TAS5110
SLES028A - 2002年5月 - 修订2002年9月
推荐工作条件（最大输出功率为50瓦（ RMS ） ，T
J
= 25°C)
热数据
参数
关闭结温TJ（ SD ）
警告结温TJ（ W）的
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工作温度TC
温度，
热阻结到外壳，
θ
jc
}
热阻结到环境，
θ
ja
}
产业
2盎司跟踪和铜焊盘焊无
盎司
0
–40
民
喃
150
125
25
25
1.6
44.3
70
85
最大
单位
°C
°C
°C
°C
° C / W
° C / W
一对封装的热性能的最有影响力的组成部分就是电路板设计。以带走热量的充分利用
消散的PowerPAD的封装能力，一个电路板，必须使用，其作用类似于散热器，并允许使用的暴露（和
焊） ，深下沉垫。看到的附录A
使用PowerPad散热增强型封装
应用笔记， TI文献编号
SLMA002.
对于这两种DAD和DAP包。
R
L
= 6
8
参数
数字
DVDD到DVSS
PVDDA2到PVSS
电源电压
y
g
调节器
PVDDB2到PVSS
PVDDA2到PVSS
w
PVDDB2到PVSS
w
民
3
16.5
16.5
10.5
10.5
喃
3.3
22
22
最大
3.6
26.5
26.5
16.5
16.5
V
单位
V
§连接LDROUTA到PVDDA2并连接LDROUTB到PVDDB2 。在此条件下，所述H桥正向通态电阻增大。
这增加了内部功耗。最大输出功率，可能需要减少，以满足温度条件。
在常见的负载阻抗为DAP和爸爸包的最大可用功率正常曝光（0 dB为单位）
电平，测试条件中所描述的
对于32引脚封装DAD 50 W， 6 Ω测试方法热
和
对于32引脚DAP包装50 W， 6 Ω测试方法热
节
负载阻抗（ Ω ）
6
6
8
PVDAA1 / PVDDB1 （ VDC ）
27
27
27
近似最大输出POW-
ER （ W）
50
43
34
THD + N在最大功率和1千赫
输入
＆ LT ; 10 ％
< 0.09 ％
< 0.09 ％
依赖于电路板的设计和元件选择。
静态数码产品规格
RESET ， PWDN ， PWM_AP ， PWM_AM ， PWM_BP ， PWM_BM ，T
J
= 25°C ， DVDD = 3.3 V
参数
高电平输入电压， VIH
低电平输入电压， VIL
输入漏电流
–10
民
2
0.8
10
最大
单位
V
V
A
ERR0 ， ERR1 ，关机（漏极开路输出，内部上拉电阻）T
J
= 25°C ， DVDD = 3.3 V ）
参数
从SHUTDOWN内部上拉电阻， ERR0 ， ERR1至DVDD
低电平输出电压（ IO = 4 mA）的， VOL
民
15
0.4
最大
单位
k
V
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