FDD8878 / FDU8878的N-沟道PowerTrench
MOSFET
0
四月
2008
FDD8878 / FDU8878
N沟道的PowerTrench
MOSFET
30V ， 40A ， 15MΩ
特点
r
DS （ ON）
= 15MΩ ，V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
r
DS （ ON）
= 18.5mΩ ，V
GS
= 4.5V ，我
D
= 35A
高性能沟道技术极低
r
DS （ ON）
低栅电荷
高功率和电流处理能力
RoHS指令
柔顺
tm
概述
这N沟道MOSFET的设计专门为
使用改进的DC / DC变换器的整体效率
同步或传统开关PWM
控制器。它已被优化的低门电荷，低
r
DS （ ON）
和快速的开关速度。
应用
DC
/
DC转换器
D
G
S
G
D
D- PAK
(TO-252)
I- PAK
(TO-251AA)
摹 S
S
2008飞兆半导体公司
FDD8878 / FDU8878启示录
A4
www.fairchildsemi.com
1
FDD8878 / FDU8878的N-沟道PowerTrench
MOSFET
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V ）（注1 ）
I
D
连续（T
C
= 25℃ ，V
GS
= 4.5V ）（注1）
连续（T
AMB
= 25℃ ，V
GS
= 10V ，其中R
θJA
= 52℃ / W）
脉冲
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量（注2 ）
功耗
减免上述25℃
工作和存储温度
o
o
o
o
参数
评级
30
±20
40
36
11
图4
25
40
0.27
-55至175
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
W/
o
C
o
C
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻结到外壳TO- 252 ， TO- 251
热阻结到环境TO- 252 ， TO- 251
热阻结到环境TO- 252 ， 1英寸的铜焊盘面积
2
3.75
100
52
o
o
o
C / W
C / W
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD8878
FDU8878
F
F
设备
FDD8878
FDU8878
包
TO-252AA
TO-251AA
带尺寸
13”
管
胶带宽度
12mm
不适用
QUANTITY
2500台
75个单位
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 24V
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
T
C
= 150
o
C
30
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
门源阈值电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 35A ，V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
I
D
= 35A ，V
GS
= 4.5V
I
D
= 35A ，V
GS
= 10V,
T
J
= 175
o
C
1.2
-
-
-
-
0.011
0.014
0.018
2.5
0.015
0.0185
0.024
V
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FDD8878 / FDU8878的N-沟道PowerTrench
MOSFET
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gs2
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷，在10V
总栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅极电荷阈值，以高原
栅漏“米勒”充电
(V
GS
= 10V)
-
-
V
DD
= 15V ，我
D
= 35A
V
GS
= 4.5V ，R
GS
= 16
-
-
-
-
-
7
79
38
27
-
129
-
-
-
-
97
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0.5V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 15V
I
D
= 35A
I
g
= 1.0毫安
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
880
195
110
3.1
19
10
0.9
2.6
1.7
4.5
-
-
-
-
26
14
1.3
-
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
nC
开关特性
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
RR
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 35A
I
SD
= 3.2A
I
SD
= 35A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 35A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
1.0
23
9
V
V
ns
nC
注意事项：
1:
封装电流限制为35A 。
2:
起始物为
J
= 25℃时，L = 65uH ，我
AS
= 28A ，V
DD
= 27V, V
GS
= 10V.
