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IDT79RC32134
引脚名称
mem_oe_n
键入备用信号（S ）
O
不适用
描述
存储器输出使能取反
此低电平信号，表明无论是内存或I / O库可以输出的数据线到
cpu_ad总线。
内存写使能否定的公交车
这些低电平有效信号表示该字节是存储器或I / O事务时写入。
内存等待取反
In
MEM ， IOI ，国际移民组织模式
该低电平有效信号允许在被注入外部等待状态
数据之前最后一个周期被采样。在
DPM （双端口）模式，
这个信号使得双端口忙音
重新启动存储器事务。
内存FCT245输出使能取反
此低电平有效信号控制输出时声称能以任意FCT245收发银行
读取和写入到存储器或I / O插槽。
内存FCT245方向XMIT /接收否定的
使用cpu_dt_r_n引脚。
mem_we_n [3 ：0]的
mem_wait_n
O
I
不适用
edo_dram_wait_n
mem_245_oe_n
O
不适用
mem_245_dt_r_n
EDODRAM控制器
edodram_addr [15： 2]
O
cpu_dt_r_n
O
mem_addr [15： 2]
Edodram_addr / sdram_addr模式
这些输出信号，一个DRAM的交易期间提供的DRAM地址。在DRAM
行和列地址之间的地址复用。在每一个字的数据，则该列
，地址递增无论是在直链或子块的排序取决于事务的类型。
允许外部存储器上调试仿真器注入等待状态。欲了解更多详细信息，请参见用户的MAN-
UAL 。
DRAM行地址选通总线取反
SDRAM模式：
提供片选到每个SDRAM的银行。
EDODRAM方式：
用作edodram_ras_n [3： 0]引脚以提供一个RAS信号的每个EDODRAM
银行。
DRAM列地址选通总线取反
在
EDODRAM模式
这些信号被用作edodram_cas_n [3：0 ]提供一个CAS信号为
每个字节通道。在
SDRAM模式，
这些信号提供字节使能对所有的每个字节通道
DRAM银行。
EDO DRAM输出使能取反
在EDODRAM模式，
这个低电平有效的信号提供输出使能信号，用于读出用于particu-
LAR OE类型EDODRAM的。这个信号也控制输出使能到可选FCT245传输
通过认定过程中读取和写入任何DRAM银行ceiver银行。这个信号还控制
输出使能每个EDO DRAM芯片。可替换地，因为EDODRAM控制器总是
使用早期写和CAS控制非交错读取，在OE_n针，每EDO DRAM
片，可以简单地连接至地。
SDRAM的RAS
模式的控制信号给所有的SDRAM的银行。在
SDRAM模式，
该信号控制输出使能由一个可选的FCT245收发银行
主张在读取和写入任何DRAM银行。
EDO DRAM的写使能否定的
In
EDODRAM
模式下，该低电平有效信号被用作edodram_we_n销，以提供一个写
使能信号为EDODRAM 。写使能是刷新过程中有效的在任何时候都高。在
SDRAM
模式，
这个信号提供了SDRAM的WE控制信号给所有SDRAM的银行。
DRAM等一下取反
在
EDO DRAM模式，
该低电平有效信号允许外部等待状态，以随时注入
在EDO DRAM的周期。在
MEM ， IOI ，国际移民组织模式，
该低电平有效信号允许外部
最后一个循环期间要注入的等待态之前的数据进行采样。在DPM （双端口）模式
允许双端口占线信号以重新启动存储器事务。
表2 RC32134引脚说明（第8 5 ）
edodram_ras_n [3 ：0]的
O
sdram_cs_n [3 ：0]的
edodram_cas_n [3 ：0]的
O
sdram_bemask_n [3 ：0]的
edodram_oe_n
O
sdram_ras_n ，
sdram_245_oe_n
edodram_we_n
O
sdram_we_n
edodram_wait_n
I
mem_wait_n
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2001年4月9日
