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订购信息
的顺序号（有效组合）由以下物质形成：
Am42BDS640
A
G
T
D
8
I
T
磁带和卷轴
T
=
7英寸
S
=
13英寸
温度范围
I
=
工业级（-40
°
C至+ 85
°
C)
V
IO
和握手特点
8
=
1.8 V V
IO
，减少等待状态握手
9
=
1.8 V V
IO
，标准的握手
时钟速率/异步SPEED / SRAM速度
D
=
54兆赫/ 70纳秒/ 70纳秒
C
=
40兆赫/ 85纳秒/ 85纳秒
引导扇区
T
=
热门引导扇区
B
=
底部引导扇区
工艺技术
G =
0.17 m
SRAM器件密度
A
=
16兆位
AMD设备号/说明
Am42BDS640AG
堆叠式多芯片封装（ MCP ）闪存和SRAM
Am29BDS640G 64兆位（4M ×16位） CMOS 1.8伏只，同时操作
突发模式闪存和16兆位（ 1一M× 16位），静态RAM
93球细间距球栅阵列封装， 8.0× 11.6毫米， 0.8毫米球间距（ FSC093 ）
有效组合
订单号
Am42BDS640AGTD8I
Am42BDS640AGBD8I
Am42BDS640AGTD9I
Am42BDS640AGBD9I
T，S
Am42BDS640AGTC8I
Am42BDS640AGBC8I
Am42BDS640AGTC9I
Am42BDS640AGBC9I
包装标志
M42000004Y
M42000004Z
突发频率
（兆赫）
V
IO
范围
54
M420000050
M420000051
M420000052
M420000053
40
M420000054
M420000055
1.65 –
1.95 V
有效组合
有效组合列表配置计划在VOL-支持
UME此设备。请咨询当地的AMD销售办事处，以确认
具体的有效组合和可用性来新检查重
租用的组合。
10
Am42BDS640AG
2002年11月1日
