半导体
MS82V16520
银行主动和蒙面写禁止命令（ CS ，
RAS ，
DSF = "Low" ，
CAS，WE
=
"high" ）
该行激活命令激活由BA选择银行。该行激活命令
对应于传统的DRAM的
RAS
坠落操作。行地址"A0 - A9和BA"
被选通。这个命令，对于银行的写命令和块写入命令后
工程按位操作没有写。
银行主动和蒙面写使能命令（ CS ，
RAS
= "Low" ，
CAS，WE ，
DSF =
"high" ）
该行激活命令激活由BA选择银行。该行激活命令
对应于传统的DRAM的
RAS
坠落操作。行地址"A0 - A9和BA"
被选通。这个命令，对于银行的写命令和块写入命令后
工程按位操作写。
写命令（ CS ，
CAS，WE ，
DSF ， A9 = "Low" ，
RAS
= "High" ）
开始突发写操作的写命令是必需的。那么突发存取初始位
列地址选通。
带自动预充电命令（ CS写，
CAS，WE ，
DSF = "Low" ，
RAS ，
A9 = "High" ）
带自动预充电命令写入到开始突发写入操作是必需的
突发写入后自动预充电。即中断该操作的任何命令不能
签发。
蒙面块写命令（ CS ，
CAS，WE ，
A9 = "Low" ，
RAS ，
DSF = "High" ）
开始与列块写操作的蒙面块写命令是必需的
掩盖。蒙面块写操作执行写入所选择的8个存储单元
列地址"A3 - A7" 。在这个操作中，在彩色寄存器的数据被写入到存储器单元
与列掩模的功能。同时，此命令可以执行每比特写
操作。块写入操作不被突发。
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