K9K1G08R0B
K9K1G08B0B
K9K1G08U0B
FL灰内存
ADVANCE
AC测试条件
（ K9K1G08X0B - XCB0 ： TA = 0 70 ° C， K9K1G08X0B - XIB0 ： TA = -40 85°C
K9K1G08R0B ： VCC = 1.65V 1.95V ， K9K1G08B0B ： VCC = 2.5V 2.9V ， K9K1G08U0B ： VCC = 2.7V 3.6V ，除非另有说明）
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
K9K1G08R0B
0V至Vcc
Q
5ns
VCC
Q
/2
K9K1G08B0B
0V至Vcc
Q
5ns
VCC
Q
/2
K9K1G08U0B
0.4V至2.4V
5ns
1.5V
K9K1G08R0B ：输出负载（VCC
Q
:1.8V +/-10%)
K9K1G08B0C ：输出负载（VCC
Q
： 2.7V +/- 10 ％ ）， 1 TTL门和CL = 30pF的1 TTL门和CL = 30pF的1 TTL门和CL = 50pF的
K9K1G08U0B ：输出负载（VCC
Q
:3.0V +/-10%)
K9K1G08U0B ：输出负载（VCC
Q
:3.3V +/-10%)
-
-
1 TTL门和CL = 100pF电容
电容
(
T
A
= 25 ° C，V
CC
= 1.8V / 2.7V / 3.3V ， F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
IL
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
20
20
单位
pF
pF
记
：电容周期性采样，而不是100 ％测试。
模式选择
CLE
H
L
H
L
L
L
X
X
X
X
X
ALE
L
H
L
H
L
L
X
X
X
X
(1)
X
CE
L
L
L
L
L
L
X
X
X
X
H
H
X
X
X
X
X
H
X
X
X
X
WE
RE
H
H
H
H
H
WP
X
X
H
H
H
X
X
H
H
L
读取模式
写模式
数据输入
数据输出
在读（忙）上的设备
在项目（忙）
在擦除（忙）
写保护
模式
命令输入
地址输入（ 4clock ）
命令输入
地址输入（ 4clock ）
0V/V
CC
(2)
待用
记
1. X可以是V
IL
或V
IH 。
2. WP应该偏向于CMOS的高或低的CMOS备用。
编程/擦除特性
参数
节目时间
假忙的时间多面计划
局部程序周期数量
在同一个页面
块擦除时间
主阵列
备用阵列
符号
t
PROG
(1)
t
DBSY
NOP
t
别尔斯
-
-
-
民
-
典型值
200
1
-
-
2
最大
500
10
1
2
3
单位
s
s
周期
周期
ms
记
： 1.Typical节目时间被定义为在其整个页面的50％以上，在3.3V和25'C的Vcc的编程时间
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