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HYS64(72)V2100G(C)U-10
2米x 64/72 SDRAM -模块
DC特性
T
A
= 0至70
°C;
V
SS
= 0 V;
V
DD,
V
DDQ
= 3.3 V
±
0.3 V
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压（
I
OUT
= - 2.0 mA）的
输出低电压（
I
OUT
= 2.0 mA）的
输入漏电流，任何输入
（ 0 V＆ LT ;
V
IN
< 3.6 V ，其他所有输入= 0 V）
输出漏电流
（ DQ被禁用， 0 V＆ LT ;
V
OUT
＆ LT ;
V
CC
)
符号
限值
分钟。
马克斯。
Vcc+0.3
0.8
–
0.4
40
40
V
V
V
V
A
A
2.0
– 0.5
2.4
–
– 40
– 40
单位
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
电容
T
A
= 0至70
°C;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V,
f
= 1兆赫
参数
符号
限值
分钟。
(x64)
输入电容
（ A0到A10 ， BS ， RAS ， CAS ， WE）
输入电容
（ CS0 - CS3 ）
输入电容
（ CLK0 - CLK3 ）
输入电容
（ DQMB0 - DQMB7 ）
输入/输出电容
(DQ0-DQ63,CB0-CB7)
输入电容（ SCL ， SA0-2 ）
输入/输出电容
马克斯。
(x72)
55
25
38
13
12
8
10
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
单位
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
IO
C
sc
C
sd
45
20
22
13
12
8
10
半导体集团
5
