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HYS64(72)V2100G(C)U-10
2米x 64/72 SDRAM -模块
待机和刷新电流
(T
a
= 0至70
o
C， VCC = 3.3V
±
0.3V)
参数
工作电流
符号
Icc1
测试条件
X64
突发长度= 4 ， CL = 3
trc> = TRC （分钟） ，
tck> = TCK （分钟），IO = 0 mA时
2行交错操作
CKE< = VIL （ max）的tck> = TCK （分钟）
CKE< = VIL （ max）和TCK =无限
CKE> = VIH （ min）的tck> = TCK （分钟） ，
在3个周期的输入换一次
CKE> = VIH （ min）的TCK =无穷大，
没有输入电平变化
CKE< = VIL （ max）的tck> = TCK （分钟）
CKE< = VIL （ max）和TCK =无限
CKE> = VIH （ min）的tck> = TCK （分钟）
输入更改一次
CKE = >VIH （分钟） ， TCK =无穷大，
没有输入电平变化
记
X72
900
mA
mA
mA
mA
毫安CS =
高
mA
mA
mA
毫安CS =
高
mA
mA
mA
1,2
1,2
800
预充电待机
目前在电力
Down模式
预充电待机
目前在非
动力
Down模式
主动待机
目前在电力
Down模式
主动待机
目前在非
掉电模式
突发工作
当前
Icc2P
Icc2PS
Icc2N
Icc2NS
Icc3P
Icc3PS
Icc3N
Icc3NS
Icc4
24
16
160
80
24
16
200
120
760
27
18
180
90
27
18
225
135
855
突发长度为整页，
TRC =无限， CL = 3 ，
tck> = TCK （分钟），IO = 0 mA时
2银行激活
trc> = TRC （分钟）
自动（ CBR ）刷新
当前
自刷新电流
Icc5
720
810
mA
mA
mA
1,2
Icc6
CKE=<0,2V
16
18
1,2
半导体集团
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