位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第67页 > KAB02D100M-TNGP > KAB02D100M-TNGP PDF资料 > KAB02D100M-TNGP PDF资料1第44页
KAB0xD100M - TxGP
DC和工作特性
参数
RESET输入漏电流
WP / ACC输入漏电流
读操作工作电流（ 1 ）
活跃的写入电流（ 2 ）
阅读虽然目前的计划（ 3 ）
阅读虽然擦除电流（ 3 ）
节目的同时擦除挂起
当前
ACC加速计划
当前
NOR
FL灰
待机电流
I
SB
1
符号
I
点亮
I
LIW
I
CC
1
I
CC
2
I
CC
3
I
CC
4
I
CC
5
I
加
SEC只
MCP内存
测试条件
VCC
R
-vcc
RMAX ，
RESET=12.5V
VCC
R
-vcc
RMAX ，
WP/ACC=12.5V
CE
R
=V
IL
， OE = V
IH
CE
R
=V
IL
， OE = V
IH
CE
R
=V
IL
， OE = V
IH
CE
R
=V
IL
， OE = V
IH
CE
R
=V
IL
， OE = V
IH
CE
R
=V
IL
， OE = V
IH
ACC球
VCC
R
球
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
14
3
15
25
25
15
5
15
最大
35
35
20
6
30
50
50
35
10
30
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
5MHz
1MHz
VCC
R
-vcc
R
马克斯，CE
R
-vcc
R
±
0.3V,
RESET = VCC
R
±
0.3V,
-
10
30
WP / ACC = VCC
R
±
0.3V或Vss
±
0.3V
WP / ACC = VCC
R
±
0.3V或Vss
±
0.3V
-
-
10
10
30
30
A
A
待机柯伦在复位
自动休眠模式
电压WP / ACC座
暂时解除和
程序加速（ 4）
电压自动选择和
块保护（ 4 ）
VCC低于
R
锁定电压（ 5 ）
主动连续读Currnt
NAND
FL灰
活跃的编程电流
主动擦除电流
Stand_by电流（ CMOS）的
I
SB
2
I
SB
3
VCC
R
-vcc
RMAX
， RESET = VSS
±
0.3V,
V
IH
-vcc
R
±
0.3V, V
IL
= VSS
±
0.3V,
OE = V
IL
, I
OL
=I
OH
=0
VCC
R
= 2.9V
±
0.2V
VCC
R
= 2.9V
±
0.2V
V
HH
8.5
-
12.5
V
V
ID
V
LKO
I
CC
1f
I
CC
2f
I
CC
3f
I
SB
2f
I
CC
1u
8.5
1.8
-
-
10
10
10
10
4
12.5
2.5
20
20
20
50
7
V
V
mA
mA
mA
A
mA
tRC=50ns,CE
F
=V
IL
, I
OUT
=0mA,
VCC
F
-vcc
F
最大
VCC
F
-vcc
F
最大
VCC
F
-vcc
F
最大
CE
F
-vcc
F
， WP = 0V / VCC
F
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，
I
IO
= 0毫安， CS
U
≤0.2V,
ZZ≥VccQ
U
-0.2V,
V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥VccQ
U
-0.2V
循环时间=分钟，100％占空比，我
IO
=0mA,
CS
U
= VIL ， ZZ = V
IH
, V
IN
=V
IL
或V
IH
CSu≥VccQ
U
-0.2V ， ZZ≥VccQ
U
-0.2V,
其他输入= 0 VCCQ
U
ZZ≤0.2V ，其他输入= 0 VCCQ
U
-
-
-
-
-
工作电流
I
CC
2u
UtRAM
Stand_by电流（ CMOS）的
深度掉电
I
SB
2u
I
SBD
-
-
-
30
80
5
35
100
10
mA
A
A
注意事项：
1.我
CC
目前上市的包括直流工作电流和（在5 MHz ）的频率依赖分量。
读取电流通常14毫安（ @ Vcc的
R
= 2.9V ， OE在V
IH
.)
2. I
CC
在内部程序（编程或擦除）积极进行中。
3. I
CC
在阅读活动的同时，写正在进行中。
4.高电压（V
HH
或V
ID
）必须在Vcc的范围内使用
R
= 2.9V
±
0.2V
5.未经100％测试。
6.典型值均在Vcc = 2.9V测量， TA = 25 ° C，测试不是100 ％ 。
- 44 -
修订1.11
2003年8月
