用户
界面（CUI）和自动算法来简化编程和擦除操作。崔
擦除过程中允许100 ％ CMOS电平控制输入和固定电源和
编程。
当V
PP
＆ LT ; V
PPLK
，该设备将只执行以下命令成功：阅读
阵列，读状态寄存器，清除状态寄存器和读标识符。该装置提供
标准EEPROM读取，待机和输出禁止操作。制造商标识及
设备的识别数据可以通过在CUI来访问。与改变相关的所有功能
存储器的内容，即编程和擦除，都是通过崔访问。内部写状态
机（ WSM ）完全自动化编程和擦除操作，而崔的信号
启动操作和状态寄存器状态报告的。崔处理WE＃接口
数据和地址锁存器，以及WSM操作期间的系统状态的请求。
3.1
总线操作
3伏高级引导块闪速存储器装置读取程序，并经由本地擦除在系统
CPU或微控制器。所有的总线周期来或从闪速存储器符合标准微
控制器的总线周期。四个控制引脚口授和移出闪存组件的数据流：
CE ＃ ， OE ＃ ， WE＃和RP ＃ 。这些总线的操作概括在
表3中。
3UHOLPLQDU\
7
