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P L I M I N A R
表1中。
CE1#s
手术
异步读取的闪存，
地址锁存
异步读取的闪存，
地址稳态
异步写入到Flash
同步写入到Flash
CE＃待机
输出禁用
硬件复位
CE ＃楼
（注3）
L
L
L
L
H
L
H
X
H
L
L
X
X
高阻
高阻
D
OUT
从SRAM读
H
L
H
L
H
A
IN
D
OUT
高阻
D
IN
WIRTE到SRAM
H
L
H
X
L
A
IN
D
IN
高阻
闪光灯连拍读操作
加载启动突发地址
推进突发与下一个地址
介绍了相应的数据
数据总线
终止当前突发读周期
终止当前突发读周期
通过RESET ＃
终止当前突发读周期
并启动新的突发读周期
L
H
L
X
H
地址在
高
Z
高阻
高阻
高阻
X
BURST
数据输出
高阻
高阻
I / O
X
X
H
高阻
D
OUT
高阻
D
OUT
D
IN
高阻
D
IN
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
H
H
高阻
高阻
高阻
X
X
L
H
L
L
H
L
L
X
L
L
H
L
L
H
H
X
X
H
X
X
L
X
X
L
L
H
H
X
H
H
L
L
X
CE2s
OE ＃
WE＃
设备总线操作
LB ＃ s瑞银s
RESET＃
（注4 ）
X
X
X
X
X
L
X
X
X
X
X
X
H
X
X
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
L
L
CLK
AVD ＃
A
[21–0]
A
IN
A
IN
A
IN
A
IN
高阻
DQ
[15–8]
I / O
I / O
I / O
I / O
DQ
[7–0]
高阻
L
H
L
L
H
X
X
H
H
H
X
L
H
H
H
L
L
L
X
X
X
H
H
H
X
X
X
X
X
X
H
L
H
X
X
X
图例：
L =逻辑低= V
IL
，H =逻辑高电平= V
IH
, V
ID
= 9–11 V, V
HH
= 9.0 ± 0.5 V，X =无关，A
IN
=地址，D
IN
=数据输入，D
OUT
=数据输出
= CLK的主动力，
=脉冲低电平，
=低脉冲的上升沿
注意事项：
除了那些在此列中指示1，其他操作都
抑制。
2.
3.
4.
5.
不适用CE＃ F = V
IL
， CE1 ＃ S = V
IL
和CE2s = V
IH
在相同的
时间。
无论是CE1 ＃ S = V
IH
或CE2s = V
IL
将禁用SRAM 。如果一种
这些条件是真实的，其他的CE输入不在乎。
X =无关或打开LB ＃ s或UB ＃秒。
CLK的缺省边缘是上升边缘。
6.
扇区保护和扇区解除保护功能也可以是
通过编程设备来实现。见
“行业
锁定/解锁命令序列“部分。
如果ACC = V
HH
所有行业将受到保护。
如果WP ＃ = V
IL
，行业0,1 （底部启动）或部门132 ， 133 （上
引导）被保护。如果WP ＃ = V
IH
时，保护施加到
上述行业依赖于他们是否是最后一个
可有保护的使用中所描述的方法
“行业
锁定/解锁命令序列“ 。
需要注意的是WP ＃不得离开
浮动或悬空。
7.
8.
12
Am42BDS640AG
2002年11月1日
