半导体
MS82V16520
引脚说明
CLK
CS
CKE
获取所有输入的"H"边缘。
禁用或启用的设备操作通过声明或停用所有的输入，除了CLK ， CKE ，
DQM0 ， DQM1 ， DQM2和DQM3 。
口罩系统时钟停用以后CLK操作。
如果CKE是减活的，系统时钟将被屏蔽，以使随后的CLK的操作是
停用。 CKE应被断言的至少一个周期之前的一个新的命令。
地址
行&列复用。
行地址： RA0 - RA9
列地址： CA0 - CA7
BA （ A10 ）
RAS
CAS
WE
DSF
DQM0 -
DQM3
DQI
DSF是MS82V16520的图形命令的输入部分。
如果DSF处于非活动状态（低电平） ， MS82V16520工作就像SDRAM 。
掩模的两个时钟后，当DQM0读出的数据 - DQM3设置"H"在"H"边缘的时钟信号的。
掩模相同的时钟的时DQM0写数据 - DQM3设置"H"在"H"边缘的时钟信号的。
数据输入/输出复用相同的引脚。
1.当
CS
设置"High"从"Low"时钟过渡到"High" ，除了CLK ， CKE ， DQM0所有输入，
DQM1 ， DQM2和DQM3是无效的。
2.当发出一个积极的，读或写命令时，该银行是由BA （ A10 ）中选择。
功能取决于组合。有关详细信息，请参阅功能真值表。
选择银行时行地址锁存器的时间被激活，并选择银行预充电和读/
在列地址锁存器的时间写。 BA = "L" ：银行A ， BA = "H" ： B银行
*
注意事项：
BA （ A10 ）
0
1
主动，读取或写入
银行
B组
3.自动预充电功能被启用或由A9的输入无效时，读或写命令是
发行。
A9
0
1
0
1
BA
0
0
1
1
手术
爆结束后， A银行持有的工作状态。
爆结束后， A银行会自动预充电。
脉冲串的结束后，存储体B保持活性状态。
脉冲串的结束后，存储体B被自动预充电。
4.当发出预充电命令，该行预充电选择的A9和BA （ A10 ）
输入。
A9
0
0
1
BA
0
1
X
手术
A银行预充电。
B银行进行预充电。
两家银行A和B被预充电。
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