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MOSFET
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1.2
50
电流限制
按封装
40
0.8
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 10V
30
V
GS
= 4.5V
20
功耗乘法器
1.0
0.6
0.4
0.2
10
0
0
25
50
75
100
125
o
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
T
C
，外壳温度（ C）
图1.归功耗与案例
温度
2
1
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θJC
归一化
热阻抗
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
-1
10
0
10
1
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
500
跨
可能限流
在这个区域
I
DM
峰值电流（ A）
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
175 - T
C
150
V
GS
= 4.5V
100
V
GS
= 10V
30
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（ S）
10
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
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MOSFET
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1000
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
I
D
，漏电流（ A）
100
10s
500
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
100
10
100s
I
AS
，雪崩电流（ A）
起始物为
J
= 25
o
C
10
起始物为
J
= 150
o
C
1
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
1ms
10ms
DC
60
1
0.01
0.1
1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
10
图5.正向偏置安全工作区
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515
图6.松开电感式开关
能力
80
80
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
60
T
J
= 25
o
C
40
V
GS
= 5V
60
V
GS
= 10V
V
GS
= 4V
40
V
GS
= 3V
20
T
J
= 175
o
C
0
1.5
T
J
= -55
o
C
20
T
C
= 25
o
C
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
0
0.25
0.5
0.75
1.0
1.25
1.5
0
2.0
2.5
3.0
3.5
V
GS
，门源电压（ V）
4.0
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.传热特性
30
归一漏极至源极
抗性
I
D
= 35A
r
DS （ ON）
，漏极到源极
ON电阻（mΩ ）
25
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
图8.饱和特性
1.8
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
1.6
1.4
20
1.2
1.0
15
I
D
= 1A
0.8
V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
10
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
0.6
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
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FDD8878 / FDU8878的N-沟道PowerTrench
MOSFET
2005年1月
FDD8878 / FDU8878
N沟道的PowerTrench
MOSFET
30V ， 40A ， 15MΩ
特点
r
DS （ ON）
= 15MΩ ，V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
r
DS （ ON）
= 18.5mΩ ，V
GS
= 4.5V ，我
D
= 35A
高性能沟道技术极低
r
DS （ ON）
低栅电荷
高功率和电流处理能力
概述
这N沟道MOSFET的设计专门为
使用改进的DC / DC变换器的整体效率
同步或传统开关PWM
控制器。它已被优化的低门电荷，低
r
DS （ ON）
和快速的开关速度。
应用
DC / DC转换器
D
G
S
I- PAK
(TO-251AA)
摹 S
G
D
D- PAK
TO-252
(TO-252)
S
2005仙童半导体公司
FDD8878 / FDU8878牧师A3
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FDD8878 / FDU8878的N-沟道PowerTrench
MOSFET
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V ）（注1 ）
I
D
连续（T
C
= 25℃ ，V
GS
= 4.5V ）（注1）
连续（T
AMB
= 25℃ ，V
GS
= 10V ，其中R
θJA
= 52℃ / W）
脉冲
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量（注2 ）
功耗
减免上述25℃
工作和存储温度
o
o
o
o
参数
评级
30
±20
40
36
11
图4
25
40
0.27
-55至175
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
W/
o
C
o
C
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻结到外壳TO- 252 ， TO- 251
热阻结到环境TO- 252 ， TO- 251
热阻结到环境TO- 252 ， 1英寸的铜焊盘面积
2
3.75
100
52
o
o
o
C / W
C / W
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD8878
FDU8878
FDD8878
FDU8878
设备
FDD8878
FDU8878
FDD8878_NL （注3）
FDU8878_NL （注3）
包
TO-252AA
TO-251AA
TO-252AA
TO-251AA
带尺寸
13”
管
13”
管
胶带宽度
12mm
不适用
12mm
不适用
QUANTITY
2500台
75个单位
2500台
75个单位
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 24V
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
T
C
= 150
o
C
30
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
门源阈值电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 35A ，V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
I
D
= 35A ，V
GS
= 4.5V
I
D
= 35A ，V
GS
= 10V,
T
J
= 175
o
C
1.2
-
-
-
-
0.011
0.014
0.018
2.5
0.015
0.0185
0.024
V
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FDD8878 / FDU8878的N-沟道PowerTrench
MOSFET
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gs2
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷，在10V
总栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅极电荷阈值，以高原
栅漏“米勒”充电
(V
GS
= 10V)
-
-
V
DD
= 15V ，我
D
= 35A
V
GS
= 4.5V ，R
GS
= 16
-
-
-
-
-
7
79
38
27
-
129
-
-
-
-
97
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0.5V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 15V
I
D
= 35A
I
g
= 1.0毫安
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
880
195
110
3.1
19
10
0.9
2.6
1.7
4.5
-
-
-
-
26
14
1.3
-
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
nC
开关特性
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
RR
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 35A
I
SD
= 3.2A
I
SD
= 35A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 35A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
1.0
23
9
V
V
ns
nC
注意事项：
1:
封装电流限制为35A 。
2:
起始物为
J
= 25℃时，L = 65uH ，我
AS
= 28A ，V
DD
= 27V, V
GS
= 10V.
