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HYS64(72)V2100G(C)U-10
2米x 64/72 SDRAM -模块
串行存在检测存储设备 - é
2
PROM - 组装到模块。信息
关于该模块的配置，速度等被写入到电子
2
模块在PROM设备
使用串行存在检测生产协议（I
2
同步2线总线）
SPD-表：
BYTE ＃
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
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25
26
27
描述
SPD的字节数
在串行PD总字节
内存类型
行地址的数目（不包括BS比特）
列地址（对于x 8号
SDRAM ）
DIMM银行数量
模块数据宽度
模块数据宽度（续“
d)
模块接口电平
SDRAM的周期时间在CL = 3
从时钟在CL = 3 SDRAM存取时间
DIMM配置（错误的Det /科尔。 ）
刷新率/类型
SDRAM宽度，主
错误检查SDRAM的数据宽度
最小时钟延迟为背到背随机
DOM列地址
突发长度支持
SDRAM银行数量
支持CAS潜伏期
CS潜伏期
WE潜伏期
SDRAM DIMM模块属性
SDRAM的设备属性：一般
SDRAM的周期时间在CL = 2
SDRAM存取时间从时钟在CL = 2
SDRAM的周期时间在CL = 1
SDRAM存取时间从时钟在CL = 1
最小行预充电时间
SPD项值
128
256
SDRAM
11
9
1
64 / 72
0
LVTTL
8.0 / 10.0 / 12.0纳秒
8.0纳秒
无/ ECC
自刷新，
15.6s
x8
N / A / X8
t
CCD
= 1 CLK
1，2， 4，8 &整版
2
CAS延迟= 1 ， 2
& 3
CS延迟= 0
写入延迟= 0
非缓冲/非
注册。
VCC TOL +/- 10 ％
15.0纳秒
9.0纳秒
30纳秒
27纳秒
30纳秒
x64
80
08
04
0B
09
01
40
00
01
A0
80
00
80
08
00
01
8F
02
07
01
01
00
06
F0
90
78
6C
1E
（十六进制）
x72
80
08
04
0B
09
01
48
00
01
A0
80
02
80
08
08
01
8F
02
07
01
01
00
06
F0
90
78
6C
1E
半导体集团
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