初步
Am29LV800T/Am29LV800B
8兆位（ 1,048,576 ×8位/ 524,288 ×16位）
CMOS 3.0伏只，扇形闪存
特色鲜明
s
单电源工作
- 扩展电压范围： 2.7 3.6伏读
写电池供电操作
应用
- 标准电压范围： 3.0 3.6伏读
写操作和用于与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
s
高性能
- 扩展电压范围：存取时间快
100纳秒
- 标准电压范围：存取时间快
90纳秒
s
超低功耗
- 自动休眠模式： 200 nA的典型
- 待机模式： 200 nA的典型
- 读取模式：2毫安/ MHz的典型
- 编程/擦除模式：20 mA典型
s
灵活的部门架构
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
科幻fteen 64字节扇区（字节模式）
- 一个8千字，两个4千字， 1个16千字，并
科幻fteen 32千字部门（字模式）
- 支持对控制代码和数据存储
单设备
- 扇区保护功能：
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 自动嵌入式擦除算法
预编程和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
编写和验证，在特定网络版字节或字
地址
s
每次最少100,000次写周期保证
扇形
s
封装选项
- 48引脚TSOP
- 44引脚SO
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据轮询和切换位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除操作完成
s
就绪/忙脚（ RY / BY ）
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
s
擦除挂起/恢复命令
- 挂起擦除操作来读取数据
或程序数据到另一个部门，然后恢复
擦除操作
s
硬件复位引脚（ RESET）
- 硬件方法的设备复位到读
模式
本文件包含有关正在开发的产品，在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品，恕不另行通知。
出版＃
20478
启：
D
Amendment/0
发行日期：
1997年11月
请参考AMD的网站（ www.amd.com ）了解最新信息。
P L I M I N A R
概述
该Am29LV800是8兆， 3.0伏只闪存存储器
储器组织为1兆字节8的每个位或512K字
的每个16比特。对于灵活的擦除和编程capabil-
性，在8兆比特的数据被划分成19个扇区1的
16K字节， 2字节8 ， 1个32字节，而网络fteen 64
千字节。在X8的数据出现在DQ0 - DQ7 ;在X16
数据显示在DQ0 - DQ15 。该Am29LV800是OF-
fered采用44引脚SO和48引脚TSOP封装。这
设备被设计成在系统编程用
标准系统3.0伏V
CC
供应量。该装置
也可以在标准EPROM重新编程
程序员。
该Am29LV800提供两个级别的性能。
在网络连接第一个层面提供存取时间快100纳秒用
A V
CC
的范围内可低至2.7伏，这是最佳的
电池供电的应用。第二个层次提供
90 ns访问时间，优化的系统性能
其中，电源是在3.0的规定范围内
3.6伏。消除总线竞争，该设备具有
独立的芯片使能（ CE ） ，写使能（ WE） ，和
输出使能（ OE ）控制。
该Am29LV800完全是命令集兼容
与JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机，其
控制擦除和编程电路。写赛扬
克莱斯内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
该Am29LV800通过执行亲编程
克的命令序列。这将调用嵌入
DED程序算法是一个内部算法
自动时间程序的脉冲宽度和
VERI科幻ES适当的细胞保证金。擦除由完成
执行擦除命令序列。这将在 -
voke嵌入式擦除算法这是一个跨
最终的算法，自动预先计划的阵列
如果它尚未被执行之前编程
擦除操作。在擦除，设备会自动
次擦除脉冲宽度和VERI音响ES适当的细胞
利润率。
该器件还具有一个扇区擦除架构。
这允许对存储器扇区被擦除并重新
不影响的数据内容的目的
其他行业。一个扇区通常擦除和VERI网络版
范围在1.0秒。该Am29LV800完全擦除
出厂的时候。
该Am29LV800器件还具有硬件部门
保护。此功能将禁用这两个方案，并
在19节的任意组合擦除操作
记忆器。
AMD已经实现了一个擦除挂起功能，
使用户将擦除搁置任何时期
时间来读取数据或程序数据的扇区是
没有被擦除。因此，真正的背景擦除
可以实现的。
该器件具有一个3.0伏的电源能操作
ATION的读写功能。内部gen-
erated并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。低V
CC
非盟探测器
功率管在tomatically抑制写操作
位数。程序或擦除操作的结束是由所检测到的
RY / BY引脚。 DQ7数据查询，或通过触发位