3:
FDD8878_NL / FDU8878_NL是无铅产品。
FDD8878_NL / FDU8878_NL标志将出现在卷标上。
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FDD8878 / FDU8878的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1.2
50
电流限制
按封装
40
0.8
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 10V
30
V
GS
= 4.5V
20
功耗乘法器
1.0
0.6
0.4
0.2
10
0
0
25
50
75
100
125
o
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
T
C
，外壳温度（ C）
图1.归功耗与案例
温度
2
1
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θJC
归一化
热阻抗
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
-1
10
0
10
1
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
500
跨
可能限流
在这个区域
I
DM
峰值电流（ A）
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
175 - T
C
150
V
GS
= 4.5V
100
V
GS
= 10V
30
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（ S）
10
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
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FDD8878 / FDU8878的N-沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1000
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
I
D
，漏电流（ A）
100
10s
500
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
100
10
100s
I
AS
，雪崩电流（ A）
起始物为
J
= 25
o
C
10
起始物为
J
= 150
o
C
1
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
1ms
10ms
DC
60
1
0.01
0.1
1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
10
图5.正向偏置安全工作区
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515
图6.松开电感式开关
能力
80
80
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
60
T
J
= 25
o
C
40
V
GS
= 5V
60
V
GS
= 10V
V
GS
= 4V
40
V
GS
= 3V
20
T
J
= 175
o
C
0
1.5
T
J
= -55
o
C
20
T
C
= 25
o
C
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
0
0.25
0.5
0.75
1.0
1.25
1.5
0
2.0
2.5
3.0
3.5
V
GS
，门源电压（ V）
4.0
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.传热特性
30
归一漏极至源极
抗性
I
D
= 35A
r
DS （ ON）
，漏极到源极
ON电阻（mΩ ）
25
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
图8.饱和特性
1.8
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
1.6
1.4
20
1.2
1.0
15
I
D
= 1A
0.8
V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
10
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
0.6
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
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MOSFET
2005年1月
FDD8878 / FDU8878
N沟道的PowerTrench
MOSFET
30V ， 40A ， 15MΩ
特点
r
DS （ ON）
= 15MΩ ，V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
r
DS （ ON）
= 18.5mΩ ，V
GS
= 4.5V ，我
D
= 35A
高性能沟道技术极低
r
DS （ ON）
低栅电荷
高功率和电流处理能力
概述
这N沟道MOSFET的设计专门为
使用改进的DC / DC变换器的整体效率
同步或传统开关PWM
控制器。它已被优化的低门电荷，低
r
DS （ ON）
和快速的开关速度。
应用
DC / DC转换器
D
G
S
I- PAK
(TO-251AA)
摹 S
G
D
D- PAK
TO-252
(TO-252)
S
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1
FDD8878 / FDU8878的N-沟道PowerTrench
MOSFET
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V ）（注1 ）
I
D
连续（T
C
= 25℃ ，V
GS
= 4.5V ）（注1）
连续（T
AMB
= 25℃ ，V
GS
= 10V ，其中R
θJA
= 52℃ / W）
脉冲
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量（注2 ）
功耗
减免上述25℃
工作和存储温度
o
o
o
o
参数
评级
30
±20
40
36
11
图4
25
40
0.27
-55至175
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
W/
o
C
o
C
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻结到外壳TO- 252 ， TO- 251
热阻结到环境TO- 252 ， TO- 251
热阻结到环境TO- 252 ， 1英寸的铜焊盘面积
2
3.75
100
52
o
o
o
C / W
C / W
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD8878
FDU8878
FDD8878
FDU8878
设备
FDD8878
FDU8878
FDD8878_NL （注3）
FDU8878_NL （注3）
包
TO-252AA
TO-251AA
TO-252AA
TO-251AA
带尺寸
13”
管
13”
管
胶带宽度
12mm
不适用
12mm
不适用
QUANTITY
2500台
75个单位
2500台
75个单位
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 24V
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
T
C
= 150
o
C
30
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
门源阈值电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 35A ，V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
I
D
= 35A ，V
GS
