特定网络阳离子HGTP10N40C1 ， 40E1 ， 50C1 ， 50E1 ， HGTH12N40C1 ， 40E1 ， 50C1 ， 50E1
电气连接特定的阳离子
T
C
= +25
o
C，除非另有规定编
范围
HGTH12N40C1 ，E1
HGTP10N40C1 ， E1
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
栅极阈值电压
符号
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
测试条件
I
C
= 1mA时， V
GE
= 0
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1毫安
V
CE
= 400V ，T
C
= +25
o
C
V
CE
= 500V ，T
C
= +25
o
C
V
CE
= 400V ，T
C
= +125
o
C
V
CE
= 500V ，T
C
= +125
o
C
栅极 - 发射极漏电流
电压集电极 - 发射极
I
GES
V
CE （ON）的
V
GE
=
±20V,
V
CE
= 0
I
C
= 10A ，V
GE
= 10V
I
C
= 17.5A ，V
GE
= 20V
栅极 - 射极电压高原
导通状态的栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
40E1, 50E1
40C1, 50C1
关断每个周期的能量损失
（关开关损耗=
W
关闭
X频）
40E1, 50E1
40C1, 50C1
热阻
结到外壳
R
θJC
HGTH ， HGTM
HGTP
-
-
W
关闭
I
C
= 10A ，V
CE （ CLP）
= 300V,
L = 50μH ，T
J
= +100
o
C,
V
GE
= 10V ，R
G
= 50
680 （典型值）
400 （典型值）
1.67
2.083
-
-
1.67
2.083
J
J
o
C / W
o
HGTH12N50C1 ，E1
HGTP10N50C1 ， E1
民
500
最大
-
单位
V
民
400
最大
-
2.0
4.5
3 （典型值）
250
-
1000
-
100
2.5
3.2
6 （典型值）
19 （典型值）
50
50
400
2.0
4.5
3 （典型值）
-
250
-
1000
100
2.5
3.2
6 （典型值）
19 （典型值）
50
50
400
V
A
A
A
A
nA
V
V
V
nC
ns
ns
ns
零门极电压集电极
当前
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
GEP
Q
G（ ON）的
t
D（ ON ）I
t
RI
t
D（ OFF ）I
t
FI
I
C
= 5A ，V
CE
= 10V
I
C
= 5A ，V
CE
= 10V
I
C
= 10A ，V
CE （ CLP）
= 300V,
L = 50μH ，T
J
= +100
o
C,
V
GE
= 10V ，R
G
= 50
680 （典型值）
400
1000
500
680 （典型值）
400
1000
500
ns
ns
C / W
Intersil公司IGBT产品受以下一项或美国专利更多：
4,364,073
4,587,713
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,417,385
4,598,461
4,644,637
4,801,986
4,883,767
4,430,792
4,605,948
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,443,931
4,618,872
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,466,176
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,516,143
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,532,534
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,567,641
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
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