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IDT79RC32134
引脚名称
edodram_245_oe_n
键入备用信号（S ）
O
sdram_245_oe_n
描述
DRAM FCT245输出使能取反
在SDRAM模式下，该低电平有效信号
控制输出使能到可选FCT245传输
通过认定过程中读取和写入任何DRAM银行ceiver银行。在
EDODRAM模式
该信号控制输出时声称能以一个可选的FCT245收发银行
读取和写入任何DRAM银行。这个信号也控制输出使能每个EDO
DRAM芯片。另外，由于EDODRAM控制器始终使用早期写和CAS CON-
受控非交错读取，该OE_n销，每个EDO DRAM芯片上，可以简单地连接至地。
DRAM / MEM FCT245直接XMIT /接收否定的
此低电平有效的信号控制可选FCT245收发银行的DT / R引脚。它是断言
的DMA中读取操作。这个信号是三态的过程中的CPU访问（当CPU拥有
在DMA总线）和驱动器产生的访问。
edodram_245_dt_r_n
cpu_dt_r_n
SDRAM控制器接口
sdram_addr [ 15:13 ]
sdram_addr [11： 2]
O
mem_addr [ 15:13 ]
mem_addr [11： 2]
SDRAM地址总线
这些信号输出的DRAM交易期间提供的DRAM地址。在DRAM
行和列地址之间的地址复用。在每一个字的数据，则该列
，地址递增无论是在直链或子块的排序取决于事务的类型。
SDRAM地址线12
该SDRAM的地址是专门为行地址之间的SDRAM和复用;并能很好地协同
荷兰国际集团的预充电命令，在"all bank"指示器。
SDRAM RAS取反
SDRAM模式：
提供SDRAM RAS控制信号给所有SDRAM的银行。
EDODRAM方式：
提供一个输出使能信号，用于读出用于特定操作环境类型EDODRAM的。
SDRAM CAS取反
此低电平有效信号提供了一个SDRAM CAS控制信号给所有SDRAM的银行。
SDRAM WE取反
SDRAM模式：
SDRAM提供了我们控制信号给所有SDRAM的银行。
EDODRAM方式：
用作edodram_we_n销，以提供一个写使能信号为EDODRAM 。
写使能是刷新过程中有效的在任何时候都高。
SDRAM时钟
这个信号提供了基本的系统时钟，并且必须被提供给该相同的时钟
RC32364而且，如果使用的话，到SDRAM中。
SDRAM时钟使能
在
SDRAM模式
这个信号提供时钟使能对所有的SDRAM银行。
SDRAM芯片选择否定的公交车
In
SDRAM模式，
这些低电平信号提供片选到每个SDRAM的银行。在
EDODRAM
模式
它们被用作edodram_ras_n [3： 0]引脚，并为每个EDODRAM提供一个RAS信号
银行。
SDRAM字节使能屏蔽否定的公交车
该
SDRAM模式
提供字节使能为所有的DRAM银行的每个字节通道。为了提供一个CAS
信号的每个字节通道中，
EDODRAM模式
用作edodram_cas_n [3：0 ] 。
SDRAM FCT245输出使能否定的
In
SDRAM模式，
该低电平有效信号控制输出使能以任意FCT245收发银行
通过认定过程中读取和写入任何DRAM银行。在
EDODRAM模式
这个信号CON-
trols输出声称要启用可选FCT245收发银行在读取和写入
任何DRAM银行。还控制输出使能每个EDO DRAM芯片。可替换地，因为
EDODRAM控制器总是使用早期写和CAS控制非交错读取时，
每个EDO DRAM芯片上OE_n销可以简单地连接至地。
表2 RC32134引脚说明（页8 6 ）
sdram_addr_12
O
PIO[9]
sdram_ras_n
O
edodram_oe_n
sdram_cas_n
sdram_we_n
O
O
不适用
edodram_we_n
SDRAM_CLK
I
cpu_masterclk
sdram_cke
sdram_cs_n [3 ：0]的
O
O
不适用
edodram_ras_n [3 ：0]的
sdram_bemask_n [ 3 ： 0 ]
edodram_cas_n [3 ：0]的
sdram_245_oe_n
O
edodram_245_oe_n,
edodram_oe_n
10 25
2001年4月9日