（ DQ6 ） 。一旦一个程序或擦除周期的端部具有
完成后，设备会自动重置为
阅读模式。
该Am29LV800也有一个硬件复位引脚。
当该引脚驱动任何嵌入低，执行
DED程序算法或嵌入式擦除算法
将被终止。内部状态机，然后将
被复位到读模式。 RESET引脚可
绑在系统复位电路。因此，如果一个系统
嵌入式程序算法的过程中发生复位
或嵌入式擦除算法，该设备将自动
matically重置为读模式，将有errone-
存储在地址位置是OU的数据
操作上。这些位置都需要重写后
复位。重置设备将使系
TEM的微处理器读取开机连接固件
从FLASH存储器。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该Am29LV800内存电擦除
通过福勒同时一个扇区内的所有位
Nordhiem隧道。该字节/字编程
1字节/字一次使用的EPROM编程
热电子注入铭机制。
2
Am29LV800T/Am29LV800B
P L I M I N A R
灵活的部门架构
s
一个8千字，两个4千字， 1个16千字，并
科幻fteen 32K字的字模式行业
s
一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
科幻fteen 64字节扇区的字节模式
s
个别部门或多扇区擦除功能
s
部门保护是用户去连接nable
（ X8 ）地址
范围
SA18
SA17
SA16
SA15
SA14
SA13
SA12
SA11
SA10
SA9
SA8
SA7
SA6
SA5
SA4
SA3
SA2
SA1
SA0
16字节
8 K字
8字节
4 K字
8字节
4 K字
32字节
16 K字
（ X16 ）地址
范围
SA18
SA17
SA16
SA15
SA14
SA13
SA12
SA11
SA10
SA9
SA8
SA7
SA6
SA5
SA4
SA3
SA2
SA1
SA0
64字节
32 K字
（ X8 ）地址
范围
F0000h-FFFFFh
（ X16 ）地址
范围
78000h-7FFFFh
70000h-77FFFh
FC000h FFFFFh范围7E000h - 7FFFFH
FA000h - FBFFFh 7D000h - 7DFFFh
F8000h - F9FFFh 7C000h - 7CFFFh
F0000h-F7FFFh
78000h-7BFFFh
70000h-77FFFh
64字节
E0000h-EFFFFh
32 K字
64字节
D0000h - DFFFFh 68000h - 6FFFFh
32 K字
64字节
C0000H - CFFFFh 60000H - 67FFFh
32 K字
64字节
B0000h - BFFFFh 58000h - 5FFFFh
32 K字
64字节
A0000h-AFFFFh
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
32字节
16 K字
8字节
4 K字
8字节
4 K字
16字节
8 K字
90000h-9FFFFh
80000h-8FFFFh
70000h-7FFFFh
60000h-6FFFFh
50000h-5FFFFh
40000h-4FFFFh
30000h-3FFFFh
20000h-2FFFFh
10000h-1FFFFh
08000h-0FFFFh
06000h-07FFFh
04000h-05FFFh
00000h-03FFFh
50000h-57FFFh
48000h-4FFFFh
40000h-47FFFh
38000h-3FFFFh
30000h-37FFFh
28000h-2FFFFh
20000h-27FFFh
18000h-1FFFFh
10000h-17FFFh
08000h-0FFFFh
04000h-07FFFh
03000h-03FFFh
02000h-02FFFh
00000h-01FFFh
20478D-2
64字节
E0000h-EFFFFh
32 K字
64字节
D0000h - DFFFFh 68000h - 6FFFFh
32 K字
64字节
C0000H - CFFFFh 60000H - 67FFFh
32 K字
64字节
B0000h - BFFFFh 58000h - 5FFFFh
32 K字
64字节
A0000h-AFFFFh
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
90000h-9FFFFh
80000h-8FFFFh
70000h-7FFFFh
60000h-6FFFFh
50000h-5FFFFh
40000h-4FFFFh
30000h-3FFFFh
20000h-2FFFFh
10000h-1FFFFh
00000h-0FFFFh
50000h-57FFFh
48000h-4FFFFh
40000h-47FFFh
38000h-3FFFFh
30000h-37FFFh
28000h-2FFFFh
20000h-27FFFh
18000h-1FFFFh
10000h-17FFFh
08000h-0FFFFh
00000h-07FFFh
20478D-1
Am29LV800T部门架构
注意事项：
地址范围为A18 ： A- 1，如果以字节模式（字节= V
IL
).
地址范围是A18 ： A0如果在字模式（字节= V
IH
).
