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P L I M I N A R
概述
该Am29LV800是8兆， 3.0伏只闪存存储器
储器组织为1兆字节8的每个位或512K字
的每个16比特。对于灵活的擦除和编程capabil-
性，在8兆比特的数据被划分成19个扇区1的
16K字节， 2字节8 ， 1个32字节，而网络fteen 64
千字节。在X8的数据出现在DQ0 - DQ7 ;在X16
数据显示在DQ0 - DQ15 。该Am29LV800是OF-
fered采用44引脚SO和48引脚TSOP封装。这
设备被设计成在系统编程用
标准系统3.0伏V
CC
供应量。该装置
也可以在标准EPROM重新编程
程序员。
该Am29LV800提供两个级别的性能。
在网络连接第一个层面提供存取时间快100纳秒用
A V
CC
的范围内可低至2.7伏，这是最佳的
电池供电的应用。第二个层次提供
90 ns访问时间，优化的系统性能
其中，电源是在3.0的规定范围内
3.6伏。消除总线竞争，该设备具有
独立的芯片使能（ CE ） ，写使能（ WE） ，和
输出使能（ OE ）控制。
该Am29LV800完全是命令集兼容
与JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机，其
控制擦除和编程电路。写赛扬
克莱斯内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
该Am29LV800通过执行亲编程
克的命令序列。这将调用嵌入
DED程序算法是一个内部算法
自动时间程序的脉冲宽度和
VERI科幻ES适当的细胞保证金。擦除由完成
执行擦除命令序列。这将在 -
voke嵌入式擦除算法这是一个跨
最终的算法，自动预先计划的阵列
如果它尚未被执行之前编程
擦除操作。在擦除，设备会自动
次擦除脉冲宽度和VERI音响ES适当的细胞
利润率。
该器件还具有一个扇区擦除架构。
这允许对存储器扇区被擦除并重新
不影响的数据内容的目的
其他行业。一个扇区通常擦除和VERI网络版
范围在1.0秒。该Am29LV800完全擦除
出厂的时候。
该Am29LV800器件还具有硬件部门
保护。此功能将禁用这两个方案，并
在19节的任意组合擦除操作
记忆器。
AMD已经实现了一个擦除挂起功能，
使用户将擦除搁置任何时期
时间来读取数据或程序数据的扇区是
没有被擦除。因此，真正的背景擦除
可以实现的。
该器件具有一个3.0伏的电源能操作
ATION的读写功能。内部gen-
erated并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。低V
CC
非盟探测器
功率管在tomatically抑制写操作
位数。程序或擦除操作的结束是由所检测到的
RY / BY引脚。 DQ7数据查询，或通过触发位
（ DQ6 ） 。一旦一个程序或擦除周期的端部具有
完成后，设备会自动重置为
阅读模式。
该Am29LV800也有一个硬件复位引脚。
当该引脚驱动任何嵌入低，执行
DED程序算法或嵌入式擦除算法
将被终止。内部状态机，然后将
被复位到读模式。 RESET引脚可
绑在系统复位电路。因此，如果一个系统
嵌入式程序算法的过程中发生复位
或嵌入式擦除算法，该设备将自动
matically重置为读模式，将有errone-
存储在地址位置是OU的数据
操作上。这些位置都需要重写后
复位。重置设备将使系
TEM的微处理器读取开机连接固件
从FLASH存储器。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该Am29LV800内存电擦除
通过福勒同时一个扇区内的所有位
Nordhiem隧道。该字节/字编程
1字节/字一次使用的EPROM编程
热电子注入铭机制。
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Am29LV800T/Am29LV800B
