半导体
MS82V16520
蒙面块写带自动预充电命令（ CS ，
CAS，WE
= "Low" ，
RAS ，
DSF ，
A9 = "High" ）
该蒙面块写带自动预充电命令执行预充电在银行
后自动屏蔽块写了BA选择。
读命令（ CS ，
CAS ，
DSF ， A9 = "Low" ，
RAS ， WE
= "High" ）
开始突发读操作的读命令是必需的。那么突发存取初始位
列地址选通。
阅读与自动Prechaege命令（ CS ，
CAS ，
DSF = "Low" ，
RAS ， WE，
A9 = "High" ）
在阅读与自动预充电命令，开始自动突发读取操作是必需的
预充电后，突发读取。即中断该操作的任何命令不能发出。
没有操作命令（ CS = "Low" ，
RAS ， CAS ， WE
= "High" ）
在无操作命令不会触发任何操作。
装置取消命令（ CS = "High" ）
该装置取消命令禁用
RAS ， CAS，WE ，
DSF和地址输入。这
命令不会触发任何操作。
数据写入/输出使能命令（ DQMi = "Low" ）
数据写入/输出使能命令允许DQ0 - DQ31在读或写。
在每个DQM0 ，1，2和3对应于DQ0 - DQ7 ， DQ8 - DQ15 ， DQ16 - DQ23和DQ24
- DQ31分别。
数据面膜/输出禁止命令（ DQMi = "High" ）
数据掩码/输出禁用命令禁用DQ0 - DQ31 。在读周期输出缓冲器
经过2个时钟被禁用。在写周期中输入缓冲器被以相同的时钟禁用。每个
DQM0 ，1，2和3对应于DQ0 - DQ7 ， DQ8 - DQ15 ， DQ16 - DQ23和DQ24 - DQ31
分别。
突发停止命令（ CS ，
WE ，
DSF = "Low" ，
RAS ， CAS
= "High" ）
突发停止命令停止突发访问时，访问的是在整页。突发停止后
命令被输入，则输出缓冲器进入高阻抗状态。
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