AM29LV800B部门架构
Am29LV800T/Am29LV800B
3
初步
Am29LV800T/Am29LV800B
8兆位（ 1,048,576 ×8位/ 524,288 ×16位）
CMOS 3.0伏只，扇形闪存
特色鲜明
s
单电源工作
- 扩展电压范围： 2.7 3.6伏读
写电池供电操作
应用
- 标准电压范围： 3.0 3.6伏读
写操作和用于与高兼容性
高性能3.3伏微处理器
s
高性能
- 扩展电压范围：存取时间快
100纳秒
- 标准电压范围：存取时间快
90纳秒
s
超低功耗
- 自动休眠模式： 200 nA的典型
- 待机模式： 200 nA的典型
- 读取模式：2毫安/ MHz的典型
- 编程/擦除模式：20 mA典型
s
灵活的部门架构
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
科幻fteen 64字节扇区（字节模式）
- 一个8千字，两个4千字， 1个16千字，并
科幻fteen 32千字部门（字模式）
- 支持对控制代码和数据存储
单设备
- 扇区保护功能：
锁定一个部门的硬件方法
防止任何程序或内擦除操作
该部门
临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
s
顶部或底部启动块CON连接gurations
可用的
s
嵌入式算法
- 自动嵌入式擦除算法
预编程和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动
编写和验证，在特定网络版字节或字
地址
s
每次最少100,000次写周期保证
扇形
s
封装选项
- 48引脚TSOP
- 44引脚SO
s
与JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存
- 高级无意写保护
s
数据轮询和切换位
- 提供检测软件的方法
编程或擦除操作完成
s
就绪/忙脚（ RY / BY ）
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
s
擦除挂起/恢复命令
- 挂起擦除操作来读取数据
或程序数据到另一个部门，然后恢复
擦除操作
s
硬件复位引脚（ RESET）
- 硬件方法的设备复位到读
模式
本文件包含有关正在开发的产品，在Advanced Micro Devices公司的信息。信息
旨在帮助您评估该产品。 AMD保留对本建议修改权利或停止工作
产品，恕不另行通知。
出版＃
20478
启：
D
Amendment/0
发行日期：
1997年11月
请参考AMD的网站（ www.amd.com ）了解最新信息。
P L I M I N A R
概述
该Am29LV800是8兆， 3.0伏只闪存存储器
储器组织为1兆字节8的每个位或512K字
的每个16比特。对于灵活的擦除和编程capabil-
性，在8兆比特的数据被划分成19个扇区1的
16K字节， 2字节8 ， 1个32字节，而网络fteen 64
千字节。在X8的数据出现在DQ0 - DQ7 ;在X16
数据显示在DQ0 - DQ15 。该Am29LV800是OF-
fered采用44引脚SO和48引脚TSOP封装。这
设备被设计成在系统编程用
标准系统3.0伏V
CC
供应量。该装置
也可以在标准EPROM重新编程
程序员。
该Am29LV800提供两个级别的性能。
在网络连接第一个层面提供存取时间快100纳秒用
A V
CC
的范围内可低至2.7伏，这是最佳的
电池供电的应用。第二个层次提供
90 ns访问时间，优化的系统性能
其中，电源是在3.0的规定范围内
3.6伏。消除总线竞争，该设备具有
独立的芯片使能（ CE ） ，写使能（ WE） ，和
输出使能（ OE ）控制。
该Am29LV800完全是命令集兼容
与JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到一个内部状态机，其
控制擦除和编程电路。写赛扬
克莱斯内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。阅读
数据输出装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
该Am29LV800通过执行亲编程
克的命令序列。这将调用嵌入
DED程序算法是一个内部算法
自动时间程序的脉冲宽度和
VERI科幻ES适当的细胞保证金。擦除由完成
执行擦除命令序列。这将在 -
voke嵌入式擦除算法这是一个跨
最终的算法，自动预先计划的阵列
如果它尚未被执行之前编程
擦除操作。在擦除，设备会自动
次擦除脉冲宽度和VERI音响ES适当的细胞
利润率。
该器件还具有一个扇区擦除架构。
这允许对存储器扇区被擦除并重新
不影响的数据内容的目的
其他行业。一个扇区通常擦除和VERI网络版
范围在1.0秒。该Am29LV800完全擦除
出厂的时候。
该Am29LV800器件还具有硬件部门
保护。此功能将禁用这两个方案，并
在19节的任意组合擦除操作
记忆器。
AMD已经实现了一个擦除挂起功能，
使用户将擦除搁置任何时期
时间来读取数据或程序数据的扇区是
没有被擦除。因此，真正的背景擦除
可以实现的。
该器件具有一个3.0伏的电源能操作
ATION的读写功能。内部gen-
erated并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。低V
CC
非盟探测器
功率管在tomatically抑制写操作
位数。程序或擦除操作的结束是由所检测到的
RY / BY引脚。 DQ7数据查询，或通过触发位
