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KAB0xD100M - TxGP
NAND闪存技术说明
在写操作错误
SEC只
MCP内存
在其寿命时间，附加的无效块可以开发与NAND闪存。指的是鉴定报告的实际
数据。下面的可能的故障模式应当考虑实现一个高度可靠的系统。在状态的情况下读取故障 -
擦除或编程之后茜，块替换应该做的。由于程序状态无法在一个页面程序没有影响
在相同块中的其它页的数据，块替换，可以使用一个页大小的缓冲器通过找到一个擦除执行
空块和重编程的当前目标数据，并复制替换块的其余部分。上述附加块失败
费用不包括那些回收的块。
失效模式
清除故障
写
读
程序故障
单位失败（ 1 ）
检测及对策序列
更换擦除-->座后状态读
更换计划-->座后状态读
读回（验证程序后） -->块替换
验证ECC -> ECC校正（ 2 ）
注意：
1.如果编程/擦除周期为1K下，单比尔特失败不occure 。因此，没有必要提供的ECC 。
2. ECC ->错误校正代码->汉明码等。
例如） 1位错误校正和2位的错误检测
图24.闪存程序流程图
如果ECC使用或编程/擦除周期1K下，
是不是需要这种验证操作。
开始
写00H
写80H
写地址
写地址
写数据
等待TR时间
写10H
验证数据
No
*
程序错误
读状态寄存器
是的
项目已完成
I / O 6 = 1 ？
或R / B = 1 ？
是的
No
I / O 0 = 0 ？
No
*
*
程序错误
如果程序运行产生错误，映射出
包括在网页中的错误，并复制该块中的
目标数据到另一个块。
是的
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修订1.11
2003年8月
