FODB100 ， FODB101 ， FODB102单通道Microcoupler
2006年7月
FODB100 ， FODB101 ， FODB102
单通道MICROCOUPLER
特点
■
低廓包
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
tm
描述
该FODB100 ， FODB101和FODB102单通道
MICROCOUPLERS 均为无铅，低廓
微型表面贴装光耦合器的球栅
阵列（BGA）封装。每个由一个铝
砷化镓（ AlGaAs构成）红外发光二极管驱动
硅光电晶体管。
（ 1.20毫米最大安装高度）
土地模式允许最佳的电路板空间节省
高电流传输比（ CTR）在低IF
0.45毫米最小的隔离距离
2500V的高稳态隔离电压
RMS
数据传输速率高达120Kbit /秒（ NRZ ）
2毫米的最小爬电距离
-40 ° C至+ 125°C的宽工作温度范围
可提供3000单位磁带和卷轴数量
适用于无铅红外线再溢流（ 260 ℃以下）
UL和VDE认证
概要
阳极1
4珍藏
应用
■
主要适合用于DC- DC转换器
■
对于接地回路隔离，信号噪声隔离
阴极2
3发射器
通信 - 充电器，电源适配器
消费品 - 家电，机顶盒
工业 - 电源供应器，马达控制
包装尺寸
3.50
±
0.10
2.50
1
2
4
3
B
A
0.65最大
2.50
BALL ＃ 1
指标
3.50
±
0.10
(2.30)
4
底部视图
3
0.98 MAX
0.80分钟
0.10 C B A
1
顶视图
2
0.35最大
0.25 MIN
1.20 MAX
0.85最大
0.68 MIN
座位
飞机
注：除非另有规定编
A）所有尺寸以毫米为单位。
b）否JEDEC注册作为参考
2002年11月。作者：
C
0.10 C
2004仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
FODB100 ， FODB101 ， FODB102版本1.0.0
FODB100 ， FODB101 ， FODB102单通道Microcoupler
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
总包
T
英镑
T
OPR
T
j
辐射源
I
F（ AVG）
V
R
P
D
探测器
连续集电极电流
P
D
V
首席执行官
V
ECO
功耗
线性降额（高于25 ° C）
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
50
150
1.42
75
7
mA
mW
毫瓦/°C的
V
V
连续正向电流
反向输入电压
功耗
线性降额（高于25 ° C）
30
6
40
0.39
mA
V
mW
毫瓦/°C的
储存温度
工作温度
结温
-55到+150
-40到+125
130
°C
°C
°C
参数
价值
单位
2
FODB100 ， FODB101 ， FODB102版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
FODB100 ， FODB101 ， FODB102单通道Microcoupler
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
单个组件特性
符号
辐射源
V
F
I
R
探测器
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
击穿电压
集电极到发射极
发射极到集电极
集电极暗电流
(1)
电容
I
C
= 100μA ，我
F
= 0
I
E
= 100μA ，我
F
= 0
V
CE
= 75V ，我
F
= 0
V
CE
= 0V ， F = 1MHz的
8
75
7
100
V
V
nA
pF
正向电压
反向电流
I
F
= 2毫安
V
R
= 6V
1.0
1.5
10
V
A
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
传输特性
符号
CTR
特征
电流传输比
(2)
测试条件
I
F
= 1mA时， V
CE
= 5V
分钟。
100
100
75
典型值。
马克斯。
单位
%
%
CTR
CE （ SAT ）
饱和电流传递我
F
= 1.6毫安，V
CE
