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分立半导体

数据表

BLW76

高频/甚高频功率晶体管

产品speci fi cation

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

高频/甚高频功率晶体管

描述

N-P - N型硅平面外延

晶体管旨在用于AB类

或B类操作的高功率

在H.F.变送器和v.h.f.

乐队。该晶体管的礼物

优良的性能如线性

放大器的H.F.乐队。这是

电阻稳定，是

保证承受严峻的负荷

不匹配的情况。晶体管

在匹配交付

组。

该晶体管具有一

"法兰

信封用陶瓷帽。所有

引线从凸缘分离。

BLW76

快速参考数据

R.F.性能达至T

= 25

°C

操作模式

s.s.b. （ AB类）

C.W. （ B类）

记

1.在80瓦P.E.P.

引脚配置

钉扎 - SOT121B 。

针

手册， halfpage

C（ ZS ）

0,05

兆赫

1,6

108

80 （ P.E.P. ）

＆ GT ;

（典型值）。 7,9

＆ GT ;

(1)

（典型值）。 70

< -30

描述

集热器

辐射源

BASE

辐射源

MLA876

Fig.1简化外形。 SOT121B 。

产品安全本设备采用氧化铍的粉尘是有毒的。该装置是完全

安全规定， BeO的光盘不被损坏。

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

高频/甚高频功率晶体管

评级

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

集电极 - 发射极电压（V

= 0)

峰值

集电极 - 发射极电压（开基）

发射极 - 基极电压（集电极开路）

集电极电流（平均值）

集电极电流（峰值） ; F

＆ GT ;

1兆赫

R.F.功耗（F

＆ GT ;

1 MHz时） ;牛逼

= 25

°C

储存温度

工作结温

CESM

首席执行官

EBO

C（ AV ）

英镑

马克斯。

BLW76

70 V

35 V

4 V

8 A

20 A

140 W

200

°C

150

°C

MGP499

手册， halfpage

200

MGP500

PRF

(W)

(A)

TH = 70

°C

TMB = 25

°C

100

150

ΙΙΙ

ΙΙ

减免0.77 W / K

减免0.56 W / K

VCE （ V）

TH（ ° C）

100

我连续直流手术

二连续射频手术

不匹配时III短时操作

图2直流飙升。

Fig.3

R.F.功耗; V

≤

28 V ; F

＆ GT ;

1兆赫。

热阻

（损耗= 60瓦;吨

= 82

°C,

即牛逼

= 70

°C)

从结点到安装基座（直流功耗）

从结点到安装基座（射频损耗）

从安装底座到散热片

日J- MB （ DC ）

日J- MB （ RF）

日MB -H

1.92 K / W

1.33 K / W

0.2 K / W

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

高频/甚高频功率晶体管

特征

= 25

°C

除非另有规定编

集电极 - 发射极击穿电压

= 0; I

= 50毫安

集电极 - 发射极击穿电压

开基;我

= 50毫安

发射极 - 基极击穿电压

集电极开路;我

= 10毫安

集电极截止电流

= 0; V

= 35 V

直流电流增益

(1)

= 4 A; V

= 5 V

匹配器件的直流电流粮比

(1)

= 4 A; V

= 5 V

集电极 - 发射极饱和电压

(1)

= 12,5 A;我

= 2,5 A

跃迁频率在f = 100 MHz的

(2)

= 4 A; V

= 28 V

= 12,5 A; V

= 28 V

集电极电容在f = 1 MHz的

= I

= 0; V

= 28 V

反馈电容在f = 1 MHz的

= 50毫安; V

= 28 V

集电极 - 佛罗里达州安格电容

笔记

脉冲条件下测得的1 ：吨

≤

300

s; δ ≤

0,02.

脉冲条件下测得的2 ：吨

≤

s; δ ≤

0,01.

典型值。

CESAT

典型值。

FE1

FE2

＆ LT ;

CES

＆ LT ;

（ BR ） EBO

＆ GT ;

（ BR ） CEO

＆ GT ;

（ BR ） CES

＆ GT ;

BLW76

70 V

35 V

4 V

10毫安

15至80

1,2

2,5 V

315兆赫

305兆赫

125 pF的

85 pF的

3 pF的

手册， halfpage

MGP501

(A)

TH = 70

°C

图4典型值; V

= 20 V.

0.5

1.5

VBE （ V）

1986年8月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

高频/甚高频功率晶体管

BLW76

手册， halfpage

MGP502

手册， halfpage

600

MGP503

的hFE

VCE = 28 V

（PF ）

400

200

典型值

IC （ A）

VCB （ V）

图5典型值;牛逼

= 25

°C.

图6我

= I

= 0; F = 1兆赫;牛逼

= 25

°C.

手册，全页宽

600

MGP504

（兆赫）

400

典型值

200

E（ A）

图7 V

= 28 V ; F = 100 MHz的;牛逼

= 25

°C.

1986年8月

BLW76

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI BLW76

是专为使用

在AB类或B类操作高

功率发射机在H.F.和

V.H.F频带，并作为线性放大器

在H.F.带。

包装样式0.380 4L FLG

.112 x 45°

.125 NOM 。

，完全R

.125

产品特点：

= 18分贝分钟。在75 W / 30 MHz的

IMD

= -30 dBc的最大值。在75瓦

（PEP）

Omnigold

金属化系统

最大额定值

暗淡

最低

英寸/毫米

最大

英寸/毫米

DISS

英镑

10 A

60 V

35 V

140瓦特@ T

= 25 C

-65℃至+ 200C

-65℃至+ 150℃

1.05 C / W

.220 / 5.59

.785 / 19.94

.720 / 18.29

.970 / 24.64

.230 / 5.84

.730 / 18.54

.980 / 24.89

.385 / 9.78

.004 / 0.10

.085 / 2.16

.160 / 4.06

.006 / 0.15

.105 / 2.67

.180 / 4.57

.280 / 7.11

.240 / 6.10

.255 / 6.48

特征

符号

首席执行官

CER

EBO

CES

IMD

= 50毫安

= 10毫安

= 28 V

= 5.0 V

= 28 V

= 25 V

= 25 C

NONETEST

条件

= 10

最小典型最大

4.0

5.0

单位

---

= 1.0 A

F = 1.0 MHz的

= 3.2 A

视力= -8分贝

边带= -16分贝

F = 225 MHz的

SND 。 = -7分贝

100

13.5

14.5

-55

REF

= 16 W

dBc的

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

北好莱坞， CA 91605

(818) 982-1200

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

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