【bq24210www.ti.comSLUSA76A–2010年12月–经修订的2011年5月800m】,IC型号BQ24210DQCT,BQ24210DQCT PDF资料,BQ24210DQCT经销商,ic,电子元器件-51电子网

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2010年12月

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经修订的2011年5月

800mA单输入单节锂离子电池太阳能充电器

检查样品：

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特点

输入电压动态电源管理

功能（ VBUS_DPM ）

可选的电池跟踪模式，以最大限度地提高

从太阳能电池板使用DPM费率

特征

加载模式，以连接在支持负载

VBUS引脚

20V输入额定电压，具有过电压保护

（ OVP ）

1 ％电池电压调节准确度

高达800mA的充电电流和10 ％收费

电流精度

热调节保护输出

电流控制

电池电量低漏电流

BAT短路保护

NTC输入监控

内置的安全定时器，带有复位控制

状态指示

–

充电/电源存在

可在小2毫米

3毫米SON- 10

包

应用

智能手机

掌上电脑

MP3播放器

低功耗手持设备

辅助太阳能充电器

描述

该bq24210是高度集成的锂离子线性

充电器

有针对性

空间受限

手提

应用程序。高的输入电压范围的输入

过电压保护器支持低成本的非稳压

适配器。输入电压调节环路

可编程的输入电压调节门限

使其适合于从替代功率充电

源，如太阳能电池板或感应充电

垫。

该集成电路有一个单一的功率输出进行充电的

电池。系统负载可以被放置在平行于

电池只要平均系统负载不

不保持电池从在10完全充电

小时安全定时器。

电池充电分为三个阶段：调节，

恒定电流和恒定电压。在所有费用

阶段，内部控制环路监视集成电路

结温度，并降低了充电电流

如果内部温度超过阈值时。

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VBUS

1mF

7 EN

CHG 8

1mF

Q2 BAT

系统

负载

VTSB 4

RT1

主持人

VDPM

ISET

VSS

TS 5

温度

PACK +

PACK -

请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用

仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合占德州条款规范

仪器标准保修。生产加工过程中不

不一定包括所有参数进行测试。

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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉

储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。

描述（续）

充电器功率级和充电电流感应功能完全集成。该充电器的功能具有很高的

高精度电流和电压调节环路，充电状态显示和充电终止功能。该

充电电流值是通过一个外部电阻编程。

此外，该集成电路具有将电池连接到VBUS引脚具有限流功能，以一个加载模式

防止过负荷。要使用负载模式下，充电源将与VBUS引脚被删除。然后，负载

可以放在VBUS引脚上，这将是近VBAT引脚电压。

引脚配置

图1. DQC包装

顶视图

VBUS

ISET

VSS

VTSB

BAT

VDPM

CHG

引脚功能

针

名字

VBUS

号

I / O

描述

对于充电模式，输入充电电源，连接到外部直流电源（即太阳能电池板，感应

充电板或墙上适配器）为负载模式下，输出电流有限的电池电压。

预期区间的旁路电容1μF到10μF ，从VBUS连接到VSS。

BAT

VDPM

I / O

电池连接。系统负载可以被连接。

预期区间的旁路电容1μF到10μF ，连接从BAT至VSS。

节目的输入电压调节阈值。

编程电阻的预期范围为1kΩ至10kΩ ，连接从VDPM到VSS 。当VDPM是

漂浮的VIN DPM循环操作电池跟踪模式，以及VIN DPM门槛BAT + 100mV的

（ BAT>3.6V ）或3.7V （ BAT≤3.6V ）在这种情况下。 VIN DPM阈值应设定比更高的电池

电压，以确保正常运行。

ISET

VSS

CHG

VTSB

热

PAD和

包

–

节目的快速充电电流设置。从ISET外部电阻到VSS定义快速充电电流值。

电源存在指示。 LOW （ FET ON）当输入电压在正常范围内（ VBUS>BAT和

VBUS>UVLO ），在其他情况下高阻抗（漏极开路FET关断）。

温感引脚，连接到NTC热敏电阻的电池组。拉高使参加有限公司

电源充电模式。绝不能悬空。

接地端子

充电状态指示，低（ FET ON ）表示充电和高阻抗（漏极开路FET关断）的

其他情况下，

芯片使能控制。低，使充电或负载模式，以及高，令挂起模式。

TS偏置参考电压引脚，稳压输出。无需外部电容，需要从VTSB到VSS 。只

充电过程中启用。

有裸露热焊盘和器件的VSS引脚之间的内部电气连接。该

导热衬垫必须连接到相同的电位上的印刷电路板上的VSS端子。不要使用

散热垫作为主要的地面输入的设备。 VSS引脚必须连接到接地在任何时候。

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典型应用电路： bq24210

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充电

来源

20 V BAT

系统

VBUS

1mF

CHG

VTSB

绑PG引脚自动启用

充电操作和禁用

的加载模式

RT1

PACK +

温度

VDPM

ISET

VSS

PACK-

OPEN FOR

电池

跟踪模式

图2.典型系统示意图

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绝对最大额定值

(1)

在工作温度范围（除非另有说明）

价值

VBUS （相对于VSS ）

输入电压

输入电流

输出电流（连续）

输出灌电流

结温，T

贮藏温度，T

英镑

(1)

BAT （相对于VSS ）

VDPM ， VTSB ， ISET ， TS ， EN ， CHG ， PG （相对于VSS ）

VBUS

BAT

CHG ， PG

–0.3

7到

–0.3

7到

1.25

–40

150

–65

150

°C

单位

超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值

止，并在规定的操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作

条件是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。所有的电压

值是相对于所述网络的接地端子，除非另有说明。

热信息

热公制

(1)

JCtop

JCbot

(1)

结至环境热阻

结至外壳（顶部）热阻

结至电路板的热阻

结至顶部的特征参数

结至电路板的特征参数

结至外壳（底部）热阻

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SON- 10 PIN

60.7

53.1

22.2

0.8

22.1

4.7

° C / W

单位

有关传统和新的热度量的更多信息，请参阅

IC封装热度量

申请报告，

SPRA953.