= 0.4V
比（集电极到发射极）
I
F
= 1.0毫安，V
CE
= 0.4V
V
CE （SAT）
饱和电压
I
F
= 3.0毫安，我
C
= 1.8毫安
I
F
= 1.6毫安，我
C
= 1.6毫安
t
r
t
f
T
PHL
上升时间（不饱和）I
C
= 2毫安，V
CE
= 5 V ，R
L
= 1k
下降时间（不饱和）
传播延迟
前高后低
传播延迟
从低到高
I
C
= 2毫安，V
CE
= 5 V ，R
L
= 1k
I
F
= 1.6毫安，V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 750
I
F
= 1.6毫安，V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 4.7k
I
F
= 1.6毫安，V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 750
I
F
= 1.6毫安，V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 4.7k
0.4
1
5
3
12
5
19
V
s
s
T
PLH
s
隔离特性
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
特征
测试条件
分钟。
2500
10
12
典型值。
马克斯。
单位
V（ RMS）
稳态隔离电压
(3)
RH
≤
50%, T
A
= 25 ℃， t为1秒
电阻（输入到输出）
(3)
电容（输入输出）
(3)
V
我-O
= 500V直流
F = 1MHz的
0.3
0.5
pF
注意事项：
1.白色圆顶区是高强度的环境光或在500nm的至1200nm的任何光源敏感
波长范围。如果这样的光源存在，部分应覆盖或保护。如果白色圆顶
暴露于这样的光源，光电晶体管的输出泄漏参数会增加。
2. CTR斌（ FODB100只）
FODB101 ：100％ - 200％
FODB102 ： 150 ％ - 300 ％
3.引脚1和引脚2短接作为输入， 3脚和4脚短接作为输出。
3
FODB100 ， FODB101 ， FODB102版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
FODB100 ， FODB101 ， FODB102单通道Microcoupler
典型性能特性
图。 1归CTR与温度的关系（ VCE = 2V ）
归一化CTR @ 25°C
IF = 2毫安@ VCE = 2V
图。 2归CTR - 温度关系曲线（ VCE = 5V ）
归一化CTR @ 25°C
1.2
IF = 2毫安@ VCE = 5V
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
40
60
80
100
120
140
IF = 500μA @ VCE = 2V
IF =为1mA VCE = 2V
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
40
IF = 500μA @ VCE = 5V
IF =为1mA VCE = 5V
温度（℃）
100
60
80
温度（℃）
120
140
图。 3电流传输比主场迎战
集电极到发射极电压
500
400
CTR （ ％ ）
300
200
100
0
0
2
4
VCE （ V）
6
8
10
2mA
1mA
图。 4电流传输比主场迎战
集电极饱和电压
350
300
250
CTR （ ％ ）
200
150
100
50
0
0
0.8
0.2
0.4
0.6
集电极饱和电压（V）的
1.0
2mA
1mA
500A
500A
图。 5波特率与负载电阻
200
波特率 - 千比特/秒
150
100
VCC = 12V
50
VCC = 5V
0
200
400
600
800 1000 1200 1400
R
L
- 负载电阻 - 欧姆
1600
I
F
= 1.47毫安
TA = 23℃ ， PRSG = （ 2
8
-1)
BER < 10
-6
4
FODB100 ， FODB101 ， FODB102版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
