位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第19页 > K4D26323RA-GC2A > K4D26323RA-GC2A PDF资料 > K4D26323RA-GC2A PDF资料2第16页
* VDD / VDDQ = 2.8V *
K4D26323RA-GC
交流特性（ I）
参数
行周期时间
刷新行周期时间
行活动时间
RAS到CAS延迟为读
RAS到CAS延迟写
行预充电时间
行主动到主动排
在过去的数据来行预充电
@Normal预充电
在过去的数据来行预充电
@Auto预充电
最后的数据读取命令
上校地址上校地址
模式寄存器设置循环时间
自动预充电写恢复
+预充电
退出自刷新阅读的COM
掉电退出时间
刷新间隔时间
128M DDR SDRAM
-36
对称
BOL
-2A
民
15
17
10
5
3
5
4
3
3
2
1
2
8
200
1tCK+tIS
7.8
最大
-
-
100K
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
民
13
15
9
4
2
4
3
2
3
2
1
2
7
200
1tCK+tIS
7.8
-33
最大
-
-
100K
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
民
16
18
11
5
3
5
3
3
3
2
1
2
8
200
1tCK+tIS
7.8
t
RC
t
RFC
t
RAS
t
RCDRD
t
RCDWR
t
RP
t
RRD
t
WR
t
WR_A
t
CDLR
t
CCD
t
MRD
最大
-
-
100K
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
TCK
ns
us
记
1
1
1
t
DAL
t
XSR
t
PDEX
t
REF
是一，在正常的写入动作，偶数锭的要被写入内部的DRAM ：注
（单位：时钟数）
交流特性（ II ）
K4D26323RA-GC2A
频率
CAS延迟
350MHz的（ 2.86ns ）
4
300MHz的（ 3.3ns ）
4
275MHz （ 3.6ns ）
4
TRC
15
13
16
tRFC
17
15
18
tRAS的
10
9
11
tRCDRD tRCDWR
5
3
4
2
5
3
激进党
5
4
5
TRRD
4
3
3
tDAL
8
7
8
单位
TCK
TCK
TCK
K4D26323RA-GC33
频率
CAS延迟
300MHz的（ 3.3ns ）
4
275MHz （ 3.6ns ）
4
TRC
13
16
tRFC
15
18
tRAS的
9
11
tRCDRD tRCDWR
4
2
5
3
激进党
4
5
TRRD
3
3
tDAL
7
8
单位
TCK
TCK
K4D26323RA-GC36
频率
CAS延迟
275MHz （ 3.6ns ）
4
TRC
16
tRFC
18
tRAS的
11
tRCDRD tRCDWR
5
3
激进党
5
TRRD
3
tDAL
8
单位
TCK
- 16 -
2.0版本（ 2003年1月）