（ DQ6 ） 。一旦一个程序或擦除周期的端部具有
完成后，设备会自动重置为
阅读模式。
该Am29LV800也有一个硬件复位引脚。
当该引脚驱动任何嵌入低，执行
DED程序算法或嵌入式擦除算法
将被终止。内部状态机，然后将
被复位到读模式。 RESET引脚可
绑在系统复位电路。因此，如果一个系统
嵌入式程序算法的过程中发生复位
或嵌入式擦除算法，该设备将自动
matically重置为读模式，将有errone-
存储在地址位置是OU的数据
操作上。这些位置都需要重写后
复位。重置设备将使系
TEM的微处理器读取开机连接固件
从FLASH存储器。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该Am29LV800内存电擦除
通过福勒同时一个扇区内的所有位
Nordhiem隧道。该字节/字编程
1字节/字一次使用的EPROM编程
热电子注入铭机制。
2
Am29LV800T/Am29LV800B
P L I M I N A R
灵活的部门架构
s
一个8千字，两个4千字， 1个16千字，并
科幻fteen 32K字的字模式行业
s
一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
科幻fteen 64字节扇区的字节模式
s
个别部门或多扇区擦除功能
s
部门保护是用户去连接nable
（ X8 ）地址
范围
SA18
SA17
SA16
SA15
SA14
SA13
SA12
SA11
SA10
SA9
SA8
SA7
SA6
SA5
SA4
SA3
SA2
SA1
SA0
16字节
8 K字
8字节
4 K字
8字节
4 K字
32字节
16 K字
（ X16 ）地址
范围
SA18
SA17
SA16
SA15
SA14
SA13
SA12
SA11
SA10
SA9
SA8
SA7
SA6
SA5
SA4
SA3
SA2
SA1
SA0
64字节
32 K字
（ X8 ）地址
范围
F0000h-FFFFFh
（ X16 ）地址
范围
78000h-7FFFFh
70000h-77FFFh
FC000h FFFFFh范围7E000h - 7FFFFH
FA000h - FBFFFh 7D000h - 7DFFFh
F8000h - F9FFFh 7C000h - 7CFFFh
F0000h-F7FFFh
78000h-7BFFFh
70000h-77FFFh
64字节
E0000h-EFFFFh
32 K字
64字节
D0000h - DFFFFh 68000h - 6FFFFh
32 K字
64字节
C0000H - CFFFFh 60000H - 67FFFh
32 K字
64字节
B0000h - BFFFFh 58000h - 5FFFFh
32 K字
64字节
A0000h-AFFFFh
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
32字节
16 K字
8字节
4 K字
8字节
4 K字
16字节
8 K字
90000h-9FFFFh
80000h-8FFFFh
70000h-7FFFFh
60000h-6FFFFh
50000h-5FFFFh
40000h-4FFFFh
30000h-3FFFFh
20000h-2FFFFh
10000h-1FFFFh
08000h-0FFFFh
06000h-07FFFh
04000h-05FFFh
00000h-03FFFh
50000h-57FFFh
48000h-4FFFFh
40000h-47FFFh
38000h-3FFFFh
30000h-37FFFh
28000h-2FFFFh
20000h-27FFFh
18000h-1FFFFh
10000h-17FFFh
08000h-0FFFFh
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03000h-03FFFh
02000h-02FFFh
00000h-01FFFh
20478D-2
64字节
E0000h-EFFFFh
32 K字
64字节
D0000h - DFFFFh 68000h - 6FFFFh
32 K字
64字节
C0000H - CFFFFh 60000H - 67FFFh
32 K字
64字节
B0000h - BFFFFh 58000h - 5FFFFh
32 K字
64字节
A0000h-AFFFFh
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
64字节
32 K字
90000h-9FFFFh
80000h-8FFFFh
70000h-7FFFFh
60000h-6FFFFh
50000h-5FFFFh
40000h-4FFFFh
30000h-3FFFFh
20000h-2FFFFh
10000h-1FFFFh
00000h-0FFFFh
50000h-57FFFh
48000h-4FFFFh
40000h-47FFFh
38000h-3FFFFh
30000h-37FFFh
28000h-2FFFFh
20000h-27FFFh
18000h-1FFFFh
10000h-17FFFh
08000h-0FFFFh
00000h-07FFFh
20478D-1
Am29LV800T部门架构
注意事项：
地址范围为A18 ： A- 1，如果以字节模式（字节= V
IL
).
地址范围是A18 ： A0如果在字模式（字节= V
IH
).
AM29LV800B部门架构
Am29LV800T/Am29LV800B
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