K9K1G08R0B
K9K1G08B0B
K9K1G08U0B
FL灰内存
ADVANCE
文档标题
128M ×8位NAND闪存
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
首次发行。
1.注1 （编程/擦除特性）加入（第13页）
2. NAND闪存技术说明改变。
（无用）块->初始无效块（第15页）
-error在写或读操作（第16页）
- 程序流程图（第16页）
3. Vcc的范围内变化
-1.7V 1.95V ->1.65V 1.95V
4. 2.7V器件添加
5
。多平面操作和复制回收计划不支持1.8V
装置。
草案日期
2003年3月17日
二○○四年十月一十一日
备注
ADVANCE
ADVANCE
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分公司附近的办公室。
1
K9K1G08R0B
K9K1G08B0B
K9K1G08U0B
FL灰内存
ADVANCE
128M ×8位位NAND闪存
产品列表
产品型号
K9K1G08R0B-G,J
K9K1G08B0B-G,J
K9K1G08U0B-G,J
VCC范围
1.65 ~ 1.95V
2.5 ~ 2.9V
2.7 ~ 3.6V
X8
FBGA
组织
PKG型
特点
电源
- 1.8V器件（ K9K1G08R0B ） ： 1.65 1.95V
- 2.7V器件（ K9K1G08B0B ） ： 2.5 2.9V
- 3.3V器件（ K9K1GXXU0B ） ： 2.7 3.6 V
组织
- 存储单元阵列
-128M + 4096K ）位×8位
- 数据寄存器
- （ 512 + 16 ）位x 8位
自动编程和擦除
- 页编程
- （ 512 + 16 ）字节
- 块擦除：
- （ 16K + 512 ）字节
页面读取操作
- 页面大小
- （ 512 + 16 ）字节
- 随机存取
：为15μs （最大值）
- 串行页面访问：为50ns （分钟） *
* K9K1G08R0B ：为60ns
快速写周期时间
- 计划时间：为200μs （典型值）
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力
： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
智能拷贝回
独特的ID为版权保护
包
- K9K1G08X0B - GCB0 / GIB0
63-球FBGA
- K9K1G08X0B - JCB0 / JIB0
63-球FBGA - 无铅封装
概述
该K9K1G08X0B是128M （ 134217728 ） x8bit NAND闪存用备用4.096K （ 4,194,304 ） x8bit 。它的NAND单元提供
为固态大容量存储器市场的最具成本效益的解决方案。一个程序就可以执行操作中通常为200μS上
该528字节的页和擦除操作可在通常为2ms的16K字节块上进行。在数据寄存器中的数据可以是
读出在50ns （ 1.8V设备：为60ns ），每字节循环时间。在I / O引脚作为地址和数据输入/输出端口以及
指令输入。芯片上的写控制器自动完成所有的编程和擦除功能，包括脉冲重复，在必要时，
和内部验证和数据的裕度。即使是写密集型系统可以利用K9K1G08X0B的扩展可靠的
的100K计划的能力/提供ECC （纠错码）与实时映射出的算法擦除周期。该
K9K1G08X0B是对于大的非易失性存储器的应用，如固态的文件存储和其它便携式的最佳解决方案
应用程序需要非易失性。
2
K9K1G08R0B
K9K1G08B0B
K9K1G08U0B
引脚配置（ FBGA ）
K9K1G08X0B-GCB0,JCB0/GIB0,JIB0
FL灰内存
ADVANCE
1
N.C N.C
2
3
4
5
6
N.C N.C
N.C N.C
A
B
C
N.C
/ WP
NC
NC
NC
NC
NC
NC
VSS
ALE
/ RE
NC
NC
NC
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
CLE
NC
NC
NC
NC
NC
/ CE
NC
NC
NC
NC
NC
/ WE
NC
NC
NC
NC
NC
R / B
NC
NC
NC
NC
VCC
I/O7
VSS
D
E
F
G
H