FODB100 ， FODB101 ， FODB102单通道Microcoupler
磁带和卷轴特定网络阳离子
压纹载带配置
P
0
T
E
1
D
0
F
K
0
W
c
B
0
E
2
W
T
c
A
0
P
1
D
1
饲料用户方向
尺寸均为毫米
PKG型
光电耦合器
(12mm)
A
0
3.80
±0.10
B
0
3.80
±0.10
W
12.0
+0.3/
–0.1
D
0
1.50
+0.25/
–0.00
D
1
1.50
+0.25/
–0.00
E
1
1.75
±0.10
E
2
10.25
民
F
5.50
±0.05
P
1
8.0
±0.1
P
0
4.0
±0.1
K
0
1.40
±0.10
T
0.279
±0.02
W
c
9.2
±0.3
T
c
0.06
±0.02
备注： A0，B0 ，和K0尺寸相对于所述的EIA / JEDEC的RS- 481测定
旋转和横向移动的要求（见草图A， B和C ） 。
最高20度
典型
部件
空穴
中线
0.5mm
最大
B0
20度的最大组成部分旋转
0.5mm
最大
素描A（侧面或正面剖视图）
典型
部件
中线
A0
素描B（顶视图）
素描C（顶视图）
体旋转
组件横向移动
体旋转
光电耦合器卷配置
W1测得中心
B敏
尺寸C
昏暗的
民
黯淡了
最大
昏暗的
DETAIL AA
详细信息，请参阅AA
W3
直径13"卷轴
W2最大的测量中心
外形尺寸为英寸和毫米
磁带尺寸
12mm
REEL
选项
13"迪亚
黯淡了
13.00
330
昏暗的B
0.059
1.5
尺寸C
512 +0.020/–0.008
13 +0.5/–0.2
昏暗的
0.795
20.2
昏暗的
7.00
178
昏暗W1
0.488 +0.078/–0.000
12.4 +2/–0
昏暗的W2
0.724
18.4
朦胧W3 （ LSL - USL ）
0.469 – 0.606
11.9 – 15.4
5
FODB100 ， FODB101 ， FODB102版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
单通道MICROCOUPLER
FODB100
描述
该FODB100 ， FODB101和FODB102单通道MICROCOUPLERS 都
在球栅阵列无铅，低廓微型表面贴装光耦合器（ BGA ）
封装。每个由砷化铝镓的（铝镓砷）红外发光二极管
驱动硅光电晶体管。
FODB101
FODB102
特点
低廓包
（ 1.20毫米最大安装高度）
土地模式允许最佳的电路板空间节省
高电流传输比（ CTR）在低IF
最小隔离为0.45mm的距离
2500V的高稳态隔离电压
RMS
数据速率高达120Kbit /秒（ NRZ ）
2毫米的最小爬电距离
-40 ° C至+ 125°C的宽工作温度范围
可提供3000单位磁带和卷轴数量
适用于无铅红外线再溢流（ 260 ℃以下）
UL ， C- UL认证; VDE待定
概要
阳极1
4珍藏
阴极2
3发射器
应用
主要适用于DC- DC转换器
对于接地回路隔离，信号噪声隔离
通信 - 充电器，电源适配器
消费品 - 家电，机顶盒
工业 - 电源供应器，马达控制
包装尺寸
3.50
±
0.10
2.50
1
2
4
3
B
A
0.65最大
2.50
BALL ＃ 1
指标
3.50
±
0.10
(2.30)
4
底部视图
3
0.98 MAX
0.80分钟
0.10 C B A
1
顶视图
2
0.35最大
0.25 MIN
1.20 MAX
0.85最大
0.68 MIN
座位
飞机
注：除非另有规定编
A）所有尺寸以毫米为单位。
b）否JEDEC注册作为参考
2002年11月。作者：
C
0.10 C
2004仙童半导体公司
第1页8
8/19/04
单通道MICROCOUPLER
FODB100
FODB101
FODB102
传输特性
(T
A
= 25°C)
特征
电流传输比
1
饱和电流传输
比（集电极到发射极）
饱和电压
测试条件
(I
F
= 1毫安， V
CE
= 5 V)
(I
F
= 1.6毫安， V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 3.0毫安，我
C
= 1.8 mA）的
(I
F
= 1.6毫安，我
C
= 1.6 mA）的
(I
C
= 2毫安， V
CE
= 5 V)
(R
L
= 1K
)
