HGTP10N40C1 ， 40E1 ， 50C1 ， 50E1 ，
HGTH12N40C1 ， 40E1 ， 50C1 ， 50E1
1995年4月
10A, 12A,
400V和500V N沟道IGBT的
套餐
HGTH类型JEDEC TO- 218AC
辐射源
集热器
集热器
（法兰）
门
特点
10A和12A ， 400V和500V
V
CE （ON）的
： 2.5V最大。
T
FI
: 1s, 0.5s
低通态电压
快速开关速度
高输入阻抗
无反并联二极管
应用
HGTP类型JEDEC TO- 220AB
电源
电机驱动器
保护电路
集热器
（法兰）
辐射源
集热器
门
描述
该HGTH12N40C1 ， HGTH12N40E1 ， HGTH12N50C1 ， HGTH12N50E1 ，
HGTP10N40C1 ， HGTP10N40E1 ， HGTP10N50C1和HGTP10N50E1
是n沟道增强型绝缘栅双极晶体管
（ IGBT的），专为高电压，低导通损耗的应用，如
开关稳压器和电机驱动器。这些类型的可被操作
直接从低功耗集成电路。
包装供货情况
产品型号
HGTH12N40C1
HGTH12N40E1
HGTH12N50C1
HGTH12N50E1
HGTP10N40C1
HGTP10N40E1
HGTP10N50C1
HGTP10N50E1
包
TO-218AC
TO-218AC
TO-218AC
TO-218AC
TO-220AB
TO-220AB
TO-220AB
TO-220AB
BRAND
G12N40C1
G12N40E1
G12N50C1
G12N50E1
G10N40C1
G10N40E1
G10N50C1
G10N50E1
E
G
端子图
N沟道增强模式
C
注：订货时，使用整个零件编号。
绝对最大额定值
T
C
= +25
o
C，除非另有规定编
HGTH12N40C1
HGTH12N40E1
HGTH12N50C1
HGTH12N50E1
500
500
15
±20
12
17.5
75
0.6
-55到+150
HGTP10N40C1
HGTP10N40E1
400
400
-5
±20
10
17.5
60
0.48
-55到+150
HGTP10N50C1
HGTP10N50E1单位
500
500
-5
±20
10
17.5
60
0.48
-55到+150
V
V
V
V
A
A
W
W/
o
C
o
C
集电极 - 发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
CES
集电极 - 栅极电压
GE
= 1MΩ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CGR
反向集电极 - 发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
ECS
（转）
栅极 - 发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GE
连续集电极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C
集电极电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
在T功耗
C
=
+25
o
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . P
D
+25
o
C
...........
功耗降额以上的牛逼
C
＆ GT ;
400
400
15
±20
12
17.5
75
0.6
-55到+150
工作和存储结温范围。 。 。牛逼
J
, T
英镑
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
1697.3
3-15
