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FDMS7660AS的N-沟道PowerTrench
SyncFET
TM
2009年9月
FDMS7660AS
N沟道的PowerTrench
SyncFET
TM
30 V , 42 A, 2.4 mΩ的
特点
最大
DS ( ON)
= 2.4毫欧,在V
GS
= 10 V,I
D
= 25 A
最大
DS ( ON)
= 2.6毫欧,在V
GS
= 7 V,I
D
= 23 A
先进的封装和硅结合的低R
DS ( ON)
和高效率
SyncFET肖特基体二极管
MSL1稳健包装设计
100 % UIL测试
符合RoHS
概述
该FDMS7660AS已被设计为在最小化损失
电源转换应用。在这两个硅进步和
封装技术,已被合并到提供的最低
r
DS ( ON)
同时保持出色的开关性能。这
装置具有高效率的单片肖特基额外的好处
体二极管。
应用
同步整流DC / DC转换器
笔记本Vcore电压/ GPU的低边开关
负载低侧开关的网络点
电信二次侧整流
顶部
底部
S
S
销1
S
D
D
D
5
6
7
8
4
G
3
2
1
G
S
S
S
D
电源56
D
D
D
D
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25 C ,除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
dv / dt的
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
MOSFET的dv / dt
单脉冲雪崩能量
功耗
功耗
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
(注1A )
(注3)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续(包装有限公司)
- 连续(硅有限公司)
-Continuous
-Pulsed
T
C
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
(注1A )
(注4 )
参数
评级
30
±20
42
152
26
150
1.7
128
83
2.5
-55到+150
V / ns的
mJ
W
°C
A
单位
V
V
工作和存储结温范围
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
(注1A )
1.5
50
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDMS7660AS
设备
FDMS7660AS
电源56
1
带尺寸
13 ’’
胶带宽度
12 mm
QUANTITY
3000台
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2009仙童半导体公司
FDMS7660AS Rev.C
FDMS7660AS的N-沟道PowerTrench
SyncFET
TM
电气特性
T
A
= 25 C ,除非另有说明
符号
参数
测试条件
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流,正向
I
D
= 1毫安, V
GS
= 0 V
I
D
= 10毫安,参考25 ℃下
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
30
14
500
100
V
毫伏/°C的
A
nA
基本特征
(注2 )
V
GS ( TH)
V
GS ( TH)
T
J
r
DS ( ON)
g
FS
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 10毫安,参考25 ℃下
V
GS
= 10 V,I
D
= 25 A
静态漏极至源极导通电阻
V
GS
= 7 V,I
D
= 23 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 21 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 25 A,T
J
= 125 °C
正向跨导
V
DS
= 5 V,I
D
= 25 A
1.2
1.9
-5
1.9
2.0
2.5
2.4
455
2.4
2.6
3.0
3.1
S
m
3.0
V
毫伏/°C的
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
4600
1550
125
0.8
6120
2065
190
1.7
pF
pF
pF
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0 V至10 V
V
GS
= 0 V至4.5 V V
DD
= 15 V,
I
D
= 25 A
V
DD
= 15 V,I
D
= 25 A,
V
GS
= 10 V ,R
= 6
19
8
40
5
64
29
14.4
5.9
34
15
65
10
90
42
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,I
S
= 2 A
V
GS
= 0 V,I
S
= 25 A
(注2 )
(注2 )
0.41
0.76
39
55
0.7
1.2
62
88
V
ns
nC
I
F
= 25 A, di / dt的= 300 A / μs的
注意事项:
1. R
θJA
与安装在1英寸的设备决定
2
垫2盎司铜焊盘上的1.5× 1.5的FR-4材料中。板。
θJC
由设计而
= CA
由下式确定
用户的电路板设计。
一。安装在当50℃ / W的
1年
2
垫2盎司纯铜。
B 。安装在当125 °C / W
2盎司纯铜最小焊盘。
2.脉冲测试:脉冲宽度< 300
s,
占空比< 2.0 % 。
3. E
AS
128兆焦耳是基于起始物为
J
= 25
°
C,L = 1 mH的,我
AS
= 16 A,V
DD
= 27 V, V
GS
= 10 V 100 %的测试,在L = 0.3 mH的,我
AS
= 25 A.