(I
C
= 2毫安， V
CE
= 5 V)
(R
L
= 1K
)
I
F
= 1.6毫安， V
CC
= 5.0 V
R
L
= 750
I
F
= 1.6毫安， V
CC
= 5.0 V
R
L
= 4.7K
I
F
= 1.6毫安， V
CC
= 5.0 V
R
L
= 750
I
F
= 1.6毫安， V
CC
= 5.0 V
R
L
= 4.7K
符号
CTR
CTR
CE （ SAT ）
民
100
100
75
0.4
%
典型**
最大
单位
%
V
CE （SAT）
t
r
t
f
1
V
上升时间（不饱和）
下降时间（不饱和）
s
5
3
T
PHL
12
5
T
PLH
19
s
s
传播延迟
前高后低
传播延迟
从低到高
隔离特性
特征
稳态隔离电压
2
电阻（输入到输出）
2
电容（输入输出）
2
测试条件
（ RH
≤
50%,
T
A
= 25℃ ，T = 1秒）
(V
我-O
= 500V直流）
F = 1MHz的
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
民
2500
10
12
0.3
0.5
典型**
最大
单位
V（ RMS）
pF
注意事项：
1. CTR斌（ FODB100只）
FODB101 ：100％ - 200％
FODB102 ： 150 ％ - 300 ％
2.引脚1和引脚2短接作为输入， 3脚和4脚短接作为输出。
2004仙童半导体公司
第3页8
8/19/04
单通道MICROCOUPLER
FODB100
典型性能曲线
图。 1归CTR与温度的关系（ VCE = 2V ）
归一化CTR @ 25°C
IF = 2毫安@ VCE = 2V
FODB101
FODB102
图。 2归CTR - 温度关系曲线（ VCE = 5V ）
归一化CTR @ 25°C
1.2
IF = 2毫安@ VCE = 5V
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
40
60
80
100
温度（℃）
120
140
IF = 500μA @ VCE = 2V
IF =为1mA VCE = 2V
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
40
IF = 500μA @ VCE = 5V
IF =为1mA VCE = 5V
60
80
100
温度（℃）
120
140
图。 3电流传输比主场迎战
集电极到发射极电压
500
400
CTR （ ％ ）
300
200
100
0
0
2
4
VCE （ V）
6
8
10
2mA
1mA
图。 4电流传输比主场迎战
集电极饱和电压
350
300
250
CTR （ ％ ）
200
150
100
50
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
集电极饱和电压（V）的
2mA
1mA
500A
500A
图。 5波特率与负载电阻
200
波特率 - 千比特/秒
150
100
VCC = 12V
50
VCC = 5V
0
200
400
600
800 1000 1200 1400
R
L
- 负载电阻 - 欧姆
1600
I
F
= 1.47毫安
TA = 23℃ ， PRSG = （ 2
8
-1)
BER < 10
-6
2004仙童半导体公司
第4页8
8/19/04
单通道MICROCOUPLER
FODB100
磁带和卷轴规格
压纹载带配置
P
0
T
E
1
D
0
FODB101
FODB102
F
K
0
W
c
B
0
E
2
W
T
c
A
0
P
1
D
1
饲料用户方向
尺寸均为毫米
PKG型
光电耦合器
(12mm)
A
0
3.80
±0.10
B
0
3.80
±0.10
W
12.0
+0.3/
–0.1
D
0
1.50
+0.25/
–0.00
D
1
1.50
+0.25/
–0.00
E
1
1.75
±0.10
E
2
10.25
民
F
5.50
±0.05
P
1
8.0
±0.1
P
0
4.0
±0.1
K
0
1.40
±0.10
T
0.279
±0.02
W
c
9.2
±0.3
T
c
0.06
±0.02
备注： A0，B0 ，和K0尺寸相对于所述的EIA / JEDEC的RS- 481测定
旋转和横向移动的要求（见草图A， B和C ） 。