= 4.5V
I
D
= 35A ，V
GS
= 10V,
T
J
= 175
o
C
1.2
-
-
-
-
0.011
0.014
0.018
2.5
0.015
0.0185
0.024
V
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MOSFET
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
Q
G（ TOT ）
Q
g(5)
Q
G（ TH ）
Q
gs
Q
gs2
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷，在10V
总栅极电荷为5V
阈值的栅极电荷
门源栅极电荷
栅极电荷阈值，以高原
栅漏“米勒”充电
(V
GS
= 10V)
-
-
V
DD
= 15V ，我
D
= 35A
V
GS
= 4.5V ，R
GS
= 16
-
-
-
-
-
7
79
38
27
-
129
-
-
-
-
97
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
V
GS
= 0.5V ， F = 1MHz的
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V至5V
V
GS
= 0V至1V
V
DD
= 15V
I
D
= 35A
I
g
= 1.0毫安
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
880
195
110
3.1
19
10
0.9
2.6
1.7
4.5
-
-
-
-
26
14
1.3
-
-
-
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
nC
开关特性
t
ON
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
关闭
开启时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
打开-O FF时间
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
RR
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 35A
I
SD
= 3.2A
I
SD
= 35A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
I
SD
= 35A ，二
SD
/ DT = 100A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
1.0
23
9
V
V
ns
nC
注意事项：
1:
封装电流限制为35A 。
2:
起始物为
J
= 25℃时，L = 65uH ，我
AS
= 28A ，V
DD
= 27V, V
GS
= 10V.
3:
FDD8878_NL / FDU8878_NL是无铅产品。
FDD8878_NL / FDU8878_NL标志将出现在卷标上。
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MOSFET
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1.2
50
电流限制
按封装
40
0.8
I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= 10V
30
V
GS
= 4.5V
20
功耗乘法器
1.0
0.6
0.4
0.2
10
0
0
25
50
75
100
125
o
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度（
o
C)
T
C
，外壳温度（ C）
图1.归功耗与案例
温度
2
1
占空比 - 降序排列
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
图2.最大连续漏极电流VS
外壳温度
Z
θJC
归一化
热阻抗
P
DM
0.1
t
1
t
2
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJC
+ T
C
10
-3
10
-2
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
10
-1
10
0
10
1
单脉冲
0.01
10
-5
10
-4
图3.归一化最大瞬态热阻抗
500
跨
可能限流
在这个区域
I
DM
峰值电流（ A）
T
C
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
175 - T
C
150
V
GS
= 4.5V
100
V
GS
= 10V
30
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
T，脉冲宽度（ S）
10
-1
10
0
10
1
图4.峰值电流容量
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MOSFET
典型特征
T
C
= 25 ° C除非另有说明
1000
操作在此
区域可以
限于由R
DS （ ON）
I
D
，漏电流（ A）
100
10s
500
如果R = 0
t
AV
= （L）（我
AS
） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
≠
0
t
AV
= （ L / R） LN [（我
AS
* R ） / （ 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
100
10
100s
I
AS
，雪崩电流（ A）
起始物为
J
= 25
o
C
10
起始物为
J
= 150
o
C
1
单脉冲
T
J
=最大额定
T
C
= 25
o
C
0.1
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
1ms
10ms
DC
60
1
0.01
0.1
1
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
10
图5.正向偏置安全工作区
注：请参阅飞兆半导体应用笔记AN7514和AN7515
图6.松开电感式开关
能力
80
80
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
V
DD
= 15V
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
60
T
J
= 25
o
C
40
V
GS
= 5V
60
V
GS
= 10V
V
GS
= 4V
40
V
GS
= 3V
20
T
J
= 175
o
C
0
1.5
T
J
= -55
o
C
20
T
C
= 25
o
C
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
0
0.25
0.5
0.75
1.0
1.25
1.5
0
2.0
2.5
3.0
3.5
V
GS
，门源电压（ V）
4.0
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.传热特性
30
归一漏极至源极
抗性
I
D
= 35A
r
DS （ ON）
，漏极到源极
ON电阻（mΩ ）
25
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
图8.饱和特性
1.8
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX
1.6
1.4
20
1.2
1.0
15
I
D
= 1A
0.8
V
GS
= 10V ，我
D
= 35A
10
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
0.6
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
，结温（
o
C)
200
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
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