BB302M
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
GATE1至源极电压
符号
V
DS
V
G1S
V
G2S
I
D
PCH
总胆固醇
TSTG
评级
12
+10
–0
GATE2至源极电压
漏电流
信道功率耗散
通道温度
储存温度
±10
25
150
150
-55到+150
V
mA
mW
°C
°C
单位
V
V
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
GATE1源击穿
电压
GATE2源击穿
电压
GATE1到源截止电流I
G1SS
GATE2到源截止电流I
G2SS
GATE1源截止电压V
G1S(off)
GATE2源截止电压V
G2S(off)
漏电流
正向转移导纳
I
D（ OP ）
|y
fs
|
—
—
0.4
0.4
9
15
—
—
—
—
13
20
+100
±100
1.0
1.0
18
—
nA
nA
V
V
mA
mS
符号
V
（ BR ） DSS
V
(BR)G1SS
V
(BR)G2SS
民
12
+10
±10
典型值
—
—
—
最大
—
—
—
单位
V
V
V
测试条件
I
D
= 200A
V
G1S
= V
G2S
= 0
I
G1
= +10A
V
G2S
= V
DS
= 0
I
G2
=
±10A
V
G1S
= V
DS
= 0
V
G1S
= +9V
V
G2S
= V
DS
= 0
V
G2S
=
±9V
V
G1S
= V
DS
= 0
V
DS
= 9V, V
G2S
= 6V
I
D
= 100A
V
DS
= 9V, V
G1S
= 9V
I
D
= 100A
V
DS
= 9V, V
G1
= 9V
V
G2S
= 6V ，R
G
= 120k
V
DS
= 9V, V
G1
= 9V
V
G2S
=6V
R
G
= 120kΩ ， F = 1kHz时
V
DS
= 9V, V
G1
= 9V
V
G2S
= 6V ，R
G
= 120k
F = 1MHz的
V
DS
= 9V, V
G1
= 9V
V
G2S
=6V
R
G
= 120k
F = 200MHz的
输入电容
输出电容
c
国际空间站
c
OSS
2.2
0.8
—
22
—
3.0
1.1
0.017
26
1.7
4.0
1.5
0.04
—
2.2
pF
pF
pF
dB
dB
反向传输电容C
RSS
功率增益
噪声系数
PG
NF
2
