【BB302M打造偏置电路MOS FET IC甚高频射频放大器ADE - 208-572 A（ Z）第】,IC型号BB302M,BB302M PDF资料,BB302M经销商,ic,电子元器件-51电子网

BB302M

打造偏置电路MOS FET IC

甚高频射频放大器

ADE - 208-572 A（ Z）

第2位。版

1997年9月

特点

打造偏置电路;为了减少使用零件成本& PC板空间。

低噪音的特点;

（ NF = 1.7 dB典型值，在f = 200兆赫）

承受静电放电;

打造ESD吸收二极管。承受高达240V的C = 200pF的，卢比= 0的条件。

提供迷你模具包; MPAK - 4 （ SOT- 143mod ）

概要

MPAK-4

2

3

1

4

1.源

2. GATE1

3. GATE2

4.漏

注1标记为“ BW- 」。

注2 BB302M是日立BBFET个别型号。

BB302M

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

GATE1至源极电压

符号

V

DS

V

G1S

V

G2S

I

D

PCH

总胆固醇

TSTG

评级

12

+10

–0

GATE2至源极电压

漏电流

信道功率耗散

通道温度

储存温度

±10

25

150

-55到+150

V

mA

mW

°C

单位

V

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

GATE1源击穿

电压

GATE2源击穿

电压

GATE1到源截止电流I

G1SS

GATE2到源截止电流I

G2SS

GATE1源截止电压V

G1S(off)

GATE2源截止电压V

G2S(off)

漏电流

正向转移导纳

I

D（ OP ）

|y

fs

|

—

0.4

9

15

—

13

20

+100

±100

1.0

18

—

nA

V

mA

mS

符号

V

（ BR ） DSS

V

(BR)G1SS

V

(BR)G2SS

民

12

+10

±10

典型值

—

最大

—

单位

V

测试条件

I

D

= 200A

V

G1S

= V

G2S

= 0

I

G1

= +10A

V

G2S

= V

DS

= 0

I

G2

=

±10A

V

G1S

= V

DS

= 0

V

G1S

= +9V

V

G2S

= V

DS

= 0

V

G2S

=

±9V

V

G1S

= V

DS

= 0

V

DS

= 9V, V

G2S

= 6V

I

D

= 100A

V

DS

= 9V, V

G1S

= 9V

I

D

= 100A

V

DS

= 9V, V

G1

= 9V

V

G2S

= 6V ，R

G

= 120k

V

DS

= 9V, V

G1

= 9V

V

G2S

=6V

R

G

= 120kΩ ， F = 1kHz时

V

DS

= 9V, V

G1

= 9V

V

G2S

= 6V ，R

G

= 120k

F = 1MHz的

V

DS

= 9V, V

G1

= 9V

V

G2S

=6V

R

G

= 120k

F = 200MHz的

输入电容

输出电容

c

国际空间站

c

OSS

2.2

0.8

—

22

—

3.0

1.1

0.017

26

1.7

4.0

1.5

0.04

—

2.2

pF

dB

反向传输电容C

RSS

功率增益

噪声系数

PG

NF

2

BB302M

主要特点

测试电路用于经营项目（I

D（ OP ）

， | YFS | ，西塞，科斯，的Crss ， NF ， PG ）

V

G2

门2

门1

R

G

V

G1

漏

A

I

D

来源

应用电路

V

AGC

= 6 0.3 V

BBFET

V

DS

= 9 V

RFC

产量

输入

R

G

V

GG

= 9 V

3

BB302M

最大信道功率

耗散曲线

P沟（ mW）的

200

I

D

（MA ）

25

典型的输出特性

V

G2S

= 6 V

V

G1

= V

DS

150

20

信道功率耗散

15

100

漏电流

10

50

5

R

0

50

100

150

的Ta （℃）

200

0

环境温度

2

4

6

漏源极电压

56

k

68

82

k

1

k

0

12

k

0

15

k

180

k

220

0 k

= 27

G

00

8

V

DS

(V)

10

漏电流与

GATE2至源极电压

25

k

68 k

漏电流与电压GATE1

20

I

D

（MA ）

V

DS

= 9 V

R

G

= 100 k

16

6V

5V

4V

3V

2V

8

I

D

（MA ）

56

20

82 k

100 k

15

漏电流

10

150 k

180 k

200 k

R

G

= 220 k

5

漏电流

120 k

12

4

V

G2S

= 1 V

V

DS

= V

G1

= 9 V

0

1.2

2.4

3.8

GATE2至源极电压

4.8

6.0

V

G2S

(V)

