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CY24142
绝对最大条件
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。
电源电压（V
DD
， AV
DD
, V
DDL
） ...................- 0.5 + 7.0V
直流输入电压...................................... -0.5V至V
DD
+ 0.5
储存温度（无冷凝） .... -55 ° C至+ 125°C
结温................................ -40 ° C至+ 125°C
数据保留@ TJ = 125°C .................................. > 10年
封装功耗...................................... 350毫瓦
ESD（人体模型） MIL - STD- 883 .................... 2000V
推荐水晶规格
参数
F
喃
C
LNOM
R
1
R
3
/R
1
DL
描述
标称晶振频率
额定负载电容
等效串联电阻
（ ESR）的
基本模式
3
0.5
2
mW
评论
并联谐振的基础模式， AT切割
分钟。
典型值。
18.432
14
25
马克斯。
单位
兆赫
pF
由于采用典型的R第三泛音模式的ESR比RATIO
1
值是多少
以基本模式ESR
小于最大规格
晶振驱动电平
任何外部串联电阻假设
推荐工作条件
参数
V
DD,
AV
DD
, V
DDL
T
A
C
负载
T
PU
电源电压
环境温度
马克斯。负载电容
上电时间为所有V
DD
s至达到规定的最低电压（电源
坡道必须是单调）
0.05
描述
分钟。
3.15
0
典型值。
3.45
马克斯。
3.6
85
15
500
单位
V
°C
pF
ms
DC电气规格
参数
I
OH[2]
I
OL[2]
I
IH
I
IL
V
IH
V
IL
I
VDD
I
VDDL
R
下
C
XTAL[2]
描述
输出高电流
输出低电流
输入高电流
输入低电平电流
输入高电压
输入低电压
电源电流
电源电流
下拉电阻的输入
晶体负载电容
条件
V
OH
= V
DD
– 0.5, V
DD
/V
DDL
= 3.45V
V
OL
= 0.5, V
DD
/V
DDL
= 3.45V
V
IH
= V
DD
V
IL
= 0V
CMOS电平，V 70％
DD
CMOS电平，V 30％
DD
AV
DD
/V
DD
当前
V
DDL
当前
V
DD
= 3.15 3.6V ，测得V
IN
= 3.45V
内部负荷上限的总有效载荷
100
12.9
0.7
0.3
25
20
150
5
分钟。
12
12
典型值。
24
24
50
10
马克斯。
单位
mA
mA
A
A
V
DD
V
DD
mA
mA
k
pF
周期间抖动规格
（ VDD = 3.15V - 3.6V ）
参数
t
9
t
9
t
9
描述
时钟抖动峰 - 峰值
时钟抖动峰 - 峰值
时钟抖动峰 - 峰值
条件
周期间抖动， 18.432兆赫
周期间抖动， 54 MHz的
周期间抖动， 13.5兆赫
1σ
20
40
20
典型值。
120
150
120
马克斯。
200
250
200
单位
ps
ps
ps
注意：
2.通过特性保证，未经100％测试。
文件编号： 38-07532牧师* B
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