最高20度
典型
部件
空穴
中线
0.5mm
最大
B0
20度的最大组成部分旋转
0.5mm
最大
素描A（侧面或正面剖视图）
典型
部件
中线
A0
素描B（顶视图）
素描C（顶视图）
体旋转
组件横向移动
体旋转
光电耦合器卷配置
W1测得中心
B敏
尺寸C
昏暗的
民
黯淡了
最大
昏暗的
DETAIL AA
详细信息，请参阅AA
W3
直径13"卷轴
W2最大的测量中心
外形尺寸为英寸和毫米
磁带尺寸
12mm
REEL
选项
13"迪亚
黯淡了
13.00
330
昏暗的B
0.059
1.5
尺寸C
512 +0.020/–0.008
13 +0.5/–0.2
昏暗的
0.795
20.2
昏暗的
7.00
178
昏暗W1
0.488 +0.078/–0.000
12.4 +2/–0
昏暗的W2
0.724
18.4
朦胧W3 （ LSL - USL ）
0.469 – 0.606
11.9 – 15.4
2004仙童半导体公司
第5页8
8/19/04
单通道MICROCOUPLER
FODB100
描述
该FODB100 ， FODB101和FODB102单通道MICROCOUPLERS 都
在球栅阵列无铅，低廓微型表面贴装光耦合器（ BGA ）
封装。每个由砷化铝镓的（铝镓砷）红外发光二极管
驱动硅光电晶体管。
FODB101
FODB102
特点
低廓包
（ 1.20毫米最大安装高度）
土地模式允许最佳的电路板空间节省
高电流传输比（ CTR）在低IF
最小隔离为0.45mm的距离
2500V的高稳态隔离电压
RMS
数据速率高达120Kbit /秒（ NRZ ）
2毫米的最小爬电距离
-40 ° C至+ 125°C的宽工作温度范围
可提供3000单位磁带和卷轴数量
适用于无铅红外线再溢流（ 260 ℃以下）
UL ， C- UL认证; VDE待定
概要
阳极1
4珍藏
阴极2
3发射器
应用
主要适用于DC- DC转换器
对于接地回路隔离，信号噪声隔离
通信 - 充电器，电源适配器
消费品 - 家电，机顶盒
工业 - 电源供应器，马达控制
包装尺寸
3.50
±
0.10
2.50
1
2
4
3
B
A
0.65最大
2.50
BALL ＃ 1
指标
3.50
±
0.10
(2.30)
4
底部视图
3
0.98 MAX
0.80分钟
0.10 C B A
1
顶视图
2
0.35最大
0.25 MIN
1.20 MAX
0.85最大
0.68 MIN
座位
飞机
注：除非另有规定编
A）所有尺寸以毫米为单位。
b）否JEDEC注册作为参考
2002年11月。作者：
C
0.10 C
2004仙童半导体公司
第1页8
8/19/04
单通道MICROCOUPLER
FODB100
FODB101
FODB102
传输特性
(T
A
= 25°C)
特征
电流传输比
1
饱和电流传输
比（集电极到发射极）
饱和电压
测试条件
(I
F
= 1毫安， V
CE
= 5 V)
(I
F
= 1.6毫安， V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 1.0毫安， V
CE
= 0.4 V)
(I
F
= 3.0毫安，我
C
= 1.8 mA）的
(I
F
= 1.6毫安，我
C
= 1.6 mA）的
(I
C
= 2毫安， V
CE
= 5 V)
(R
L
= 1K
)
(I
C
= 2毫安， V
CE
= 5 V)
(R
L
= 1K
)
I
F
= 1.6毫安， V
CC
= 5.0 V
R
L
= 750
I
F
= 1.6毫安， V
CC
= 5.0 V
R
L
= 4.7K
I
F
= 1.6毫安， V
CC
= 5.0 V
R
L
= 750
I
F
= 1.6毫安， V
CC
= 5.0 V
R
L
= 4.7K
符号
CTR
CTR
CE （ SAT ）
民
100
100
75
0.4
%
典型**
最大
单位
%
V
CE （SAT）
t
r
t
f
1
V
上升时间（不饱和）
下降时间（不饱和）
s
5
3
T
PHL
12
5
T
PLH
19
s
s
传播延迟
前高后低
传播延迟
从低到高
隔离特性
特征
稳态隔离电压
2
电阻（输入到输出）
2
电容（输入输出）
2
测试条件
（ RH
≤
50%,
T
A
= 25℃ ，T = 1秒）
(V
我-O
= 500V直流）
F = 1MHz的
符号
V
