FDD8878 / FDU8878的N-沟道PowerTrench
MOSFET
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
连续（T
C
= 25
o
C，V
GS
= 10V ）（注1 ）
I
D
连续（T
C
= 25℃ ，V
GS
= 4.5V ）（注1）
连续（T
AMB
= 25℃ ，V
GS
= 10V ，其中R
θJA
= 52℃ / W）
脉冲
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量（注2 ）
功耗
减免上述25℃
工作和存储温度
o
o
o
o
参数
评级
30
±20
40
36
11
图4
25
40
0.27
-55至175
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
W/
o
C
o
C
热特性
R
θJC
R
θJA
R
θJA
热阻结到外壳TO- 252 ， TO- 251
热阻结到环境TO- 252 ， TO- 251
热阻结到环境TO- 252 ， 1英寸的铜焊盘面积
2
3.75
100
52
o
o
o
C / W
C / W
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDD8878
FDU8878
FDD8878
FDU8878
设备
FDD8878
FDU8878
FDD8878_NL （注3）
FDU8878_NL （注3）
包
TO-252AA
TO-251AA
TO-252AA
TO-251AA
带尺寸
13”
管
13”
管
胶带宽度
12mm
不适用
12mm
不适用
QUANTITY
2500台
75个单位
2500台
75个单位
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
B
VDSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 24V
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
T
C
= 150
o
C
30
-
-
-
-
-
-
-
-
1
250
±100
V
A
nA
基本特征
V
GS （ TH）
门源阈值电压
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
I
D
= 35A ，V
GS
= 10V
r
DS （ ON）
漏极至源极导通电阻
I
D
= 35A ，V
GS
= 4.5V
I
D
= 35A ，V
GS
= 10V,
T
J
= 175
o
C
1.2
-
-
-
-
0.011
0.014
0.018
2.5
0.015
0.0185
0.024
V
2005仙童半导体公司
FDD8878 / FDU8878牧师A3
2
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