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AAT9125
30V N沟道功率MOSFET
概述
该AAT9125 30V N沟道功率MOSFET是一种
AnalogicTech的TrenchDMOS 的精良成员
UCT的家庭。使用超高密度的专有
TrenchDMOS技术，这款产品demon-
strates高功率处理和小尺寸。
特点
PWMSwitch
V
DS （ MAX）
= 30V
I
D（最大）
= 12.5A @ 25°C
低R
DS （ ON）
:
= 9毫欧@V
GS
= 10V
14毫欧@ V
GS
= 4.5V
应用
的DC-DC转换器，用于在移动CPU
电池供电的便携式设备
高功率密度开关模式电源
电源使用点的
SOP8封装
初步信息
顶视图
D
8
D
7
D
6
D
5
1
S
2
S
3
S
4
G
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
价值
30
±20
±12.5
±10
±52
2.25
2.5
1.6
-55到150
描述
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ T
J
=150°C
1
单位
V
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
漏电流脉冲
连续源电流（源极 - 漏极二极管）
1
T
A
= 25°C
最大功率耗散
1
T
A
= 70°C
工作结存储温度范围
A
W
°C
热特性
符号
R
θJA
R
θJC
描述
典型的结到环境
典型的结到外壳
1
价值
50
25
单位
° C / W
° C / W
注1 ：安装在1 “×1”的FR4铜板，10秒脉冲宽度
9125.2001.12.0.9
1
AAT9125
30V N沟道功率MOSFET
电气特性
符号
描述
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
条件
民
30
7.5
11.5
52
1.0
±100
1
5
30
31
60
10
9
20
14
100
38
50
100
9
14
典型值
最大
单位
V
m
A
V
nA
A
S
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
A
DC特性
BV
DSS
漏源击穿电压V
GS
= 0V时，我
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=12A
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
2
V
GS
= 4.5V ，我
D
=10A
I
D（上）
通态漏电流
2
V
GS
=10V ,V
DS
= 5V （脉冲）
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
V
GS
=V
DS
, I
D
=250A
I
GSS
门体漏电流
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
=0V,V
DS
=30V
I
DSS
漏源极漏电流
V
GS
=0V,V
DS
= 30V ，T
J
=55°C
2
g
fs
正向跨导
V
DS
= 15V ，我
D
=12.5A
动态特性
3
Q
G
总栅极电荷
V
DS
= 15V ，我
D
= 12.5A ，V
GS
=5V
Q
GT
总栅极电荷
V
DS
= 15V ，我
D
= 12.5A ，V
GS
=10V
Q
GS
栅极 - 源电荷
V
DS
= 15V ，我
D
= 12.5A ，V
GS
=10V
Q
GD
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 15V ，我
D
= 12.5A ，V
GS
=10V
t
D（上）
导通延迟
V
DD
=15V, V
GS
= 10V ，R
D
=1.2, R
G
=6
t
R
开启上升时间
V
DD
=15V, V
GS
= 10V ，R
D
=1.2, R
G
=6
t
D（关闭）
关断延时
V
DD
=15V, V
GS
= 10V ，R
D
=1.2, R
G
=6
t
F
关断下降时间
V
DD
=15V, V
GS
= 10V ，R
D
=1.2, R
G
=6
源极 - 漏极二极管的特性
V
SD
源极 - 漏极的正向电压
2
V
GS
=0, I
S
=2.25A
I
S
连续二极管电流
T
A
=25C
注2 ：脉冲测试：脉冲宽度= 300μS
注3 ：设计保证。未进行生产测试。
35
30
160
80
1.1
2.25
2
9125.2001.12.0.9
AAT9125
30V N沟道功率MOSFET
典型特征
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
正向特性
50
归一化
DS （ ON）
R
DS （ ON）
/ R
DS （ ON）
在门= 10 V
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
10
20
30
40
50
4.5V
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
4V
3.5 V
4V
4.5 V
I
D
(A)
6V 5V
10V
3.5V
2V
3V
5V
6V
10 V
5
V
D
(V)
I
D
(A)
R
DS （ ON）
与V
G
50
50
转让
5A
40
15A
10A
I
D
(A)
40
R
DS （ ON）
（ mW）的
V
G
=V
D
30
20
10
0
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
V
G
(V)
V
G
(V)
源极到漏极电压
100
10
8
10
栅极电荷特性
栅极电压（ V）
0.6
0.8
1
1.2
I
SD
(A)
6
1
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
0.1
0.4
V
SD
(V)
栅极电荷（ NC）
9125.2001.12.0.9
3
AAT9125
30V N沟道功率MOSFET
订购信息
产品型号
包
SOP-8
记号
体积
AAT9125IAS-B1
磁带和卷轴
AAT9125IAS-T1
包装信息
SOP-8
暗淡
A
A1
A2
B
C
D
E
e
H
L
Y
θ1
ê
D
7 (4x)
A
A2
Q
c
MILLIMETERS
民
最大
1.35
1.75
0.10
0.25
1.45
0.33
0.51
0.19
0.25
4.80
5.00
3.80
4.00
1.27
5.80
6.20
0.40
1.27
0.00
0.10
0°
8°
英寸
民
最大
0.053
0.069
0.004
0.010
0.057
0.013
0.020
0.007
0.010
0.189
0.197
0.150
0.157
0.050
0.228
0.244
0.016
0.050
0.000
0.004
0°
8°
b
y
e
A1
L
注意：
1.包装体型排除毛边
突出或毛刺。
2.公差0.1000毫米（ 4mil的），除非
另有规定编
3.共面： 0.1000毫米
4.尺寸L是衡量GAGE平面。
5.控制尺寸为毫米;
翻新英制尺寸不
不一定是精确。
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1250 Oakmead大道，套房310 ，桑尼维尔，CA 94086
电话（ 408 ） 524-9684
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4
9125.2001.12.0.9
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