FDD8878 / FDU8878的N-沟道PowerTrench
MOSFET
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gs2
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷，在10V
总栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅极电荷阈值，以高原
栅漏“米勒”充电
(V
GS
= 10V)
-
-
V
DD
= 15V ，我
D
= 35A
V
GS
= 4.5V ，R
GS
= 16
-
-
-
-
-
7
79
38
27
-
129
-
-
-
-
97
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0.5V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 15V
I
D
= 35A
I
g
= 1.0毫安
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
880
195
110
3.1
19
10
0.9
2.6
1.7
4.5
-
-
-
-
26
14
1.3
-
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
nC
开关特性
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
RR
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 35A
I
SD
= 3.2A
I
SD
= 35A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 35A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
1.0
23
9
V
V
ns
nC
注意事项：
1:
封装电流限制为35A 。
2:
起始物为
J
= 25℃时，L = 65uH ，我
AS
= 28A ，V
DD
= 27V, V
GS
= 10V.
3:
FDD8878_NL / FDU8878_NL是无铅产品。
FDD8878_NL / FDU8878_NL标志将出现在卷标上。
2005仙童半导体公司
FDD8878 / FDU8878牧师A3
3
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