飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强模式
的TrenchMOS 晶体管
雪崩能量极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
E
AS
I
AS
非重复性雪崩
能源
非重复性雪崩
当前
条件
非钳位感性负载时，我
AS
= 6 A;
t
p
= 0.2毫秒;牛逼
j
雪崩= 25之前;
V
DD
≤
15 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V
分钟。
-
-
BSP100
马克斯。
23
6
单位
mJ
A
电气特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号参数
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
R
DS （ ON）
g
fs
I
D（上）
I
DSS
I
GSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
s
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 10
A;
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
T
j
= 150C
T
j
= -55C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 2.2 A
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 1 A
V
GS
= 10 V ;我
D
= 2.2 ;牛逼
j
= 150C
正向跨导
V
DS
= 20V;我
D
= 2.2 A
通态漏电流
V
GS
= 10 V; V
DS
= 1 V;
V
GS
= 4.5 V; V
DS
= 5 V
零栅压漏
V
DS
= 24 V; V
GS
= 0 V;
当前
V
DS
= 24 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 150C
门源漏电流V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反馈电容
I
D
= 2.3 A; V
DD
= 15 V; V
GS
= 10 V
分钟。
30
27
1
0.4
-
-
-
-
2
3.5
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
2
-
80
120
-
4.5
-
-
10
0.6
10
6
0.7
0.7
6
8
21
15
2.5
5
250
88
54
-
-
2.8
-
3.2
100
200
170
-
-
-
100
10
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V
V
m
m
m
S
A
A
nA
A
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
nH
nH
pF
pF
pF
V
DD
= 20V;
D
= 18
;
V
GS
= 10 V ;
G
= 6
阻性负载
测量标签，模具中心
从源铅源测量
焊盘
V
GS
= 0 V; V
DS
= 20V; F = 1 MHz的
1999年2月
2
启1.000