0

2

4

6

8

V

G1

(V)

10

GATE1电压

4

BB302M

漏电流与GATE1 Voltege

20

I

D

（MA ）

I

D

（MA ）

V

DS

= 9 V

R

G

= 120 k

6V

5V

4V

20

V

DS

= 9 V

R

G

= 150 k

16

6V

5V

4V

3V

2V

V

G2S

= 1 V

漏电流与GATE1 Voltege

16

12

漏电流

8

2V

4

3V

漏电流

8

V

G2S

= 1 V

4

0

2

4

6

8

GATE1电压V

G1

(V)

10

0

2

4

6

8

GATE1电压V

G1

(V)

10

正向转移导纳| Y

fs

| （女士）

25

正向转移导纳| Y

fs

| （女士）

正向转移导纳

与GATE1电压

V

DS

= 9 V

R

G

= 100 k

20 F = 1千赫

6V

5V

4V

3V

正向转移导纳

与GATE1电压

25

V

DS

= 9 V

R

G

= 120 k

20 F = 1千赫

15

6V

5V

4V

3V

15

10

2V

V

G2S

= 1 V

0

2

4

6

8

GATE1电压V

G1

(V)

10

2V

5

V

G2S

= 1 V

0

2

4

6

8

GATE1电压V

G1

(V)

10

5

BB302M

内置偏置电路MOS FET IC

甚高频射频放大器

REJ03G0825-0400

（上ADE- 208-572B ）

Rev.4.00

Aug.10.2005

特点

内置偏置电路;为了减少使用零件成本& PC板空间。

低噪音的特点;

（ NF = 1.7 dB典型值，在f = 200兆赫）

承受静电放电;

内置ESD吸收二极管。承受高达240V的C = 200pF的，卢比= 0的条件。

提供迷你模具包; MPAK - 4 （ SOT- 143Rmod ）

概要

瑞萨封装代码： PLSP0004ZA -A

（包名称： MPAK - 4 ）

2

3

1

4

1.源

2. GATE1

3. GATE2

4.漏

注意事项：

1.标记为“ BW - ” 。

2. BB302M是RENESAS BBFET个别型号。

Rev.4.00 2005年8月10日第1页9

BB302M

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

GATE1至源极电压

GATE2至源极电压

漏电流

信道功率耗散

通道温度

储存温度

符号

V

DS

V

G1S

V

G2S

I

D

PCH

总胆固醇

TSTG

评级

12

+10

–0

±10

25

150

-55到+150

单位

V

mA

mW

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

GATE1至源极击穿电压

GATE2至源极击穿电压

GATE1到源截止电流

GATE2到源截止电流

GATE1到源截止电压

GATE2到源截止电压

漏电流

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

功率增益

噪声系数

符号

V

（ BR ） DSS

V

(BR)G1SS

V

(BR)G2SS

I

G1SS

I

G2SS

V

G1S(off)

V

G2S(off)

