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* VDD / VDDQ = 2.8V *
K4D26323RA-GC
推荐工作条件，除非另有说明，T
A
= 0至65
°
C)
128M DDR SDRAM
DC特性
参数
工作电流
（一银行活动）
预充电待机电流
在掉电模式
符号
VERSION
测试条件
-2A
I
CC1
I
CC2
P
突发Lenth = 2
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
I
OL
=0mA,
t
CC
=
t
CC
（分钟）
CKE
≤
V
IL
（最大） ，
t
CC
=
t
CC
（分钟）
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（ MIN）
500
85
145
140
400
940
330
-33
480
80
130
130
350
840
320
4
1200
1080
1000
-36
460
75
120
120
320
800
310
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
2
1
单位注
预充电待机电流
I
CC2
N
在非掉电模式
主动待机电流
掉电模式
在活动待机电流
在非掉电模式
工作电流
（突发模式）
刷新当前
自刷新电流
工作电流
（ 4Bank交错）
I
CC3
P
I
CC3
N
I
CC4
I
CC5
I
CC6
I
CC7
t
CC
=
t
CC
（分钟）
CKE
≤
V
IL
（最大） ，
t
CC
=
t
CC
（分钟）
CKE
≥
VIH （MIN） ， CS
≥
VIH （ min）的
t
CC
=
t
CC
（分钟）
I
OL
= 0毫安，
t
CC
=
t
CC
（ MIN）
页突发，所有银行激活。
t
RC
≥
t
RFC
（分钟）
CKE
≤
0.2V
突发长度= 4
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
I
OL
=0mA,
t
CC
=
t
CC
（分钟）
注意：
1.测量与产出开放。
2.刷新周期是32毫秒。
AC输入工作条件
推荐工作条件（电压参考V
SS
=0V, V
DD
=2.8V+ 5%, V
DDQ
= 2.8V + 5 ％ ，T
A
= 0 65℃）
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压; DQ
输入低电平（逻辑0 ）电压; DQ
时钟输入差分电压; CK和CK
时钟输入交叉点电压; CK和CK
符号
V
IH
V
IL
V
ID
V
IX
民
V
REF
+0.4
-
0.8
0.5*V
DDQ
-0.2
典型值
-
-
-
-
最大
-
V
REF
-0.4
V
DDQ
+0.6
0.5*V
DDQ
+0.2
单位
V
V
V
V
记
1
2
注意：
1. V
ID
是在CK上的输入电平之间的差的量值和CK的输入电平
2. V的值
IX
预计相当于0.5 * V
DDQ
发送设备的，并且必须跟踪变化的相同的DC电平
- 12 -
2.0版本（ 2003年1月）
