P L I M I N A R

图17 ，AC波形的芯片/扇区擦除

操作：

加入“ 555芯片擦除”按顺序最后一个周期。

改地址到三十六进制数字来

match命令去连接nitions （表6） 。

图18 ，AC波形进行数据轮询期间

嵌入式算法操作：

拆分数据信号转换成DQ0 -DQ6和DQ7信号。

图25 ，临时机构撤消时序

图：

更正标注和波形显示，吨

VIDR

AP-

层数RESET是否无论从0 V或3 V上升

交流特性：

备用CE控制写道：

添加-90R列。

图26 ，备用CE控制的写操作

计时：

改变的5555H到555H match命令去连接nitions

（表6） 。

擦除和编程性能：

添加典型的芯片擦除特定网络阳离子。删除的同事

UMN最低特定连接的阳离子。创建独立

片内程序特定网络阳离子字或字节模式。

改名擦除/编程周期特定网络阳离子

擦除/编程耐力。感动最低10万

循环耐力注释部分。修订后的注意事项

1 ，包括擦写次数，现在注2：可靠整理

日期和移动注1，注3引用

桌到桌头。联合注2和注5成

新的注意事项1，适用于整个表;修订

以指示DQ5 = 1的最大次数后。

注释程序，现在擦除跨越纸张

rameter行。分居两句话附注4

进入新的注4和5 ;添加相应的说明

引用注释部分。

商标

版权所有1997 Advanced Micro Devices公司， Inc.保留所有权利。

AMD ，AMD标识及其组合以及ExpressFlash是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。

本出版物中使用的产品名称仅用于identi网络阳离子之用，可能是其各自公司的商标。

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Am29LV800T/Am29LV800B