I

D（ OP ）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

PG

NF

民

12

+10

±10

—

0.4

9

15

2.2

0.8

—

22

—

典型值

—

13

20

3.0

1.1

0.017

26

1.7

最大

—

+100

±100

1.0

18

—

4.0

1.5

0.04

—

2.2

单位

V

nA

V

mA

mS

pF

dB

测试条件

I

D

= 200

A,

V

G1S

= V

G2S

= 0

I

G1

= +10

A,

V

G2S

= V

DS

= 0

I

G2

= ±10

A,

V

G1S

= V

DS

= 0

V

G1S

= +9 V, V

G2S

= V

DS

= 0

V

G2S

= ±9 V, V

G1S

= V

DS

= 0

V

DS

= 9 V, V

G2S

= 6 V

I

D

= 100

A

V

DS

= 9 V, V

G1S

= 9 V

I

D

= 100

A

V

DS

= 9 V, V

G1

= 9 V

V

G2S

= 6 V ，R

G

= 120 k

V

DS

= 9 V, V

G1

= 9 V, V

G2S

= 6 V

R

G

= 120 kΩ的中，f = 1千赫

V

DS

= 9 V, V

G1

= 9 V

V

G2S

= 6 V ，R

G

= 120 k

F = 1 MHz的

V

DS

= 9 V, V

G1

= 9 V, V

G2S

= 6 V

R

G

= 120 kΩ的， F = 200 MHz的

Rev.4.00 2005年8月10日第2 9

BB302M

主要特点

测试电路用于经营项目（I

D（ OP ）

， | YFS | ，西塞，科斯，的Crss ， NF ， PG ）

V

G2

门2

门1

R

G

V

G1

漏

A

I

D

来源

应用电路

V

AGC

= 6 0.3 V

BBFET

V

DS

= 9 V

RFC

产量

输入

R

G

V

GG

= 9 V

Rev.4.00 2005年8月10日第3页9

BB302M

最大信道功率

耗散曲线

信道功率耗散P沟道（MW ）

200

25

56

k

68

82

k

典型的输出特性

150

漏电流I

D

（MA ）

20

V

G2S

= 6 V

V

G1

= V

15

100

10

50

k

1

k

0

12

k

0

15

k

180

k

220

00

0 k

5

27

R

G

=

0

50

100

150

200

0

2

4

6

8

10

环境温度Ta （C ）

漏极至源极电压V

DS

(V)

漏电流与

GATE2至源极电压

25

k

56

漏电流与电压GATE1

20

V

DS

= 9 V

R

G

= 100 k

6V

5V

4V

3V

2V

8

68 k

漏电流I

D

（MA ）

15

100 k

漏电流I

D

（MA ）

20

82 k

16

120 k

10

150 k

180 k

200 k

12

5

R

G

= 220 k

V

DS

= V

G1

= 9 V

1.2

2.4

3.8

4.8

6.0

4

V

G2S

= 1 V

0

2

4

6

8

10

GATE2至源极电压V

G2S

(V)

GATE1电压V

G1

(V)

漏电流与GATE1 Voltege

20

V

DS

= 9 V

R

G

= 120 k

6V

5V

4V

20

漏电流与GATE1 Voltege

V

DS

= 9 V

R

G

= 150 k

6V

5V

4V

3V

2V

V

G2S

= 1 V

漏电流I

D

（MA ）

12

漏电流I

D

（MA ）

16

12

8

2V

4

3V

8

V

G2S

= 1 V

4

0

2

4

6

8

10

0

2

4

6

8

10

GATE1电压V

G1

(V)

GATE1电压V

G1

(V)

Rev.4.00 2005年8月10日第4页9

BB302M

正向转移导纳

与GATE1电压

正向转移导纳

与GATE1电压

正向转移导纳| Y

fs

| （女士）

正向转移导纳| Y

fs

| （女士）

25

V

DS

= 9 V

R

G

= 100 k

F = 1千赫

6V

5V

4V

3V

25

V

DS

= 9 V

R

G

= 120 k

F = 1千赫

6V

5V

4V

3V

20

15

10

2V

V

G2S

= 1 V

0

2

4

6

8

10

2V

5

V

G2S

= 1 V

0

2

4

6

8

10

GATE1电压V

G1

(V)

GATE1电压V

G1

(V)

正向转移导纳

与GATE1电压

功率增益主场迎战栅极电阻

30

正向转移导纳| Y

fs

| （女士）

25

V

DS

= 9 V

R

G

= 150 k

F = 1千赫

功率增益PG （分贝）

20

6V 5V 4V

3V

25

20

15

10

5

0

10

15

2V

10

5

V

G2S

= 1 V

0

2

4

6

8

10

V

DS

= 9 V

V

G1

= 9 V

V

G2S

= 6 V

F = 200 MHz的

20

50

100 200

500 1000

GATE1电压V

G1

(V)

门阻抗R

G

(k)

噪声系数与栅极电阻

4

V

DS

= 9 V

V

G1

= 9 V

V

G2S

= 6 V

F = 200 MHz的

30

25

功率增益与漏电流

噪声系数NF （ dB）的

3

功率增益PG （分贝）

20

15

10

5

V

DS

= 9 V

V

G1

= 9 V

V

G2S

= 6 V

R

G

=变量

F = 200 MHz的

5

10

15

20

25

30

2

1

0

10

20

50

100 200

500 1000

0

门阻抗R

G

(k)

漏电流I

D

（MA ）

Rev.4.00 2005年8月10日第5 9