推荐工作条件

民

VBUS

IBUS

BAT

VDPM

ISET

BAT

VBUS

VTSB

电压范围

工作电压范围，通过UVLO和OVP限制

输入电流， VBUS引脚

目前， BAT引脚

结温

程序的输入电压调节阈值

快速充电电流编程电阻

跨越NTC热敏电阻的电压进行充电

旁路电容BAT引脚

旁路电容VBUS引脚

旁路电容VTSB引脚

675

3.5

最大

7.0

0.8

125

10k

10.8K

0.1

单位

°C

57 ％ VTSB

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电气特性

在结温范围0°C

≤

125°C ， VBUS = 5V ，充电模式（ EN =低），（除非另有说明）

参数

输入

UVLO

HYS_UVLO

BUS- DT

HYS- VBUSDT

DGL （ PG_PWR ）

DGL （ PG_NO -PWR ）

OVP

HYS- OVP

BLK （ OVP ）

DGL （ PG_OVP ）

欠压锁定退出

滞后于V

UVLO

落下

输入电源良好检测阈值

VBUS上述BAT

滞后于V

BUS- DT

落下

抗尖峰脉冲时间在退出睡眠

抗尖峰脉冲时间V

HYS- VBUSDT

动力

下来。同样进入睡眠。

输入过电压保护阈值

滞后的OVP

输入过压消隐时间

抗尖峰脉冲时间退出OVP

VBUS ： 0V

→

VBUS ： 4V → 0V ，V

UVLO_FALL

= V

UVLO

–V

HYS- UVLO

（输入电源好，如果VBUS

＆ GT ;

BAT + V

BUS- DT

);

BAT = 3.6V ， VBUS ： 3.5V

→

BAT = 3.6V ， VBUS ： 4V

→

3.5V

测量的时间从VBUS ： 0V

→

5V 1μs的上升时间

为PG =低， BAT = 3.6V

测量的时间从VBUS ： 5V

→

1μs的3.2V下降时间

为PG =开路

VBUS ： 5V

→

VBUS ： 11V

→

VBUS ： 5V

→

12V

测量的时间从VBUS ： 12V

→

5V 1μs的下降时间

为PG =低

编程时，编程的电阻VDPM销

VDPM

= 1kΩ

编程时，编程的电阻VDPM销

VDPM

= 10kΩ

BAT

＆ GT ;

LOWV

， VBUS = 5V ，R

VDPM

= 1K至10kΩ ;

VDPM

= KVBUS

_DPM

（ VBUS

_DPM

Vbus用

_DPM_1

)

BAT

＆ GT ;

LOWV

， VBUS = 5V ，R

VDPM

= 1K至10kΩ

BAT

＆ GT ;

LOWV

， VBUS = 5V ，R

VDPM

＆ LT ;

500Ω

3.55

4.8

0.135

3.41

7.3

3.15

175

150

3.3

227

200

250

7.5

200

113

3.65

0.15

3.5

3.65

VDPM引脚悬空（开路，

＆ GT ;

500kΩ的），英美烟草上涨

蝙蝠坠落

EN =低， VBUS上升高于VIN DPM门槛

EN =低， VBUS下降

BAT

≤

3.6V

BAT

＆ GT ;

3.6V

3.65

BAT

+0.07

3.7

BAT

+0.10

160

3.75

BAT

+0.145

3.75

5.1

0.165

3.59

V /千欧

μA

7.7

3.45

280

250

μs

测试条件

民

典型值

最大

单位

BUS- DPM

输入电压调节阈值。

限制糊涂人在VBUS

-DPM

KVBUS

_DPM

VBUS

_DPM_1

VBUS

_DPM_0

IVBUS

_DPM

TRK

TRK_HYS

BUS_CHG

BUS_CHG_HYS

DGL_CHG

长期因素

初始电压VBUS_DPM门槛

环境

当VDPM是VBUS_DPM门槛

短到VSS

电流编程VBUS

_DPM

电池电压阈值跟踪

VBUS DPM循环

滞后V

TRK

输入电压，使CHG引脚，

VBUS -V

BUS_DPM

或VBUS -V

TRK

滞后V

BUS_CHG

抗尖峰脉冲时间CHG引脚状态

变化

ISET短路试验

ISET_MAX

DGL - SHORT

out_cl

最大电阻值算

故障（短路）。监测Iout>90mA

从ISET短的抗尖峰脉冲时间过渡

以电流输出禁用

最大输出电流限制调节

（钳）

RISET ： 600

Ω →

250

Ω,

IOUT闭锁。周期力量

复位。故障范围

>1.10A

清除故障由骑自行车或CHGEN

0.95

200

250

1.4

300

电池短路保护

BAT （ SC ）

BAT

（ SC ）

BAT

（ SC - HYS ）

源电流输出时BAT引脚

短路检测

BAT引脚短路检测

阈值/预充电阈值

BAT引脚短迟滞

BAT ： 3V

→

0.5V ，没有抗尖峰脉冲

恢复

→

BAT

（ SC ）

+ BAT

（ SC - HYS ）

;瑞星，无尖峰脉冲

0.75

0.8

0.85

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