HGTP10N40C1 ， 40E1 ， 50C1 ， 50E1 ， HGTH12N40C1 ， 40E1 ， 50C1 ， 50E1
典型性能曲线
20.0
V
GE
= 10V ，R
根
= R
GE
= 100
额定功率耗散（ ％ ）
-50
-25
0
+25
+50 +75 +100 +125 +150 +175
(
o
C)
17.5
I
CE
，集电极电流（ A）
15.0
12.5
10.0
7.5
5.0
2.5
0.0
-75
100
80
60
40
20
0
+25
+50
+75
+100
+125
(
o
C)
+150
T
D
，结温
T
C
，外壳温度
图1. MAX 。切换目前的水平。
G
= 50,
V
GE
= 0V ARE THE MIN 。允许值
图2：功耗与温度DERAT-
ING曲线
归一化的栅极阈值电压
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
R（T ），有效瞬态热
阻抗（标准化）
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1毫安
Z
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
,
D曲线任选一功率脉冲，
火车所示读取时间在T1，
T
J（下PEAK ）
- T
C
= P
（峰值）
Z
θJC
(t)
10
1.0
D = 0.5
D = 0.2
0.1
D = 0.05
单脉冲
0.1
1.0
10
吨，时间（ ms）的
100
1000
-50
0
+50
+100
+150
(
o
C)
0.01
0.01
T
J
，结温
图3.典型的归一化栅极阈值电压
AGE VS结温
图4.归热响应字符
开创性意义
I
CE
，通态集电极电流（ A）
17.5
T
C
= +25
o
C
17.5
V
GE
= 20V
I
CE
，集电极电流（ A）
15.0
12.5
10.0
7.5
5.0
2.5
+125
o
C
0
2.5
5.0
7.5
10.0
0
V
GE
= 4V
V
GE
= 10V
V
GE
= 8V
V
GE
= 6V
V
GE
= 7V
脉冲测试，V
CE
= 10V
脉冲持续时间为80μs =
15.0占空比= 0.5 ％ MAX 。
12.5
10.0
7.5
5.0
+25
o
C
2.5
-40
o
C
V
GE
= 5V
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
1
2
3
4
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
5
图5.典型的传输特性
图6.典型的饱和特性
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