VCCQ I / O5
I/O6
I / O3 I / O4
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
顶视图
3
K9K1G08R0B
K9K1G08B0B
K9K1G08U0B
引脚说明
引脚名称
I / O
0
- I / O
7
(K9K1G08X0B)
引脚功能
FL灰内存
ADVANCE
数据输入/输出
在I / O引脚在读操作期间用于输入命令，地址和数据，并输出数据。在I /
O管脚浮到高阻当芯片被取消或当输出被禁止。
命令锁存使能
在CLE输入控制用于发送到命令寄存器的命令的激活路径。当高电平有效，
命令被锁存到通过上WE信号的上升沿，在I / O端口的命令寄存器。
地址锁存使能
在ALE的输入控制的激活路径为地址为内部地址寄存器。地址是
锁存WE与ALE高的上升沿。
芯片使能
行政长官输入设备选择控制。当设备处于忙状态时， CE的高被忽略，并且
该设备不返回到待机模式在编程或擦除操作。就在CE控制
读操作时，指的是设备操作“页面阅读”部分。
读使能
对RE输入是串行数据输出控制，并且当有源驱动器中的数据到I / O总线。数据是有效的
RE的下降沿也加一内部列地址计数器后TREA 。
写使能
在WE输入控制写入到I / O端口。命令，地址和数据被锁存的上升沿
在WE脉冲。
写保护
WP引脚提供了在电源转换无意的写/擦除保护。内部高压
发生器复位时， WP引脚为低电平有效。
READY / BUSY输出
中的R / B输出指示设备操作的状态。当低，则表明一编程，擦除或
随机读取操作过程中和完成后返回高电平状态。这是一个漏极开路输出，
不浮到高阻状态时，芯片是取消或输出被禁止。
输出缓冲器电源
VCC
Q
对于输出缓冲器的电源。
VCC
Q
在内部连接到Vcc ，从而应被偏置到Vcc 。
动力
V
CC
是用于设备的电源。
地
无连接
铅是没有内部连接。
不要使用
给它断开。
CLE
ALE
CE
RE
WE
WP
R / B
VCC
Q
VCC
VSS
N.C
DNU
记
：将所有V
CC
和V
SS
每个设备共用电源输出的引脚。
不要让V
CC
或V
SS
断开。
5
K9K1G08R0B
K9K1G08B0B
K9K1G08U0B
FL灰内存
ADVANCE
文档标题
128M ×8位NAND闪存
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
首次发行。
1.注1 （编程/擦除特性）加入（第13页）
2. NAND闪存技术说明改变。
（无用）块->初始无效块（第15页）
-error在写或读操作（第16页）
- 程序流程图（第16页）
3. Vcc的范围内变化
-1.7V 1.95V ->1.65V 1.95V
4. 2.7V器件添加
5
。多平面操作和复制回收计划不支持1.8V
装置。
草案日期
2003年3月17日
二○○四年十月一十一日
备注
ADVANCE
ADVANCE
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分公司附近的办公室。
1
K9K1G08R0B
K9K1G08B0B
K9K1G08U0B
FL灰内存
ADVANCE
128M ×8位位NAND闪存
产品列表
产品型号
K9K1G08R0B-G,J
K9K1G08B0B-G,J
K9K1G08U0B-G,J
VCC范围
1.65 ~ 1.95V
2.5 ~ 2.9V
2.7 ~ 3.6V
X8
FBGA
组织
PKG型
特点
电源
- 1.8V器件（ K9K1G08R0B ） ： 1.65 1.95V
- 2.7V器件（ K9K1G08B0B ） ： 2.5 2.9V
- 3.3V器件（ K9K1GXXU0B ） ： 2.7 3.6 V
组织
- 存储单元阵列
-128M + 4096K ）位×8位
- 数据寄存器
- （ 512 + 16 ）位x 8位
自动编程和擦除
- 页编程
- （ 512 + 16 ）字节
- 块擦除：
- （ 16K + 512 ）字节
页面读取操作
- 页面大小
- （ 512 + 16 ）字节
- 随机存取
：为15μs （最大值）
- 串行页面访问：为50ns （分钟） *
* K9K1G08R0B ：为60ns
快速写周期时间
- 计划时间：为200μs （典型值）
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力
： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
智能拷贝回
独特的ID为版权保护
包
- K9K1G08X0B - GCB0 / GIB0
63-球FBGA
- K9K1G08X0B - JCB0 / JIB0
63-球FBGA - 无铅封装
概述
该K9K1G08X0B是128M （ 134217728 ） x8bit NAND闪存用备用4.096K （ 4,194,304 ） x8bit 。它的NAND单元提供
为固态大容量存储器市场的最具成本效益的解决方案。一个程序就可以执行操作中通常为200μS上
该528字节的页和擦除操作可在通常为2ms的16K字节块上进行。在数据寄存器中的数据可以是
读出在50ns （ 1.8V设备：为60ns ），每字节循环时间。在I / O引脚作为地址和数据输入/输出端口以及
指令输入。芯片上的写控制器自动完成所有的编程和擦除功能，包括脉冲重复，在必要时，
和内部验证和数据的裕度。即使是写密集型系统可以利用K9K1G08X0B的扩展可靠的
的100K计划的能力/提供ECC （纠错码）与实时映射出的算法擦除周期。该
K9K1G08X0B是对于大的非易失性存储器的应用，如固态的文件存储和其它便携式的最佳解决方案
应用程序需要非易失性。
2
K9K1G08R0B
K9K1G08B0B
K9K1G08U0B
引脚配置（ FBGA ）
K9K1G08X0B-GCB0,JCB0/GIB0,JIB0
FL灰内存
ADVANCE
1
N.C N.C
2
3
4
5
6
N.C N.C
N.C N.C
A
B
C
N.C
/ WP
NC
NC
NC
NC
NC
NC
VSS
ALE
/ RE
NC
NC
NC
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
CLE
NC
NC
NC
NC
NC
/ CE
NC
NC
NC
NC
NC
/ WE
NC
NC
NC
NC
NC
R / B
NC
NC
NC
NC
VCC
I/O7
VSS
D
E
F
G
H
VCCQ I / O5
I/O6
I / O3 I / O4
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
N.C N.C
顶视图
3
K9K1G08R0B
K9K1G08B0B
K9K1G08U0B
引脚说明
引脚名称
I / O
0
- I / O
7
(K9K1G08X0B)
引脚功能
FL灰内存
ADVANCE
数据输入/输出
在I / O引脚在读操作期间用于输入命令，地址和数据，并输出数据。在I /
O管脚浮到高阻当芯片被取消或当输出被禁止。
命令锁存使能
在CLE输入控制用于发送到命令寄存器的命令的激活路径。当高电平有效，
命令被锁存到通过上WE信号的上升沿，在I / O端口的命令寄存器。
地址锁存使能
在ALE的输入控制的激活路径为地址为内部地址寄存器。地址是
锁存WE与ALE高的上升沿。
芯片使能
行政长官输入设备选择控制。当设备处于忙状态时， CE的高被忽略，并且
该设备不返回到待机模式在编程或擦除操作。就在CE控制
读操作时，指的是设备操作“页面阅读”部分。
读使能
对RE输入是串行数据输出控制，并且当有源驱动器中的数据到I / O总线。数据是有效的
RE的下降沿也加一内部列地址计数器后TREA 。
写使能
在WE输入控制写入到I / O端口。命令，地址和数据被锁存的上升沿
在WE脉冲。
写保护
WP引脚提供了在电源转换无意的写/擦除保护。内部高压
发生器复位时， WP引脚为低电平有效。
READY / BUSY输出
中的R / B输出指示设备操作的状态。当低，则表明一编程，擦除或
随机读取操作过程中和完成后返回高电平状态。这是一个漏极开路输出，
不浮到高阻状态时，芯片是取消或输出被禁止。
输出缓冲器电源
VCC
Q
对于输出缓冲器的电源。
VCC
Q
在内部连接到Vcc ，从而应被偏置到Vcc 。
动力
V
CC
是用于设备的电源。
地
无连接
铅是没有内部连接。
不要使用
给它断开。
CLE
ALE
CE
RE
WE
WP
R / B
VCC
Q
VCC
VSS
N.C
DNU
记
：将所有V
CC
和V
SS
每个设备共用电源输出的引脚。
不要让V
CC
或V
SS
断开。
5
QQ：2880707522 复制
