飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强模式
的TrenchMOS 晶体管
特点
“海沟”
技术
低通态电阻
快速开关
高的热循环性能
低热阻
BSP100
符号
d
快速参考数据
V
DSS
= 30 V
I
D
= 6 A
g
R
DS （ ON）
≤
100毫欧（V
GS
= 10 V)
R
DS （ ON）
≤
200毫欧（V
GS
= 4.5 V)
s
概述
N沟道增强模式
在塑料的场效应晶体管
信封
运用
“海沟”
技术。
应用： -
电机和继电器驱动器
直流以直流转换器
逻辑电平转换器
该BSP100在所提供的
SOT223
表面
MOUNTING
封装。
钉扎
针
1
2
3
4
门
漏
来源
漏极（选项卡）
描述
SOT223
4
1
2
3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
储存温度
条件
T
j
= 25 °C至150°C
T
j
= 25 °C至150°C ;
GS
= 20 k
T
sp
= 25 C
T
sp
= 100 C
T
AMB
= 25 C
T
sp
= 25 C
T
sp
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
- 65
马克斯。
30
30
±
20
6
1
4.4
3.2
24
8.3
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
C
热阻
符号
R
日J- SP
R
日J- AMB
参数
热阻结到
焊锡点
热阻结到
环境
条件
表面贴装， FR4
板
表面贴装， FR4
板
典型值。
12
70
马克斯。
15
-
单位
K / W
K / W
1
持续电流额定值受包
1999年2月
1
启1.000