4.由于有N沟道器件,负栅极电压等级仅用于低占空比脉冲来发生。没有连续得分的暗示。
FDMS7660AS Rev.C
2
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FDMS7660AS的N-沟道PowerTrench
SyncFET
TM
典型特征
T
J
= 25 C ,除非另有说明
150
120
I
D
,
漏电流( A)
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4 V
V
GS
= 3.5 V
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 10 V
6
5
4
3
2
1
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 % MAX
V
GS
= 3 V
V
GS
= 3.5 V
90
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 % MAX
60
V
GS
= 3 V
V
GS
= 4 V
30
0
0.0
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
0.5
1.0
1.5
V
DS
,
漏源极电压( V)
2.0
0
0
30
60
90
120
150
I
D
,
漏电流( A)
图1.区域特征
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
8
源导通电阻
(
m
)
1.6
漏极至源极导通电阻
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-75
I
D
= 25 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 25 A
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 % MAX
6
r
DS (ON ) ,
4
T
J
= 125
o
C
2
T
J
= 25
o
C
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,
结温
(
o
C
)
0
2
4
6
8
10
V
GS
,
门源电压( V)
图3.归一导通电阻
VS结温
150
120
I
D
,漏电流( A)
V
DS
= 5 V
I
S
,反向漏电流( A)
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 % MAX
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
200
100
10
1
0.1
0.01
T
J
= 25
o
C
V
GS
= 0 V
T
J
= 125
o
C
90
T
J
= 125
o
C
60
T
J
= 25
o
C
30
T
J
= -55
o
C
T
J
= -55
o
C
0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS
,门源电压( V)
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
FDMS7660AS Rev.C
3
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FDMS7660AS的N-沟道PowerTrench
SyncFET
TM
典型特征
T
J
= 25 C ,除非另有说明
10
V
GS
,门源电压( V)
I
D
= 25 A
8000
C
国际空间站
C
OSS
8
6
V
DD
= 10 V
V
DD
= 20 V
电容(pF)
V
DD
= 15 V
1000
4
2
0
C
RSS
100
F = 1 MHz的
0
10
20
30
40
50
60
70
60
0.1
V
GS
= 0 V
1
10
30
Q
g
,栅极电荷( NC)
V
DS
,漏源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
160
I
D
,
漏电流( A)
40
I
AS
,雪崩电流( A)
T
J
= 25
o
C
120
V
GS
= 10 V
10
T
J
= 100
o
C
80
V
GS
= 4.5 V
T
J
= 125
o
C
40
不限按包
R
θ
JC
= 1.5℃ / W
o
1
0.01
0.1
1
10
100 300
0
25
50
75
100
o
125
150
t
AV
,一次雪崩(毫秒)
T
C
,
外壳温度
(
C
)
图9.松开电感
交换能力
200
100
I
D
,漏电流( A)
图10.最大连续漏极
电流与外壳温度
1000
P
(
PK
)
,
瞬态峰值功率( W)
V
GS
= 10 V
10
这个区域是
限于由R
DS ( ON)
1毫秒
10毫秒
100
1
100毫秒
1s
10 s
DC
10
单脉冲
R
θ
JA
= 125
o
C / W
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25
o
C
0.01
0.01
0.1
1
10
100 200
1
T
A
= 25 C
0.6
-3
-2
10
10
o
10
-1
1
10
100
1000
V
DS
,漏源极电压( V)
T,脉冲宽度(秒)
图11.正向偏置安全
工作区
图12.单脉冲最大
功耗
FDMS7660AS Rev.C
4
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FDMS7660AS的N-沟道PowerTrench
SyncFET
TM
典型特征
T
J
= 25 C ,除非另有说明
2
1
归热
阻抗Z
θ
JA
占空比,降序排列
0.1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.01
单脉冲
R
θ
JA
= 125℃ / W
o
t
1
t
2
注意事项:
DUTY因子:D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJA
个R
θJA
+ T
A
-1
0.001
-3
10
10
-2
10
1
10
100
1000
吨,矩形脉冲持续时间(秒)
图13.结至环境瞬态热响应曲线
FDMS7660AS Rev.C
5
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    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    FDMS7660AS
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    FDMS7660AS
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881513777 复制

电话:19166203057
联系人:周
地址:广东省深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD-A座2203A
FDMS7660AS
ON/安森美
21+
18600
Power-56-8
原装正品
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电话:13008842056
联系人:张先生
地址:广东省深圳市福田区华强北上步工业区501栋406
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FAIRCHILD
1820
8867
ROHS
公司现货!欢迎咨询。假一赔百支持发货。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881920863 复制
电话:0755-84507209
联系人:骆
地址:广东省深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河World-A座2203A室
FDMS7660AS
ON
21+
6980
QFN
新到现货、一手货源、当天发货、bom配单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
FDMS7660AS
ON
21+
18600
QFN
全新原装正品/质量有保证
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
FDMS7660AS
ON
21+
3000
QFN
只做原装实单申请
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3539722974 复制 点击这里给我发消息 QQ:3449124707 复制
电话:0755-23915992/23140719
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
FDMS7660AS
ON
24+
68500
POWER56
一级代理/放心采购
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2441261114 复制
电话:0755-82731800
联系人:付先生
地址:深圳市福田区振华路118号华丽装饰大厦2栋2单元320室
FDMS7660AS
ON
24+
17944
POWER56
只做原装正品
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电话:19129493510
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地址:福田区上步工业区101栋4楼
FDMS7660AS
ON
22+
17944
POWER56
进口原装
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
FDMS7660AS
ON/安森美
2410+
80000
Power-56-8
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯.
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联系人:朱
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