K9K1G08R0B
K9K1G08B0B
K9K1G08U0B
页编程
FL灰内存
ADVANCE
该设备基本上是编程的以页为单位，但它允许一个字节或连续字节的多个部分页编程
达528 ，在一个单一的页编程周期。连续的部分页编程操作在同一个页面上与 - 数
出一个插入擦除操作必须不超过1对主阵列和2为备用阵列。的寻址可以在任何随机完成
DOM顺序块。一个页面的程序循环包括在其中可以加载到528个字节的数据的串行数据加载期间
到页面寄存器，随后在那里加载的数据被编程到相应的单元格的非挥发性的编程周期。
串行数据加载可以从下半年阵列通过移动指针开始。对指针的操作，请参考附
技术说明。
该串行数据加载期间开始通过输入串行数据输入命令（ 80h）位置，随后的四个周期的地址输入和
然后串行数据加载。比那些要被编程的其他的字节不必是loaded.The页编程确认的COM
命令（ 10H ）启动编程过程。单独写10H不预先输入的串行数据不会主动亲
编程过程。内部写状态控制自动执行必要的算法和时序方案和
验证，从而释放用于其它任务的系统控制器。一旦程序启动过程中，读状态寄存器命令
可以输入，用RE和CE低，读状态寄存器。系统控制器可以检测完成一个程序循环的
通过监测R / B输出，或状态位（ I / O 6 ）状态寄存器。只有读状态命令和复位命令是
有效而编程过程中。当页面编程完成时，写状态位（I / O 0 ）可以被选中（图10）。
对于"1"s未成功编程"0"s内部写校验只能检测错误。命令寄存器保持
读状态命令模式，直到其他有效的命令被写入命令寄存器。
图10.程序&读状态操作
R / B
I / O
0
~
7
80h
地址&数据输入
A
0
~ A
7
＆放大器;一
9
~ A
26
528字节数据
t
PROG
10h
70h
I / O
0
通
失败
块擦除
擦除操作完成一个块（ 16K字节）的基础上。块地址加载完成由擦除发起三个周期
设置命令（ 60H ） 。只有地址A
14
到A
26
有效而A
9
到A
13
被忽略。擦除确认命令（ D0H ）继
块地址加载启动内部擦除过程。安装程序然后执行命令这两步序列
确保了存储器的内容不会被意外由于外部干扰条件下擦除。
在我们的擦除确认指令输入后的上升沿，内部写控制器处理擦除和擦除验证。当
擦除操作完成时，写状态位（I / O 0 ）可以被检查。图11详细描述的顺序。
图11.块擦除操作
R / B
I / O
0
~
7
60h
t
别尔斯
地址输入（ 3Cycle ）
块添加。 ：一
14
~ A
26
D0h
70h
I / O
0
通
失败
30
