单通道MICROCOUPLER
FODB100
参数
总包
储存温度
工作温度
结温
辐射源
连续正向电流
反向输入电压
功耗
线性降额（高于25 ° C）
探测器
连续集电极电流
功耗
线性降额（高于25 ° C）
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
I
F（ AVG）
V
R
P
D
30
6
40
0.39
50
150
1.42
75
7
mA
V
mW
毫瓦/°C的
mA
mW
毫瓦/°C的
V
V
FODB101
符号
T
英镑
T
OPR
T
j
价值
-55到+150
-40到+125
130
FODB102
单位
°C
°C
°C
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
P
D
V
首席执行官
V
ECO
电气特性
(T
A
= 25°C)
单个组件特性
参数
辐射源
正向电压
反向电流
探测器
击穿电压
集电极到发射极
发射极到集电极
集电极暗电流
电容
(I
C
= 100 A ，我
F
= 0)
(I
E
= 100 A ，我
F
= 0)
(V
CE
= 75 V，I
F
= 0)
(V
CE
= 0 V ， F = 1兆赫）
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
8
75
7
100
nA
pF
V
(I
F
= 2 mA）的
(V
R
= 6 V)
V
F
I
R
1.0
1.5
10
V
A
测试条件
符号
民
典型**
最大
单位
2004仙童半导体公司
第2页8
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