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KAB0xD100M - TxGP
阅读虽然写
SEC只
MCP内存
在NOR闪存提供了划分存储阵列分成两个银行的银行双内存架构。该装置是capa-
BLE从一个银行和写入数据的同时读取数据到其他银行。这就是所谓的读，而写操作
与双组体系结构;此功能提供了在编程/擦除或擦除可持执行读取操作的能力
挂起编程操作。
芯片擦除操作过程中，禁止读取，而写操作。它也被擦除操作期间允许时，无论
单块或来自同一存储体的多个块被装载到被擦除。这意味着，虽然读禁止写操作
当加载从存储区1的块，并从池Bank2另一个块一起为多块擦除操作。
块组保护& unprotection的
在NOR闪存功能的硬件模块组保护。此功能将禁用这两个程序在任何擦除操作
组合存储41块组。请参阅表12和13的块组的保护功能被启用
使用编程设备在用户的站点。该设备出厂时所有块组保护。
此功能可以是硬件保护或不受保护的。如果一个块被保护的，程序中或在受保护的块擦除命令会
由该装置被忽略。受保护的块只能被读取。这是保存重要数据的程序有用的方法。该
块组解除保护使受保护的块进行擦除或程序性。所有块必须撤消能操作之前进行保护
值，我们执行。块保护和解除保护可以通过以下方法来实现。
表11块组保护& unprotection的
手术
块组保护
块组撤消
CE
R
L
L
OE
H
H
WE
L
L
字节
X
X
A9
X
X
A6
L
H
A1
H
H
A0
L
L
DQ15/
A-1
X
X
DQ8/
DQ14
X
X
DQ0/
DQ7
D
IN
D
IN
RESET
V
ID
V
ID
地址必须输入到块组保护运行过程中的块组地址（ A12 A21 ） 。请参考图10
（算法）和块组的开关波形保护&撤消操作。
临时块组撤消
该NOR闪存存储器的受保护的块可以是暂时未保护通过施加高电压（V
ID
= 8.5V 12.5V ）到
RESET球。在这种模式下，先前受保护的块可以被编程或擦除与编程或擦除命令的例程。
当RESET球变高（ RESET = V
IH
） ，所有先前受保护的块将被重新保护。如果WP / ACC球
在V断言
IL
，最外边的两个引导块受到保护。
V
ID
V = V
IH
或V
IL
RESET
CE
R
WE
节目&擦除操作
在受保护的块
图9.临时块撤消组序列
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修订1.11
2003年8月
