飞利浦半导体
产品speci fi cation
高频/甚高频功率晶体管
BLW76
手册， halfpage
40
MGP510
手册， halfpage
20
MGP511
2.5
xi
()
0
Gp
（ dB）的
30
ri
()
15
xi
20
10
2.5
10
5
ri
5
0
1
10
F（兆赫）
10
2
0
1
10
F（兆赫）
7.5
10
2
V
CE
= 28 V ;我
C（ ZS ）
= 50毫安; P
L
= 80瓦;牛逼
h
= 25
°C;
Z
L
= 3,9
;
中和电容： 68 pF的。
V
CE
= 28 V ;我
C（ ZS ）
= 50毫安; P
L
= 80瓦;牛逼
h
= 25
°C;
Z
L
= 3,9
;
中和电容： 68 pF的。
图13功率增益是频率的函数。
图14输入阻抗（系列组件）作为
功能的频率。
图13和14是典型的曲线，并保持推挽
放大器交叉中和在s.s.b. AB类
操作。
手册， halfpage
150
MGP512
PLnom
（W P.E.P. ）
（VSWR = 1）
Th
≤
50
°C
100
70
°C
90
°C
50
1
10
VSWR
图中示出了允许的输出
额定条件下的功率（ VSWR = 1 ）
如预期的电压驻波比的过程中的功能
短时失配条件散热器
温度为参数。
10
2
图15 R.F. SOAR ; s.s.b. AB类操作;
f
1
= 28000兆赫; F
2
= 28001兆赫;
V
CE
= 28 V ;
日MB -H
= 0.2 K / W 。
1986年8月
9