ISO
R
ISO
C
ISO
民
2500
10
12
0.3
0.5
典型**
最大
单位
V（ RMS）
pF
注意事项：
1. CTR斌（ FODB100只）
FODB101 ：100％ - 200％
FODB102 ： 150 ％ - 300 ％
2.引脚1和引脚2短接作为输入， 3脚和4脚短接作为输出。
2004仙童半导体公司
第3页8
8/19/04
单通道MICROCOUPLER
FODB100
典型性能曲线
图。 1归CTR与温度的关系（ VCE = 2V ）
归一化CTR @ 25°C
IF = 2毫安@ VCE = 2V
FODB101
FODB102
图。 2归CTR - 温度关系曲线（ VCE = 5V ）
归一化CTR @ 25°C
1.2
IF = 2毫安@ VCE = 5V
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
40
60
80
100
温度（℃）
120
140
IF = 500μA @ VCE = 2V
IF =为1mA VCE = 2V
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
25
40
IF = 500μA @ VCE = 5V
IF =为1mA VCE = 5V
60
80
100
温度（℃）
120
140
图。 3电流传输比主场迎战
集电极到发射极电压
500
400
CTR （ ％ ）
300
200
100
0
0
2
4
VCE （ V）
6
8
10
2mA
1mA
图。 4电流传输比主场迎战
集电极饱和电压
350
300
250
CTR （ ％ ）
200
150
100
50
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
集电极饱和电压（V）的
2mA
1mA
500A
500A
图。 5波特率与负载电阻
200
波特率 - 千比特/秒
150
100
VCC = 12V
50
VCC = 5V
0
200
400
600
800 1000 1200 1400
R
L
- 负载电阻 - 欧姆
1600
I
F
= 1.47毫安
TA = 23℃ ， PRSG = （ 2
8
-1)
BER < 10
-6
2004仙童半导体公司
第4页8
8/19/04
单通道MICROCOUPLER
FODB100
磁带和卷轴规格
压纹载带配置
P
0
T
E
1
D
0
FODB101
FODB102
F
K
0
W
c
B
0
E
2
W
T
c
A
0
P
1
D
1
饲料用户方向
尺寸均为毫米
PKG型
光电耦合器
(12mm)
A
0
3.80
±0.10
B
0
3.80
±0.10
W
12.0
+0.3/
–0.1
D
0
1.50
+0.25/
–0.00
D
1
1.50
+0.25/
–0.00
E
1
1.75
±0.10
E
2
10.25
民
F
5.50
±0.05
P
1
8.0
±0.1
P
0
4.0
±0.1
K
0
1.40
±0.10
T
0.279
±0.02
W
c
9.2
±0.3
T
c
0.06
±0.02
备注： A0，B0 ，和K0尺寸相对于所述的EIA / JEDEC的RS- 481测定
旋转和横向移动的要求（见草图A， B和C ） 。
最高20度
典型
部件
空穴
中线
0.5mm
最大
B0
20度的最大组成部分旋转
0.5mm
最大
素描A（侧面或正面剖视图）
典型
部件
中线
A0
素描B（顶视图）
素描C（顶视图）
体旋转
组件横向移动
体旋转
光电耦合器卷配置
W1测得中心
B敏
尺寸C
昏暗的
民
黯淡了
最大
昏暗的
DETAIL AA
详细信息，请参阅AA
W3
直径13"卷轴
W2最大的测量中心
外形尺寸为英寸和毫米
磁带尺寸
12mm
REEL
选项
13"迪亚
黯淡了
13.00
330
昏暗的B
0.059
1.5
尺寸C
512 +0.020/–0.008
13 +0.5/–0.2
昏暗的
0.795
20.2
昏暗的
7.00
178
昏暗W1
0.488 +0.078/–0.000
12.4 +2/–0
昏暗的W2
0.724
18.4
朦胧W3 （ LSL - USL ）
0.469 – 0.606
11.9 – 15.4
2004仙童半导体公司
第5页8
8/19/04
QQ：2881677436 复制
