K9K1G08R0B

K9K1G08B0B

K9K1G08U0B

FL灰内存

ADVANCE

文档标题

128M ×8位NAND闪存

修订历史

修订历史号

0.0

0.1

首次发行。

1.注1 （编程/擦除特性）加入（第13页）

2. NAND闪存技术说明改变。

（无用）块->初始无效块（第15页）

-error在写或读操作（第16页）

- 程序流程图（第16页）

3. Vcc的范围内变化

-1.7V 1.95V ->1.65V 1.95V

4. 2.7V器件添加

5

。多平面操作和复制回收计划不支持1.8V

装置。

草案日期

2003年3月17日

二○○四年十月一十一日

备注

ADVANCE

ADVANCE

注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。

http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm

所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利

改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有

有任何疑问，请联系三星分公司附近的办公室。

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